Blog de la compañía Mingjiada suministra FETs semi GaN, suministra GaNEXUSTM FETs de nitruro de galio

Mingjiada suministra FETs semi GaN, suministra GaNEXUSTM FETs de nitruro de galio

La Comisión consideró que los importes procedentes de China no constituían ayuda estatal en el sentido del artículo 2 del Reglamento de base.¢ Proveedor a largo plazo de FET de nitruro de galio (GaN) Onsemi GaNEXUSTM, que abarca productos como los FET de baja/mediana tensión y los FET de alta tensión.Mingjiada Electronics tiene una gama de modelos convencionales y admite muestras de pequeños lotes y pedidos de gran volumen.Con el respaldo de un sistema logístico eficiente, garantizamos una rápida entrega de productos.

FETs de nitruro de galio (GaN)
Detalles: Los transistores de efecto de campo GaNEXUSTM de nitruro de galio (GaN) son GaN HEMT discretos de modo de mejora.carga baja de la puerta y de la salida, y una eficiencia excepcional en comparación con los transistores de potencia de silicio.aplicaciones de conversión de potencia de alta y ultraalta tensión para lograr frecuencias de funcionamiento más altas, dimensiones de componentes magnéticos más pequeñas y mayor densidad de potencia.

FET GaN de baja/media tensión
Transistores de alta movilidad electrónica (HEMT) de nitruro de galio lateral discreto en modo de mejora GaNEXUSTM, con rangos de voltaje de funcionamiento de 40 V a 200 V, optimizados para una alta eficiencia,diseños de conversión de potencia de media tensión y sistemas compactos.
Modelos suministrados por Mingjiada Electronics:
NTLCC3D5N10GN1
NTLCC5D0N10GN1
Los datos de los datos de los Estados miembros deben estar disponibles en el sitio web de la autoridad competente.
El número de unidades de producción de los vehículos de la categoría NTLEF1D0N10GN1
El número de unidades de producción es el siguiente:
Se trata de un sistema de control de las emisiones de gases de efecto invernadero.
Se trata de un sistema de control de las emisiones de gases de efecto invernadero.
Se trata de un sistema de control de las emisiones de gases de efecto invernadero.
Se aplicará el método de evaluación de la calidad de los productos.

FETs GaN de alto voltaje
Los transistores de alta movilidad electrónica (HEMT) de nitruro de galio lateral discreto en modo de mejora GaNEXUSTM, con un rango de voltaje de 650 V ∼ 1200 V, están optimizados para una alta eficiencia.diseños de conversión de potencia de alto voltaje y sistemas compactos.
Modelos suministrados por Mingjiada Electronics:
Se aplicará el procedimiento siguiente:
Se aplicará el método de clasificación de los productos.
Se aplicará el método de ensayo de la NTBL050N65
Se aplicará el procedimiento de evaluación de la compatibilidad con el mercado.
Se aplicará el método de evaluación de la calidad de los productos.
Se aplicará el método de evaluación de los resultados de la evaluación.
NT1D1D2D2D2D2D2D2D2D3
NT1D1D1D1D1D1D1D1D1D1D1D1D1D1D1D1D1D1D1D1D1D1D1D1D1D1D1D1D1D1D1D1D1D1D1D1D1D1D1D1D1D1D1D1D1D1D1D1D1D1D1D1D1D1D1D1D1D1D1D1D1D1D1D1D1D1D1D1D1D1D1D1D1D1D1D1D1D1D1D1D1D1D1D1D1D1D2D2D2D2D2D2D2D2D2D2D2D2D2D2D2D2D2D2D2D3D3D3D3D3D3D3D3D3D3D3D3D3D3D3D3D3D3D3D3D3D3D
Se trata de un sistema de control de las emisiones de gases de efecto invernadero.
El número de unidades de la serie NTMT130N70GN1TXG
Se aplicará el método de clasificación de los productos.

Para obtener más información sobre los FET de nitruro de galio (GaN) de Onsemi o para consultar los precios de las muestras, visite el sitio web de Mingjiada Electronics (El objetivo de la presente Decisión es garantizar que los Estados miembros cumplan los requisitos establecidos en el presente Reglamento.) para obtener más detalles sobre el suministro.