Blog de la compañía Mingjiada suministra MOSFETs de media y baja tensión y MOSFETs de alta tensión

Suministro de Mingjiada de MOSFETs de bajo/medio voltaje y MOSFETs de alto voltaje de Onsemi

Shenzhen Mingjiada Electronics Co., Ltd. — Ofrecemos un suministro estable a largo plazo de la gama completa de dispositivos MOSFET de ON Semiconductor (Onsemi), que abarca MOSFETs basados en silicio, MOSFETs SJ de unión súper, MOSFETs de trinchera PowerTrench® y MOSFETs de carburo de silicio EliteSiC. Nuestra gama de productos abarca productos de grado de consumo, grado industrial y grado automotriz AEC-Q101. Mantenemos un amplio stock de productos genuinos del fabricante de equipos originales (OEM) para satisfacer los requisitos de adquisición en múltiples sectores, incluidos fuentes de alimentación, electrónica automotriz, nueva energía, equipos de control industrial y muchos otros sectores.

I. MOSFETs de medio y bajo voltaje

Los MOSFETs de potencia de medio y bajo voltaje de ON Semiconductor ofrecen un rendimiento y una fiabilidad superiores para una amplia gama de aplicaciones de conmutación. La última tecnología PowerTrench® T10 ofrece una RDS líder en la industria, mayor densidad de potencia, menores pérdidas de conmutación y un rendimiento térmico superior.

Modelos suministrados por Mingjiada Electronics:

NVMTS0D9N08X — MOSFET de potencia de canal N individual, 80 V, 405 A, 0,86 mΩ

NVMTS1D1N08X – MOSFET de potencia de canal N individual, 80 V, 352 A, 1 mΩ

NTMTSC0D9N08XTXG – MOSFET – PowerTrench® T10, canal N individual, DUAL COOL, TDFNW8, 80 V, 0,90 mΩ, 396 A

NTMFSCHT1D0N06C — MOSFET – PowerTrench® T6, canal N individual, puerta estándar, DUAL COOL, DFN8 5x6, 60 V, 1,1 mΩ, 302 A

NTMFSCHT1D9N08X — MOSFET - PowerTrench® T10, canal N individual, puerta estándar, DUAL COOL, DFN8 5x6, 80 V, 1,9 mΩ, 201 A

NTMFSCHT1D0N06CS – MOSFET – PowerTrench® T6, canal N individual, puerta estándar, DUAL COOL, DFN8 5x6, 60 V, 1,1 mΩ, 302 A

NTBYST0D6N08X – Power MOSFET, canal N individual, puerta estándar, TCPAK1012, 80 V, 0,64 mΩ, 767 A

NVMFWS1D5N08X – MOSFET de potencia de canal N individual, 80 V, 253 A, 1,43 mΩ

II. MOSFETs de alto voltaje

La cartera de MOSFETs de unión súper (SJ) de alto voltaje de Onsemi es adecuada para una amplia gama de aplicaciones de propósito general, así como para corrección del factor de potencia, fuentes de alimentación para servidores y centros de telecomunicaciones, e iluminación LED.

Modelos suministrados por Mingjiada Electronics:

NTHL120N60S5Z

NVH4L110N65S3F

NTPF190N65S3HF

NTMT080N60S5

NVHL040N65S3F

NTMT064N65S3H

NVHL082N65S3HF

NTHL082N65S3HF

NTBL080N60S5H

NVHL110N65S3HF

NTP360N80S3Z

NTBL061N60S5H

NVH4L040N65S3F

NTH4L040N65S3F

NTH027N65S3F

NVHL110N65S3F

Resumen del negocio de Mingjiada Electronics

Suministro: Gama completa de MOSFETs Onsemi en stock, incluidos MOSFETs basados en silicio, MOSFETs de unión súper y MOSFETs de carburo de silicio EliteSiC. Ambos productos de grado automotriz y grado industrial están disponibles. Ofrecemos cumplimiento de BOM integral, así como muestras y suministro a granel.

Recompra: Ofrecemos altos precios por la recompra de stock de MOSFETs Onsemi nuevos y originales, incluidos los de grado automotriz, SiC de alto voltaje, series PowerTrench de medio y bajo voltaje, y MOSFETs de señal pequeña. Podemos evaluar el excedente de fábrica y el stock obsoleto, ofreciendo una rápida liquidación en efectivo.

Para obtener más información sobre los dispositivos MOSFET de [Onsemi] o para consultar los precios de las muestras, visite el sitio web de Mingjiada Electronics (https://www.integrated-ic.com/) para obtener más detalles de suministro.