Mingjiada Electronics suministra elSe aplicará el procedimiento siguiente:, un MOSFET de potencia de N-canal de 650V de grado automotriz de Infineon, parte de la serie CoolMOSTM CFDA. A continuación se presentan sus especificaciones detalladas:
Descripción del productoSe aplicará el procedimiento siguiente:
El IPB65R110CFDA es un MOSFET de potencia N de 650V/31.2A desarrollado por Infineon, empaquetado en un paquete PG-TO263-3 (D2PAK-3), y parte de la serie CoolMOSTM CFDA.Está diseñado específicamente para la electrónica automotriz.El IPB65R110CFDA emplea la tecnología de Super Junction (SJ), ofreciendo baja resistencia, conmutación rápida,y estabilidad a altas temperaturas, por lo que es adecuado para aplicaciones de alta fiabilidad, como cargadores a bordo de vehículos eléctricos (EV), convertidores CC-DC e inversores fotovoltaicos.
Características clave deSe aplicará el procedimiento siguiente:
Capacidad de alta tensión y alta corriente: 650V voltaje de ruptura de la fuente de drenaje (Vds) y 31,2A corriente de drenaje continua (Id), lo que hace que IPB65R110CFDA sea adecuado para diseños de fuente de alimentación de conmutación de alta potencia.
Resistencia de encendido ultrabaja (Rds ((on)): 110mΩ (típica) @ 10V Vgs, el IPB65R110CFDA reduce las pérdidas de conducción y mejora la eficiencia del sistema.
Rendimiento de conmutación de alta velocidad: tiempo de subida de 11ns, tiempo de caída de 6ns, reduciendo las pérdidas de conmutación, el IPB65R110CFDA admite aplicaciones de conmutación de alta frecuencia.
Diodo de cuerpo rápido integrado: baja carga de recuperación inversa (Qrr) reduce el ruido de conmutación, mejorando el rendimiento EMI.
Funcionamiento en un amplio rango de temperaturas: -40°C a +150°C, conforme con la certificación AEC-Q101 para automóviles.
Optimizado el accionamiento de la puerta: baja carga de la puerta (Qg = 118nC), IPB65R110CFDA reduce las pérdidas de accionamiento y aumenta la frecuencia de conmutación.
Especificaciones detalladas deSe aplicará el procedimiento siguiente:
El modelo: IPB65R110CFDA
Marca: Infineon
En el paquete: PG-TO263-3 (D2PAK-3)
Tecnología: CoolMOSTM CFDA (MOSFET de súper unión)
Voltagem de la fuente de drenaje (Vds): 650 V
Corriente de drenaje continua (Id): 31.2 A
Resistencia de encendido (Rds ((on)): 110 (típica) mΩ
Carga de la puerta (Qg): 118 nC
La tensión de la fuente de entrada (Vgs): ±20 V
Válvula de voltaje de umbral (Vgs ((th)): 3,5 V
Tiempo de conmutación (tr/tf): 11/6 ns
Rango de temperatura de funcionamiento: -40 a + 150 °C
Disposición de energía (Pd): 277,8 W
Principales aplicacionesSe aplicará el procedimiento siguiente:
Sistemas de accionamiento de vehículos eléctricos
IPB65R110CFDA se puede utilizar en inversores de plataforma de alto voltaje de 800 V para mejorar la eficiencia energética y reducir los requisitos de gestión térmica.
Fuentes de energía industriales e inversores fotovoltaicos
Adecuado para fuentes de alimentación de conmutación de alta frecuencia e inversores solares para reducir la pérdida de energía.
Fuentes de alimentación para servidores y centros de datos
La alta eficiencia de IPB65R110CFDA optimiza los convertidores de CC a CC de 48 V, aumentando la densidad de potencia.
Iluminación oculta y cargadores de baterías
Utiliza las características de conmutación rápida para mejorar la eficiencia de los controladores de LED y los dispositivos de carga rápida.
Los motores y la automatización industrial
IPB65R110CFDA es adecuado para servos y unidades de frecuencia variable, mejorando la confiabilidad del sistema.
Resumen de las actividades
Como un MOSFET de potencia de 650V/31.2A en la serie CoolMOSTM CFDA de Infineon, ofrece bajas pérdidas de conducción, conmutación de alta velocidad y estabilidad a altas temperaturas,lo que lo convierte en una opción ideal para aplicaciones como vehículos eléctricosEl paquete PG-TO263-3 de IPB65R110CFDA facilita el diseño de PCB, mientras que la certificación AEC-Q101 garantiza la fiabilidad en la electrónica automotriz.
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