Blog de la compañía Mingjiada Suministro Infineon F-RAM RAM ferroeléctrica, Suministro de memoria F-RAM en serie, memoria F-RAM paralela

Mingjiada Suministro Infineon F-RAM RAM ferroeléctrica, Suministro de memoria F-RAM en serie, memoria F-RAM paralela

La Comisión consideró que los importes procedentes de China no constituían ayuda estatal en el sentido del artículo 2 del Reglamento de base. - un proveedor de larga data de toda la gama de productos de memoria de Infineon, incluida la RAM ferroeléctrica en serie (F-RAM) y la RAM ferroeléctrica paralela (F-RAM).Estos dispositivos combinan las capacidades de lectura / escritura de alta velocidad de la RAM con la no volatilidad de la ROM; sus principales ventajas se encuentran en la alta velocidad de escritura, el consumo de energía ultra bajo y la resistencia de lectura/escritura prácticamente ilimitada.Mingjiada Electronics mantiene existencias de modelos convencionales y soporta muestras de lotes pequeños y pedidos de gran volumenCon el apoyo de un sistema logístico eficiente, garantizamos una entrega rápida de los productos.

F-RAM (memoria de acceso aleatorio ferroeléctrica o FeRAM)es una memoria independiente no volátil que captura y retiene instantáneamente datos críticos en caso de interrupción de la energía. Es ideal para aplicaciones de registro de datos de misión crítica,con una capacidad de transmisión superior a 300 W,, control y rendimiento, o dispositivos de vigilancia del paciente diseñados para mejorar la calidad de vida.

Mingjiada Electronics suministra los siguientes dispositivos de memoria ferroeléctrica F-RAM en serie de Infineon:
Se aplicará el procedimiento siguiente:: RAM ferroeléctrica en serie de 256 Kbits (32 K × 8) (F-RAM) con una interfaz SPI que opera a una velocidad máxima de 40 MHz.

Se aplicará el procedimiento siguiente:: F-RAM en serie de 512 Kbit (64 K × 8) con almacenamiento no volátil de alta durabilidad, funcionando a 2,0 V a 3,6 V, con un rango de temperatura de 40 °C a + 85 °C, una velocidad de bus SPI de hasta 40 MHz,y soporte para los modos 0 y 3.

Se aplicará el procedimiento siguiente:: memoria F-RAM serial de 1 Mbit (128 K × 8) con interfaz SPI, que opera a 2,0 V a 3,6 V, que admite una frecuencia de reloj SPI de hasta 40 MHz, con escritura NoDelayTM para almacenamiento instantáneo de datos.

Se aplicará el procedimiento siguiente:: 2-Mbit (256K × 8) memoria F-RAM en serie, utilizando tecnología ferroeléctrica avanzada, con un voltaje de funcionamiento de 2,0 V a 3,6 V y un rango de temperatura de 40 °C a +85 °C.Soporta una interfaz SPI con una velocidad máxima de 40 MHz y escritura de velocidad de bus NoDelayTM.

Se aplicará el procedimiento de evaluación de la conformidad.: memoria F-RAM en serie de 2 Mbit (256 K × 8) con capacidad de temperatura extendida, que opera a 2,0 V a 3,6 V, con capacidad de escritura de alta velocidad NoDelayTM y una velocidad SPI de hasta 33 MHz (Modos 0/3),adecuado para uso frecuente, aplicaciones de almacenamiento no volátil de alta velocidad en los sectores industrial y médico.

Se aplicará el procedimiento siguiente:: memoria F-RAM en serie de 2 Mbit (256 K × 8), que opera a 2,0 V a 3,6 V, con un rango de temperatura de 40 °C a + 85 °C; dispone de una interfaz SPI de hasta 40 MHz para una escritura rápida y sin retrasos,adecuado para aplicaciones que requieren una escritura frecuente o rápida, como el control industrial y la adquisición de datos.

Se trata de una serie de medidas de seguridad.: 256 Kbit (32 K × 8) de RAM ferroeléctrica paralela (F-RAM) en un paquete SOIC de 28 pines, compatible con SRAM y EEPROM. Tensión de funcionamiento: de 4,5 V a 5,5 V; rango de temperatura: de 40 °C a +85 °C.

Se aplicará el procedimiento siguiente:: 256 Kbit (32 K × 8) memoria de acceso aleatorio ferroeléctrica (F-RAM) de ancho de byte, que funciona a 2,7 V a 5,5 V y en un rango de temperatura de 40 °C a + 85 °C,adecuado para aplicaciones de escritura de alta frecuencia y de alta fiabilidad, como las industriales, la instrumentación y el registro de datos.

Las soluciones de memoria F-RAM de Infineon ofrecen una gama de características, incluyendo:
NoDelayTM Write escribe datos a las celdas de memoria a velocidad de bus sin ningún tiempo de configuración
Los productos de memoria ferroeléctrica son extremadamente duraderos, con más de 100 billones de ciclos de escritura, lo que los hace más duraderos que la memoria de puertas flotantes.
Consumo de energía muy bajo, usando 200 veces menos energía que EEPROM y 3.000 veces menos que NOR flash.
Resistente a la radiación, no afectado por errores blandos inducidos por la radiación que causan cambios de bits.

Para obtener más información sobre los productos de memoria ferroeléctrica F-RAM de [Infineon] o para consultar los precios de las muestras, visite el sitio web de Mingjiada Electronics (El objetivo de la presente Decisión es garantizar que los Estados miembros cumplan los requisitos establecidos en el presente Reglamento.) para obtener más detalles sobre el suministro.