Blog de la compañía Mingjiada Electronics Suministra Infineon IRF6894MTRPBF: MOSFET HEXFET de canal N de 25 V, 1,3 mΩ de resistencia ultra baja

Shenzhen Mingjiada Electronics Co., Ltd. proporciona suministro estable a largo plazo del IRF6894MTRPBF MOSFET de potencia HEXFET de canal N de alto rendimiento.

IRF6894MTRPBF Descripción general del producto
El IRF6894MTRPBF es un MOSFET de canal N de alto rendimiento presentado por Infineon Technologies. Este dispositivo de potencia, modelo IRF6894MTRPBF, utiliza la tecnología HEXFET avanzada para ofrecer un rendimiento eléctrico excepcional.

Como producto clave en la cartera de Mingjiada Electronics, el IRF6894MTRPBF ha ganado un amplio reconocimiento en el mercado por su ultra baja resistencia de encendido de 1.3mΩ. Con una tensión de drenaje-fuente nominal de 25V, es una opción ideal para aplicaciones de tensión media a baja. El IRF6894MTRPBF utiliza el encapsulado DirectFET MX. Este diseño de encapsulado único no solo mejora el rendimiento térmico, sino que también reduce la huella de la PCB.

Las características técnicas clave del IRF6894MTRPBF incluyen:
• Tensión de drenaje-fuente (Vdss): 25V
• Corriente de drenaje continua (Id): 32A (Ta), 160A (Tc)
• Resistencia de encendido (Rds(on)): 1.3mΩ @ 33A, 10V
• Tensión de accionamiento de puerta: 4.5V a 10V
• Rango de temperatura de funcionamiento: -40°C a 150°C (TJ)
• Tipo de encapsulado: Montaje superficial DirectFET™ MX

Especificaciones técnicas detalladas
Fabricante: Infineon Technologies
Número de pieza: IRF6894MTRPBF
Tipo de dispositivo: MOSFET de potencia de canal N
Plataforma tecnológica: HEXFET®, DirectFET™
Tensión de ruptura (V_DSS): 25V (Mínimo)
Resistencia de encendido (R_DS(on)): 1.3mΩ @ V_GS=10V, I_D=20A (típico)
Corriente de drenaje continua (I_D): 200A @ T_C=100°C, 320A @ T_C=25°C
Corriente de drenaje de pulso (I_DM): 750A @ T_pulse=10μs, V_GS=10V
Tensión de umbral de puerta (V_GS(th)): 1.6V ~ 2.5V (Típico 2.0V)
Tensión de accionamiento de puerta (V_GS): Recomendado +10V, Máximo ±20V
Carga total de puerta (Q_g): 26nC @ V_GS=0V~10V
Carga de puerta-fuente (Q_gs): 12nC
Carga de puerta-drenaje (Q_gd): 6nC
Capacitancia de entrada (C_iss): 6800pF @ V_DS=12.5V
Capacitancia de salida (C_oss): 1800pF @ V_DS=12.5V
Capacitancia de transferencia inversa (C_rss): 360pF
Carga de recuperación inversa (Q_rr): 120nC (típico)
Energía de avalancha (E_AS): 600mJ (pulso único)
Corriente de avalancha (I_AR): 200A
Temperatura de funcionamiento: -55°C a +175°C (temperatura de la unión)
Tipo de encapsulado: DirectFET™ Medium Can
Dimensiones del encapsulado: 7.0mm × 6.0mm × 0.7mm
Número de pines: 7+1 (7 pines funcionales + 1 almohadilla térmica)
Resistencia térmica (R_thJC): 0.5°C/W (Inferior) + 1.2°C/W (Superior)
AEC-Q101: Aprobado Grado 0
Clasificación ESD: HBM Clase 1C (1000V~2000V)
Estado RoHS: Cumple con RoHS3, Libre de Pb
Libre de halógenos: Sí

IRF6894MTRPBF Características del producto:
Utiliza la tecnología de silicio de próxima generación de IR
Ofrece una eficiencia óptima para aplicaciones de buck síncronas de entrada de 12V

IRF6894MTRPBF Aplicaciones:
Servidores de próxima generación, computadoras de escritorio y PC portátiles

Información de compra
Número de pieza: IRF6894MTRPBF
Fabricante: Infineon Technologies
Tipo de dispositivo: MOSFET HEXFET de canal N
Plataforma tecnológica: DirectFET™ Medium Can
AEC-Q101: Aprobado Grado 0
Estado RoHS: Cumple con RoHS3, Libre de Pb
Cantidad mínima de pedido: Soporte flexible, muestras disponibles
Disponibilidad: Stock disponible, envío el mismo día
Rango de precios: Precios por niveles basados en el volumen de compra

Para consultas o necesidades de compra con respecto a IRF6894MTRPBF, contáctenos en cualquier momento:
Teléfono: +86 13410018555
Correo electrónico: sales@hkmjd.com
Página de inicio: https://www.integrated-ic.com/