Blog de la compañía [Mingjiada] Suministro Infineon MOSFET automotriz, dispositivos IGBT discretos y transistores MOSFET

La empresa de la que se trata es Shenzhen Mingjiada Electronics Co., Ltd., como distribuidor independiente autorizado de componentes electrónicos para marcas de renombre mundial, se ha centrado durante mucho tiempo en el suministro de componentes electrónicos de alta calidad.Mingjiada no sólo proporciona una amplia gama de productos de componentes electrónicos, pero también se especializa en MOSFET de grado automotriz, dispositivos discretos IGBT y transistores MOSFET bajo la marca Infineon.Estos productos tienen una amplia gama de aplicaciones en la electrónica automotriz, control industrial, comunicaciones y otros campos, y son muy populares en el mercado.

MOSFET de grado automotriz de Infineon

La cartera de MOSFET de potencia de grado automotriz de Infineon cubre dispositivos avanzados de Si y SiC en paquetes resistentes para un excelente rendimiento y una confiabilidad excepcional.Estos MOSFET operan a voltajes que van desde 24V hasta 800VLos MOSFET de grado automotriz de Infineon suministrados incluyen, entre otros, los siguientes modelos:

Se aplicará el procedimiento de ensayo.OptiMOSTM: N-canal 120V 70A (Tc) 125W (Tc) paquete PG-TO252-3, automotriz AEC Q101 certificado para convertidores DC-DC de alto voltaje y carga a bordo (OBC) en vehículos eléctricos.

La cantidad de agua utilizada en el ensayo es de aproximadamente 30 mg/l.OptiMOSTM: MOSFET de canal N de 60 V para aplicaciones automotrices con baja resistencia y alta capacidad de corriente.

Dispositivos discretos IGBT de Infineon

Los dispositivos discretos IGBT de Infineon son bien conocidos por su alta eficiencia y fiabilidad y se utilizan en una amplia gama de aplicaciones, como accionamientos y controles de motores industriales.Los dispositivos discretos IGBT de Infineon suministrados incluyen:

El número de unidades de producción es el siguiente:: Dispositivo IGBT discreto de 650V 50A con diodo antiparalelo en el paquete TO-247 para aplicaciones de alta velocidad.

Se trata de una prueba de la complejidad.: 1200V 3A TRENCHSTOPTM IGBT7 S7 dispositivo discreto con bajo VCEsat en un paquete TO-252 para pérdidas de conducción muy bajas en aplicaciones específicas.

Transistores MOSFET de Infineon

Los transistores MOSFET de Infineon son ampliamente reconocidos en el mercado por su alto rendimiento y bajo consumo de energía.

Las condiciones de los servicios de seguridad de los Estados miembros son:StrongIRFETTM: MOSFET de potencia N de un solo canal de 40 V en paquete PQFN 5x6 para aplicaciones como motores de CC, sistemas de gestión de baterías, inversores y convertidores DC-DC.

AIMCQ120R160M1T: el objetivo de las pruebas de seguridad: MOSFET de potencia de canal N de 120 V para aplicaciones de alta potencia con baja resistencia y alta capacidad de corriente.

Mingjiada tiene un equipo experimentado de ventas, I + D y gestión, y proporciona logística profesional y equipo de servicio al cliente para garantizar la prestación de un servicio de alta calidad y rápido.La empresa siempre se ha adherido al servicio a los clientes, beneficio a los clientes ¢ propósito, para la mayoría de los clientes y amigos para proporcionar servicios de pedido de una sola parada, se puede buscar de grado militar, de grado industrial, comunicaciones,fuera de los caminos trillados, componentes fríos de alta tecnología.

URL de la empresa:El objetivo de la presente Decisión es garantizar que los Estados miembros cumplan los requisitos establecidos en el presente Reglamento.