La Comisión consideró que los importes procedentes de China no constituían ayuda estatal en el sentido del artículo 2 del Reglamento de base.como proveedor líder en la industria de componentes electrónicos, ha estado suministrando una gama completa de dispositivos de potencia SiC de Infineon en existencias,ofreciendo soluciones de semiconductores de potencia eficientes y fiables a clientes de todo el mundoComo líder en tecnología SiC, la cartera de productos CoolSiCTM de Infineon lidera la industria en términos de eficiencia, densidad de energía y confiabilidad del sistema.
Los siguientes son los tipos de dispositivos Infineon SiC suministrados por Mingjiada Electronics:
1Dispositivos discretos de MOSFET CoolSiCTM
Los dispositivos discretos CoolSiCTM MOSFET de Infineon cuentan con una alta eficiencia y ahorro de energía, junto con una fiabilidad óptima.con una tensión nominal de 1700 VEstos dispositivos son ideales para topologías de conmutación dura y conmutación resonante, como LLC y ZVS, mejorando significativamente la eficiencia del sistema.
MOSFET CoolSiCTM de 400 V: Específicamente diseñado para la etapa de conversión CA/CC de las unidades de alimentación de servidores de inteligencia artificial (PSU) y aplicaciones como sistemas solares y de almacenamiento de energía.
650V CoolSiCTM MOSFET: Optimizado comportamiento de conmutación en condiciones de alta corriente y baja capacidad, adecuado para diversas aplicaciones industriales, incluidos servidores, telecomunicaciones, motores de propulsión,y más.
750V y 1200V CoolSiCTM MOSFET: adecuado para aplicaciones industriales y automotrices, como cargadores/PFC a bordo, inversores auxiliares y fuentes de alimentación ininterrumpidas (UPS).
1700V CoolSiCTM MOSFET: Adecuado para topologías de retroceso, como sistemas de almacenamiento de energía, carga rápida de vehículos eléctricos, gestión de energía (SMPS) y soluciones de sistemas solares.
2000V CoolSiCTM MOSFET: ofrece una mayor densidad de potencia y margen de voltaje, adecuado para aplicaciones de alto voltaje como la carga rápida de vehículos eléctricos y soluciones de sistemas solares.
2. Módulos de energía MOSFET CoolSiCTM
Los módulos de energía CoolSiC MOSFET de Infineon están disponibles en varias configuraciones, incluyendo tres niveles, cuatro paquetes, medio puente, seis paquetes y extensión de corriente,adecuado para diversas aplicaciones de alto rendimiento.
3. Diodos de Schottky CoolSiCTM
Los diodos CoolSiCTM Schottky de Infineon cubren un rango de voltaje de 600V y 650V a 1200V, con características de baja resistencia y conmutación rápida, adecuados para diversas aplicaciones de alta frecuencia.
Diodos de Schottky CoolSiCTM de 600V y 650V: adecuados para aplicaciones de baja tensión y alta frecuencia.
Diodos de Schottky CoolSiCTM de 1200 V: adecuados para aplicaciones de alto voltaje como fuentes de alimentación industriales y estaciones de carga de vehículos eléctricos.
Ventajas de la oferta
Mingjiada Electronics ofrece las siguientes garantías de suministro:
100% de productos originales: Todos los dispositivos de carburo de silicio Infineon provienen de canales oficiales o de inventario de fábrica
Inventario extenso: los almacenes de Shenzhen y Hong Kong mantienen existencias de varias series de dispositivos de carburo de silicio
Soluciones flexibles de contratación pública: apoyo a las compras de muestras de pequeños lotes y a los pedidos de gran volumen
Red logística mundial: aprovechando la sede central de Shenzhen y los socios logísticos internacionales para garantizar una entrega rápida
Información de contacto
Para obtener más información sobre los dispositivos de carburo de silicio Infineon o para realizar un pedido, póngase en contacto con Mingjiada Electronics:
Teléfono: +86 13410018555
El correo electrónico: sales@hkmjd.com
Página web: http://La Comisión ha adoptado una decisión sobre la aplicación de la presente Decisión.
Dirección: Sala 1239-1241, Edificio Xinyazhou Guoli, calle Zhenzhong, distrito de Futian, Shenzhen, provincia de Guangdong.
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