Blog de la compañía Suministro de productos electrónicos de Mingjiada Samsung KHA884901X-MC12 HBM2 Serie Aquabolt Memoria DRAM

Suministro de productos electrónicos de Mingjiada Samsung KHA884901X-MC12 HBM2 Serie Aquabolt Memoria DRAM

La Comisión consideró que los importes procedentes de China no constituían ayuda estatal en el sentido del artículo 2 del Reglamento de base.- Proveedor a largo plazo de la serie Samsung HBM2 Aquabolt, modelo principal KHA884901X-MC12.se consigue una mejora significativa de la eficiencia energética manteniendo un alto rendimiento, ofreciendo una solución de memoria de gran ancho de banda adaptada a escenarios de computación de gama alta.

Se aplicará el método de calibración de los valores de las emisiones de gases de efecto invernadero.: Samsung HBM2 Aquabolt series memory, una memoria apilada 3D de alto ancho de banda para computación de alto rendimiento (HPC), inferencia de IA y renderizado gráfico de alta gama, utilizando empaques MPGA.

KHA884901X-MC12 emplea la avanzada tecnología de apilamiento 3D TSV (Through-Silicon Via) de Samsung, utilizando interconexiones de micro-bump entre capas.Integra múltiples matrices de DRAM dentro de un paquete compacto de MPGA (Micro-Package Grid Array), acortando drásticamente las rutas de transmisión de datos para ofrecer un ancho de banda alto y baja latencia.permitiendo un acoplamiento estrecho con GPU y chips aceleradores para ahorrar espacio en PCB y reducir las pérdidas de enlaceEsto lo hace ideal para aplicaciones básicas, incluidos los clústeres de supercomputación, los servidores de capacitación / inferencia de IA, las estaciones de trabajo de gráficos profesionales de gama alta,con una capacidad de transmisión superior a 300 W.

Las especificaciones básicas del KHA884901X-MC12:
Serie: Serie HBM2 Aquabolt
Capacidad: 8 GB
Velocidad: hasta 6,4 Gbps
Ancho de bits / Interfaz: bus de 1024 bits
Tasa de pin único: 2,0 Gbps, lo que corresponde a 256 GB/s por die (2,0 Gbps × 1024 bits ÷ 8); Tensión: 1,2 V (más eficiente en energía que el 1,35 V de Flarebolt)
Ciclo de actualización: 32 ms
Proceso y apilamiento: utiliza tecnología de apilamiento 3D TSV (Through-Silicon Via) con interconexiones de micro-bump entre capas.acortando significativamente las rutas de datos

KHA884901X-MC12 ofrece una capacidad de 8 GB por dado, satisfaciendo las demandas de equipos de gama alta para almacenamiento en caché y transmisión de datos a gran escala.La velocidad de 0Gbps por pin ofrece 256GB/s de ancho de banda por dieLa tensión de funcionamiento está optimizada a 1,2 V.La reducción del consumo de energía y de la presión térmica en comparación con el 1.35V de la serie Flarebolt anterior, manteniendo un rendimiento de salida equivalente. Esto lo hace más adecuado para despliegues de gabinetes de alta densidad y operaciones de alta carga prolongadas.Con un ciclo de actualización de 32 ms, garantiza un almacenamiento de datos estable y fiable, adaptándose a los exigentes entornos operativos de las aplicaciones industriales y de servidor.

KHA884901X-MC12 Características del producto:
Arquitectura 4n prefetch, acceso de lectura/escritura de memoria de 256 bits por ciclo
BL = 4
Ancho de DQ de 128 bits + soporte de pin ECC por canal
Operación en modo de pseudocanal
El producto soporta sólo el modo de pseudo-canal
Entrada del reloj diferencial (CK_t/CK_c)
El chip de núcleo admite 2 canales en modo 4H/8H
16 bancos soportados por canal en modo 4H/8H
Apoyo a las agrupaciones bancarias
2K o 4K bytes por página
DBIac configurable mediante el MRS
Enmascaramiento de datos con capacidad de enmascaramiento de escritura a nivel de byte
Modo de actualización automática
Válvula de entrada/salida: 1,2 V
Tensión del núcleo de la DRAM: 1,2 V (independiente de la tensión de E/S)
Densidad del canal 4H: 4Gb, densidad del canal 8H: 8Gb
Interfaces de datos/dirección/comando/reloj minadas
Sensor de temperatura con salida de rango codificado de 3 bits

Los escenarios de aplicación del KHA884901X-MC12:
Clusters de supercomputación y HPC
Servidores de entrenamiento/inferencia de IA (por ejemplo, las primeras plataformas GPU de centros de datos NVIDIA y AMD)
Estaciones de trabajo de gama alta, equipos profesionales de representación gráfica
Unidades de procesamiento de red de gran ancho de banda (NPU)

¢ Mingjiada Electrónica ¢Suministro a largo plazo de KHA884901X-MC12: memoria de la serie Samsung HBM2 Aquabolt. Para obtener más información sobre el producto o para solicitar muestras de KHA884901X-MC12, visite el sitio web oficial de Mingjiada Electronics (El objetivo de la presente Decisión es garantizar que los Estados miembros cumplan los requisitos establecidos en el presente Reglamento.) para los detalles del suministro.