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Blog de la compañía Suministro de stock Mingjiada: Transistor IGBT Infineon IKQ50N120CH3 original con diodo integrado, adecuado para aplicaciones de SAI/almacenamiento de energía

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Porcelana ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd. certificaciones
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Suministro de stock Mingjiada: Transistor IGBT Infineon IKQ50N120CH3 original con diodo integrado, adecuado para aplicaciones de SAI/almacenamiento de energía
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Mingjiada Electronics suministra el IKQ50N120CH3, un transistor IGBT de alto rendimiento introducido por Infineon. Este producto incorpora un diodo integrado, que ofrece un rendimiento de conmutación y una fiabilidad excepcionales, adecuado para diversas aplicaciones, incluidos SAI y sistemas de almacenamiento de energía.

 

Descripción del producto de IKQ50N120CH3
Mingjiada Electronics suministra transistores IGBT IKQ50N120CH3 originales y genuinos. Este chip es un transistor bipolar de puerta aislada (IGBT) de alto rendimiento de Infineon, que presenta un diodo antiparalelo integrado y se caracteriza por su alta eficiencia y bajas pérdidas.

 

El transistor IGBT IKQ50N120CH3 emplea tecnología IGBT de tercera generación madura, que combina la alta impedancia de entrada de los MOSFET con la baja caída de tensión en estado de conducción de los transistores BJT. El dispositivo admite una tensión colector-emisor de hasta 1200 V y una corriente de colector continua de 100 A, con una capacidad de corriente de pulso que alcanza los 200 A, lo que satisface las exigencias de las aplicaciones industriales más exigentes.

 

Características del producto de IKQ50N120CH3
Alta tensión nominal y alta corriente: El IKQ50N120CH3 ofrece una tensión nominal de 1200 V y una corriente nominal de 50 A, lo que satisface las exigencias de las aplicaciones de alta potencia.
Diodo integrado: Este IGBT incorpora un diodo inverso-paralelo, lo que simplifica el diseño del circuito a la vez que mejora la fiabilidad y la eficiencia del sistema.
Conmutación de alta velocidad: Al funcionar dentro de un rango de frecuencia de conmutación de 18 kHz a 60 kHz, el IKQ50N120CH3 permite operaciones de conmutación rápidas, minimizando la disipación de energía.
Tipo de encapsulado: Al utilizar un encapsulado TO-247, el IKQ50N120CH3 facilita una gestión térmica eficiente y una instalación sencilla, lo que lo hace adecuado para diversos escenarios de aplicación.

 

Áreas de aplicación
El transistor IGBT
IKQ50N120CH3 es ideal para las siguientes áreas de aplicación:
Fuente de alimentación ininterrumpida (SAI): Al servir como dispositivo de conmutación principal en inversores y rectificadores de sistemas SAI de alta potencia, el IKQ50N120CH3 ofrece una conversión de energía eficiente, lo que garantiza un suministro de energía ininterrumpido a las cargas críticas.
Sistemas de almacenamiento de energía (ESS): Dentro de los convertidores de potencia bidireccionales (PCS) para sistemas de almacenamiento de baterías, el IKQ50N120CH3 permite una conversión eficiente de CC a CA, lo que permite la gestión de la carga y la descarga.
Accionamientos de motores industriales: Adecuado para aplicaciones de control de motores industriales, como inversores y servomotores, el IKQ50N120CH3 ofrece una salida de potencia de alta eficiencia y un control fiable del motor.
Energía renovable: Dentro de los inversores solares y los convertidores de energía eólica, el IKQ50N120CH3 convierte eficientemente la electricidad de CC generada a partir de fuentes renovables en energía de CA compatible con la red.
Equipos industriales de calefacción y soldadura: Empleado en fuentes de alimentación de calentamiento por inducción y soldadura, el IKQ50N120CH3 ofrece una capacidad de conmutación de alta potencia.

 

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Tiempo del Pub : 2025-08-30 10:19:27 >> Lista de las noticias
Contacto
ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd.

Persona de Contacto: Mr. Sales Manager

Teléfono: 86-13410018555

Fax: 86-0755-83957753

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