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Mingjiada Suministro de OnsemiLas condiciones de los requisitos de seguridad de los equipos de seguridad de los equipos de seguridad de los equipos de seguridad.MOSFET de carburo de silicio (SiC) de 1200 V

La Comisión consideró que los importes procedentes de China no constituían ayuda estatal en el sentido del artículo 2 del Reglamento de base.- Proveedor a largo plazo de ON Semiconductor (onsemi)Las condiciones de los requisitos de seguridad de los equipos de seguridad de los equipos de seguridad de los equipos de seguridad.: un MOSFET de carburo de silicio (SiC) de grado automotriz de 1200V y 80mΩ en un paquete D2PAK-7L.Este dispositivo está diseñado específicamente para cumplir con los requisitos estrictos de alta eficiencia y alta densidad de potencia en vehículos eléctricos (VE/VE) y fuentes de alimentación industriales de alta frecuencia.

I. Resumen del producto y posicionamiento básico (Las condiciones de los requisitos de seguridad de los equipos de seguridad de los equipos de seguridad de los equipos de seguridad.)
El NVBG080N120SC1 pertenece a la serie EliteSiC M1 de ON Semiconductor y es un MOSFET de potencia en modo de mejora de N canales.el material SiC proporciona una menor resistencia de encendido y velocidades de conmutación ultra rápidas, lo que la convierte en un componente clave para mejorar la eficiencia del sistema.
Especificaciones clave: voltaje de ruptura de 1200V, corriente de drenaje continua de 30A (a 25°C) y una resistencia de encendido típica de solo 80mΩ.
Características del paquete: el paquete D2PAK-7L (TO-263-7L) ofrece un excelente rendimiento térmico y una baja resistencia térmica de unión a caja (RθJC),mientras que el diseño de 7 pines optimiza el ruido de conmutación y los circuitos de accionamiento de puertas.
Áreas de aplicación: dirigidas principalmente a aplicaciones de conversión de potencia de alta frecuencia, como cargadores integrados (OBC) para vehículos de nueva energía, convertidores de alta tensión CC-CC,motores y inversores fotovoltaicos.

II. Las condiciones de trabajoLas condiciones de los requisitos de seguridad de los equipos de seguridad de los equipos de seguridad de los equipos de seguridad.Especificaciones:
Tipo de FET: canal N
Tecnología: SiC FET (carburo de silicio)
Ventilación de la fuente de escape (Vdss): 1200 V
Corriente a 25°C Corriente de drenaje continua (Id): 30 A (Tc)
Válvula de encendido (Rds máximo y Rds mínimo): 20 V
Resistencia de encendido (máxima) en Id y Vgs diferentes: 110 mΩ @ 20 A, 20 V
Vgs(th) (máximo) en Id Variable: 4,3 V @ 5 mA
Carga de la puerta (Qg) a varios Vgs (máximo): 56 nC @ 20 V
Vgs (máximo): +25 V, -15 V
Capacidad de entrada (Ciss) a varios Vds (máximo): 1154 pF @ 800 V
Disposición de energía (máximo): 179W (Tc)
Temperatura de funcionamiento: -55°C a 175°C (TJ)
Tipo de montaje: montaje en superficie
Paquete de dispositivos del proveedor: D2PAK-7
Paquete / carcasa: TO-263-8, D2PAK (7 conductos + almohadilla), TO-263CA

III. Características clave: Cinco ventajas fundamentales de laLas condiciones de los requisitos de seguridad de los equipos de seguridad de los equipos de seguridad de los equipos de seguridad.
1. Resistencia de encendido ultrabaja (RDS(encendido) = 80 mΩ)
El NVBG080N120SC1 presenta una resistencia de encendido típica tan baja como 80 mΩ, lo que reduce directamente la pérdida de potencia en el estado de encendido,permitir que el dispositivo funcione con una mayor eficiencia, minimizando al mismo tiempo la carga sobre la gestión térmicaEn comparación con los MOSFET o IGBT tradicionales basados en silicio, las propiedades de banda ancha del material SiC permiten que los dispositivos de la misma clasificación de voltaje logren una menor resistencia de encendido por unidad de área.que los hace especialmente adecuados para aplicaciones de conversión de potencia de alta eficiencia en plataformas de alto voltaje de 1200 V.
2. Carga de puerta ultrabaja (QG ((total) = 56 nC)
El NVBG080N120SC1 tiene una carga de puerta de solo 56 nC, lo que significa que la energía de accionamiento requerida durante el proceso de conmutación se reduce significativamente.Esto no sólo reduce la complejidad del diseño y el consumo de energía del circuito de accionamiento, sino que también permite velocidades de conmutación extremadamente altasLas frecuencias de conmutación más rápidas permiten al sistema reducir el tamaño de los componentes pasivos (como transformadores, inductores y condensadores),Mejora significativa de la densidad de potencia y reducción del coste global del sistema BOM.
3Baja capacidad de salida efectiva (Coss = 79 pF)
El NVBG080N120SC1 cuenta con una capacidad de salida típica tan baja como 79 pF, lo que ayuda a reducir la pérdida de energía durante el proceso de conmutación y mejora aún más la eficiencia de conmutación.Esta característica de baja capacidad, combinado con la capacidad de conmutación de alta frecuencia del material SiC, reduce efectivamente el componente de pérdida capacitiva en las pérdidas de conmutación,que lo hace particularmente adecuado para topologías como la conversión DC-DC de alta frecuencia y los circuitos resonantes LLC.
4Alta fiabilidad en ambientes adversos
El NVBG080N120SC1 ha sido sometido a pruebas de avalancha al 100% y ofrece una excelente inmunidad y robustez, lo que garantiza un funcionamiento estable en condiciones adversas.Con un amplio rango de temperaturas de funcionamiento entre -55°C y +175°C, puede funcionar de forma estable a largo plazo en entornos de temperaturas extremas.
5Ventajas sobresalientes a nivel del sistema
Basándose en las características eléctricas antes mencionadas, el NVBG080N120SC1 ofrece mejoras significativas de rendimiento a nivel del sistema:
Eficiencia máxima: la optimización integral de las bajas pérdidas de conducción y de conmutación permite al sistema alcanzar eficiencias máximas superiores al 98%;
Mayor densidad de potencia: las frecuencias de conmutación más altas permiten el uso de componentes magnéticos más pequeños y condensadores de filtro, lo que reduce significativamente el tamaño del sistema;
EMI reducido: las características de conmutación optimizadas y los procesos de envasado avanzados suprimen eficazmente las interferencias electromagnéticas;
Reducción del tamaño del sistema: las mejoras en la eficiencia general y la densidad de potencia resultan en una menor huella global del sistema y un diseño térmico simplificado.

IV. Escenarios de aplicación típicos para elLas condiciones de los requisitos de seguridad de los equipos de seguridad de los equipos de seguridad de los equipos de seguridad.
Cargadores a bordo de vehículos eléctricos (OBC): Aprovechando su alta tensión nominal y su alta eficiencia, se utiliza en la etapa de refuerzo PFC y la etapa de aislamiento CC-CC para mejorar la eficiencia de carga.
Convertidores de CC-CC de alto voltaje (EV/HEV): actuando como el dispositivo de conmutación principal, convierte el voltaje de la batería de alto voltaje (400V/800V) en voltaje de sistema de bajo voltaje (12V/48V).
Inversores fotovoltaicos y sistemas de almacenamiento de energía: Se utilizan en circuitos de refuerzo dentro de inversores de cuerda, utilizando altas frecuencias de conmutación para reducir el tamaño del inductor.
Fuentes de alimentación y UPS industriales: adecuadas para fuentes de alimentación de servidores de alta densidad de potencia y sistemas de alimentación ininterrumpida (UPS).

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