Blog de la compañía Mingjiada recicla chips de memoria DRAM de Samsung, recicla la serie DDR3/DDR4, la serie LPDDR, la serie HBM

Mingjiada recicla chips de memoria DRAM de Samsung, recicla la serie DDR3/DDR4, la serie LPDDR, la serie HBM

La Comisión consideró que los importes procedentes de China no constituían ayuda estatal en el sentido del artículo 2 del Reglamento de base. - con años de especialización en el reciclaje de componentes electrónicos, aprovecha las capacidades de evaluación profesional,sistemas de precios transparentes y servicios de recuperación eficientes para centrarse en la gama completa de reciclaje de memoria DRAM de SamsungEsto ayuda a las empresas a revitalizar los activos inactivos y lograr el reciclaje de recursos.

Dentro del sector de almacenamiento de semiconductores, Samsung se posiciona como líder mundial en investigación, desarrollo y fabricación de memoria DRAM.compatibilidad estable, y una amplia adaptabilidad, sirven múltiples dominios centrales, incluidos la electrónica de consumo, los sistemas de control industrial, la electrónica automotriz y los centros de datos de servidores.

Memoria DRAM de la serie DDR
La serie DDR constituye la categoría principal de la memoria DRAM de Samsung. Categorizada por generación como DDR3, DDR4 y DDR5, se utiliza principalmente en ordenadores de escritorio, portátiles, servidores, estaciones de trabajo,y equipos similares.
Modelos clave para el reciclaje:
- Serie DDR3: K4B4G0846E-BCNB, K4B4G1646E-BCNB, K4B1G1646I-BYNB, K4B2G1646F-BYNB, K4B8G0846D-MMMA, K4B8G1646D-MMMA, M378A1G43AB1-CWE (módulo UDIMM), M393A2G40AB2-CWE (módulo RDIMM), etc.que cubren capacidades de 1 Gb, 2Gb, 4Gb y 8Gb.
- Serie DDR4: K4A8G165WC-BCTD, K4A8G165WB-BCTD, K4A16G165WB-BCTD, M378A4G43AB2-CWE, M393A8G40AB2-CWE, M393A1G43AB1-CWE, con capacidades que van desde 4Gb hasta 32Gb.
- Serie DDR5: K4A16G165WA-BCWE, K4A32G165WB-BCWE, M324A4G43AB2-CWE (UDIMM), M393A16G40AB2-CWE (RDIMM), con capacidades que van desde 8Gb hasta 64Gb.

II. Memoria DRAM de la serie LPDDR
La serie LPDDR (Low Power DDR) representa la memoria DRAM de Samsung diseñada específicamente para dispositivos móviles.Se utiliza principalmente en terminales móviles como teléfonos inteligentes., tabletas, relojes inteligentes, sistemas de infoentretenimiento automotriz y dispositivos IoT. Por generación abarca LPDDR3, LPDDR4, LPDDR4X, LPDDR5 y LPDDR5X. Entre estos, LPDDR4X, LPDDR5,y LPDDR5X representan las configuraciones principales actuales para dispositivos móviles.
Modelos reciclables convencionales:
- Serie LPDDR3: K3L2G100DB-BGCK, K3L8G100DB-BGCK, K3L16G100DB-BGCK, que cubren capacidades de 1Gb a 8Gb.
- Las series LPDDR4/LPDDR4X: K3L32G10BM-BGCK (LPDDR4), K3L64G18BM-BGCK (LPDDR4X), K3L128G18BM-BGCK (LPDDR4X), con capacidades que van desde 4Gb hasta 128Gb.
- Serie LPDDR5/LPDDR5X: K3L128G22BM-BGCK (LPDDR5), K3L256G22BM-BGCK (LPDDR5), K3L512G22BM-BGCK (LPDDR5X), con capacidades que van desde 8Gb hasta 512Gb.

III. Memoria DRAM de la serie HBM (multicapas de ancho de banda alto)
HBM (High Bandwidth Memory) representa la solución de memoria DRAM apilada de Samsung. Utilizando tecnología de apilamiento 3D, ofrece un ancho de banda ultra alto, baja latencia y factores de forma compactos.Principalmente desplegado en servidores de IA de gama alta, supercomputadoras, controladores de dominio de conducción autónoma y tarjetas gráficas de gama alta, donde prevalecen demandas extremas de ancho de banda, se clasifica por generación en HBM2, HBM2e y HBM3.Esta tecnología constituye el componente de memoria central para los equipos de semiconductores de gama alta contemporáneos.
Modelos generalizados de reciclaje:
- Serie HBM2: H5AN8G8NAFR-VKC, H5AN8G8NAFR-VKC, H5AN16G8NAFR-VKC. La capacidad oscila entre 4Gb y 16Gb, con un ancho de banda de hasta 256GB/s.
- Serie HBM2e: H5AN16G8NAFR-VKC, H5AN32G8NAFR-VKC, con capacidades que van desde 8Gb hasta 32Gb y ancho de banda de hasta 307GB/s.
- Serie HBM3: H5AN32G8NAFR-VKC, H5AN64G8NAFR-VKC, que cubren capacidades de 16Gb a 64Gb con ancho de banda de hasta 512GB/s.

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URL de la empresa:El objetivo de la presente Decisión es garantizar que los Estados miembros cumplan los requisitos establecidos en el presente Reglamento.