Blog de la compañía Mingjiada suministra Infineon CY7C1510, CY7C1525, CY7C1512 y CY7C1514 QDR® II con memoria SRAM sincronizada

Shenzhen Mingjiada Electronics Co., Ltd. — especializada en memorias SRAM síncronas QDR® II de Infineon; disponemos de toda la gama de dispositivos de memoria estática de acceso aleatorio CY7C1510, CY7C1525, CY7C1512 y CY7C1514, admitiendo tanto compras de muestras como pedidos a granel, y adecuados para aplicaciones de caché de comunicación de alta velocidad.

[Infineon] SRAM Síncrona QDR® II

1. Detalles: Los CY7C1510KV18, CY7C1525KV18, CY7C1512KV18 y CY7C1514KV18 son todos SRAM síncronas pipelined de 1.8 V que presentan la arquitectura QDR II. La arquitectura QDR II comprende dos puertos separados: un puerto de lectura y un puerto de escritura para acceder a la matriz de memoria. El puerto de lectura tiene una salida de datos dedicada para admitir operaciones de lectura, mientras que el puerto de escritura tiene una entrada de datos dedicada para admitir operaciones de escritura.

2. Configuración:

- CY7C1510KV18: 18 Mbit, 1 M × 18 bits

- CY7C1525KV18: 72 Mbit, 2 M × 36 bits

- CY7C1512KV18: 36 Mbit, 2 M × 18 bits

- CY7C1514KV18: 72 Mbit, 4 M × 18 bits

3. Características Principales:

Puertos de datos de lectura y escritura separados e independientes

Soporte para transacciones concurrentes

Reloj de 350 MHz, que permite una transferencia de datos de alto ancho de banda

Todos los accesos son ráfagas de 2 palabras

Interfaces de Doble Velocidad de Datos (DDR) en los puertos de lectura y escritura, lo que permite una velocidad de transferencia de datos de 700 MHz a 350 MHz

Dos relojes de entrada (K y K) para permitir una temporización DDR precisa

Disponibles en configuraciones ×8, ×9, ×18 y ×36.

Coherencia de datos completa, asegurando que se proporcionan los datos más recientes

VDD de núcleo = 1.8 V (±0.1 V); VDDQ de E/S = 1.4 V a VDD

Soporta fuentes de alimentación de E/S de 1.5 V y 1.8 V

Búferes de salida HSTL con capacidad de unidad ajustable

Mingjiada Electronics suministra memorias SRAM síncronas QDR® II de [Infineon], incluyendo, entre otras:

CY7C1512KV18-350BZC

CY7C1512KV18-333BZC

CY7C1514KV18-333BZC

CY7C1525KV18-333BZXC

CY7C1512KV18-333BZXC

CY7C1514KV18-333BZXC

CY7C1512KV18-333BZI

CY7C1514KV18-333BZI

CY7C1512KV18-333BZXI

CY7C1514KV18-333BZXI

CY7C1525KV18-300BZC

CY7C1512KV18-300BZC

CY7C1514KV18-300BZC

CY7C1525KV18-300BZXC

CY7C1512KV18-300BZXC

CY7C1514KV18-300BZXC

CY7C1512KV18-300BZI

CY7C1514KV18-300BZI

CY7C1512KV18-300BZXI

CY7C1514KV18-300BZXI

CY7C1525KV18-250BZC

CY7C1512KV18-250BZC

CY7C1514KV18-250BZC

CY7C1525KV18-250BZXC

CY7C1512KV18-250BZXC

CY7C1514KV18-250BZXC

CY7C1512KV18-250BZI

CY7C1514KV18-250BZI

CY7C1525KV18-250BZXI

CY7C1512KV18-250BZXI

CY7C1514KV18-250BZXI

Para más información sobre las memorias SRAM síncronas QDR® II CY7C1510, CY7C1525, CY7C1512, CY7C1514 de [Infineon], o para solicitar muestras, visite el sitio web de Mingjiada Electronics (https://www.integrated-ic.com/) para más detalles de suministro.