Shenzhen Mingjiada Electronics Co., Ltd. es un proveedor profesional de transistores GaN HEMT de Infineon, que ofrece transistores GaN HEMT de la serie CoolGaN™ de Infineon, nuevos y genuinos, en stock. Nuestra gama de productos cubre el rango de voltaje completo de 40V a 850V, incluyendo la serie de voltaje medio G3, la serie de alto voltaje G5, interruptores bidireccionales (BDS) y dispositivos de grado automotriz, proporcionando soporte de adquisición de dispositivos de potencia GaN de una sola parada para clientes en carga rápida, centros de datos, inversores fotovoltaicos, vehículos de nueva energía y fuentes de alimentación industriales.
I. Serie Principal de Productos GaN HEMT de Infineon Suministrada por Mingjiada
CoolGaN™ de Infineon es una de las pocas carteras de productos GaN HEMT en la industria que cubre aplicaciones de voltaje medio/bajo y de alto voltaje, al tiempo que ofrece opciones de grado automotriz. Mingjiada mantiene en stock las siguientes series y admite solicitudes de muestras en lotes pequeños y entregas de producción en masa.
1. Serie CoolGaN™ G5 de Alto Voltaje (650V/700V)
Basada en la tecnología Gate Injection Transistor (GIT), la serie G5 está diseñada para aplicaciones de alto voltaje en los sectores industrial y de nueva energía. Ofrece una mejora de eficiencia del 3% al 5% sobre las soluciones tradicionales basadas en silicio y admite conmutación de alta frecuencia a nivel de MHz. Según datos oficiales de Infineon, los productos G5 de 650V presentan resistencias en estado encendido (on-resistance) que van desde 25 mΩ hasta 140 mΩ y una corriente de drenador continua máxima de hasta 70 A. Las opciones de encapsulado incluyen TOLL, TOLT, DSO TSC, DFN 8×8 y ThinPAK 5×6.
Mingjiada mantiene en stock los siguientes modelos G5 representativos:
Modelo Paquete Parámetros Clave
IGT65R025D2 TOLL 650V / 70A / 25mΩ
IGT65R035D2 TOLL 650V / 49A / 35mΩ
IGT65R045D2 TOLL 650V / 38A / 45mΩ
IGT65R140D2 TOLL 650V / 13A / 140mΩ
IGLD65R055D2 DFN 8×8 650V / 28A / 55mΩ
2. Serie Industrial CoolGaN™ de 600V (e-mode HEMT)
El HEMT GaN e-mode de 600V es la línea de productos de alto volumen de Mingjiada para fuentes de alimentación de centros de datos, SMPS de servidores, rectificadores de telecomunicaciones y aplicaciones de carga inalámbrica. Esta serie presenta una estructura mejorada (normalmente apagada) sin carga de recuperación inversa, un tiempo de subida tan bajo como 9 ns, un tiempo de bajada de 13 ns y un rango de temperatura de unión de operación de -55°C a +150°C.
Los modelos representativos de Mingjiada en la serie de 600V incluyen:
IGO60R070D1: 600V / 31A / 70mΩ, encapsulado DSO-20, adecuado para topologías de medio puente de conmutación dura y conmutación suave como PFC de tótem y LLC de alta frecuencia.
IGOT60R070D1: Encapsulado DSO-20 con refrigeración superior, adecuado para diseños de gestión térmica de alta densidad de potencia.
IGLD60R070D1: Encapsulado LSON-8, diseñado para adaptadores compactos y carga rápida.
IGT60R190D1: Encapsulado HSOF-8, clasificación de 190 mΩ, adecuado para fuentes de alimentación industriales de potencia media.
IGLR60R340D1: Clasificación de 340 mΩ, adecuado para fuentes de alimentación auxiliares sensibles al costo y aplicaciones de baja potencia.
IGLR60R260D1: HEMT GaN e-mode de 600V, diseñado para conversión de alta frecuencia y alta eficiencia.
IGI60F1414A1L: Etapa de potencia inteligente CoolGaN™ de 600V con controlador de puerta integrado, 140 mΩ, encapsulado QFN-28 de 8×8 mm, simplificando el diseño del sistema y los circuitos de protección.
3. Serie G3 de Voltaje Medio CoolGaN™ (40V–120V)
La serie G3 está diseñada para aplicaciones de voltaje medio a bajo, como sistemas automotrices de 48V, carga rápida USB-C, variadores de motor y fuentes de alimentación de telecomunicaciones. Presenta un encapsulado RQFN 5×6 / 3.3×3.3 compatible con diseños de MOSFET basados en silicio, con resistencias en estado encendido tan bajas como 1.1 mΩ a 2.3 mΩ. Los modelos de interruptor bidireccional (BDS) de 40V pueden reemplazar los MOSFETs tradicionales de espalda con espalda, ahorrando un 50% - 75% de área de PCB.
Modelo representativo: IGO60R070D1 (también listado para aplicaciones de interruptor bidireccional de bajo a medio voltaje); para una tabla de selección completa de modelos G3 específicos de 40V/100V, póngase en contacto con el equipo de ventas de Mingjiada.
4. Interruptor Bidireccional CoolGaN™ (BDS) — Conducción/Bloqueo Bidireccional de Chip Único
El BDS CoolGaN™ de Infineon es el primer dispositivo GaN bidireccional de modo de mejora integrado de chip único de la industria. Reemplaza la arquitectura tradicional de interruptor bidireccional de "cuatro dispositivos en paralelo" con un solo dispositivo, reduciendo significativamente la lista de materiales y la huella de la PCB.
Modelos representativos suministrados por Mingjiada:
IGLT65R055B2: BDS industrial de alto voltaje de 650V en un encapsulado TOLT (Top-Out-Through), con inmunidad a sobretensiones de 850V; adecuado para estaciones de carga bidireccional, PCS de almacenamiento de energía, interruptores automáticos de estado sólido y convertidores DC-DC bidireccionales.
IGK080B041S: BDS de propósito general de bajo voltaje de 40V en un encapsulado a escala de chip, diseñado para aplicaciones de conmutación bidireccional miniaturizadas en electrónica automotriz y de consumo.
5. Serie Automotriz CoolGaN™ (100V/600V, AEC-Q101)
Infineon ha introducido HEMTs GaN con certificación AEC-Q101 para sistemas automotrices de 48V y carga a bordo. Mingjiada ofrece la serie automotriz de 100V, adecuada para controladores de zona, convertidores DC-DC principales, sistemas auxiliares de alto rendimiento y amplificadores de audio Clase D; también suministra HEMTs GaN e-mode de 600V que cumplen con los estándares automotrices (como IGOT60R070D1AU, IGO60R070D1AU, etc.).
II. ¿Por qué elegir Mingjiada para la adquisición de GaN HEMTs de Infineon?
Directamente del fabricante, nuevos y genuinos. Todos los productos CoolGaN™ de Infineon en Mingjiada provienen directamente del fabricante o de canales autorizados, asegurando que no haya piezas reacondicionadas o sueltas. Cada chip se somete a una inspección de calidad para garantizar la fiabilidad a largo plazo de los dispositivos de potencia.
Línea completa de productos en stock, con entrega rápida. Las operaciones coordinadas en almacenes duales en Shenzhen y Hong Kong mantienen un stock de seguridad estratégico para los modelos populares de CoolGaN™. Los envíos nacionales se despachan en 48 horas, admitiendo la conmutación flexible entre muestras de I+D y pedidos de producción en masa, lo que acorta significativamente el tiempo de comercialización de los clientes.
Competitividad de precios impulsada por compras a granel. Aprovechando nuestra profunda asociación con Infineon y las ventajas de la compra a granel, Mingjiada ofrece precios escalonados y servicios de bloqueo de precios a largo plazo para ayudar a los clientes a controlar los costos de la lista de materiales durante la fase de implementación de la solución GaN.
III. Escenarios de Aplicación Típicos
Los HEMT GaN CoolGaN™ de Infineon ya han sido adoptados por la base de clientes de Mingjiada en los siguientes escenarios principales:
Carga Rápida y Adaptadores: Los dispositivos e-mode de 600V y de voltaje medio G3 se utilizan en fuentes de alimentación QR flyback de alta frecuencia, PFC de tótem y USB-C PD, permitiendo diseños compactos y de alta densidad de potencia.
Fuentes de Alimentación para Centros de Datos y Servidores: La serie G5 de 650V se utiliza en SMPS de servidores con certificación Titanium y distribución de energía DC de alto voltaje, con pérdidas de conmutación significativamente menores que las de los MOSFETs de unión súper de silicio.
Inversores Fotovoltaicos y Almacenamiento de Energía: Los dispositivos G5 de 650V se utilizan en la etapa DC-AC de inversores de cadena y PCS de almacenamiento de energía, aumentando la eficiencia a más del 98%.
Vehículos de Nueva Energía: GaN de grado automotriz de 100V/600V se utiliza en OBC, convertidores DC-DC y controladores de zona de 48V, cumpliendo con los requisitos de fiabilidad AEC-Q101.
Variadores de Motor Industriales e Interruptores Automáticos de Estado Sólido: Los interruptores bidireccionales BDS se utilizan para el control de avance/reversa del motor, relés de estado sólido y conversión de potencia bidireccional, simplificando la topología con una arquitectura de chip único.
IV. Póngase en contacto con Mingjiada para la Selección y Cotización de GaN HEMT
Para verificar la disponibilidad de stock actual de los modelos anteriores, obtener una tabla de selección completa o solicitar muestras gratuitas, póngase en contacto con Mingjiada Electronics:
Contacto: Sr. Chen
Teléfono / WeChat: +86 0755-83294757 / 13410018555
Correo electrónico: sales@hkmjd.com
Dirección: Habitaciones 1239-1241, Edificio New Asia Guoli, Carretera Zhenzhong, Distrito Futian, Shenzhen, Provincia de Guangdong
Mingjiada también suministra controladores de puerta específicos para GaN de Infineon (como la serie GaN EiceDRIVER™) y MOSFETs SiC, lo que permite pedidos de una sola parada para soluciones híbridas GaN+SiC.
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