Suministro/Reciclaje Mingjiada Infineon AIMZA75R040M2H MOSFET de carburo de silicio (SiC) CoolSiC™ de 750 V para automoción
A medida que las demandas de eficiencia energética y densidad de potencia continúan aumentando en vehículos de nueva energía, puntos de carga y fuentes de alimentación industriales de alta gama, los dispositivos de potencia de carburo de silicio (SiC) están reemplazando gradualmente a los dispositivos tradicionales basados en silicio. El AIMZA75R040M2H, un MOSFET CoolSiC™ de grado automotriz de 750 V, se ha convertido en la opción preferida para numerosos diseños exigentes de electrónica de potencia gracias a su excepcional rendimiento de conmutación, estabilidad a alta temperatura y fiabilidad.
Shenzhen Mingjiada Electronics Co., Ltd. — un proveedor y reciclador de larga data de dispositivos de potencia de carburo de silicio (SiC) de grado automotriz como el AIMZA75R040M2H — ofrece productos genuinos y originales, disponibilidad en stock y servicios de reciclaje de stock excedente, ayudando a las empresas de vehículos de nueva energía y fuentes de alimentación industriales a reducir costos y mejorar la eficiencia.
AIMZA75R040M2H Descripción general del producto
El AIMZA75R040M2H es un MOSFET de carburo de silicio (SiC) de grado automotriz de 750 V desarrollado por Infineon basado en la tecnología de zanjas CoolSiC™ de segunda generación. Se presenta en un encapsulado PG-TO247-4 (4 pines con patilla asimétrica), con una resistencia en encendido (on-resistance) típica de 40 mΩ y una corriente de drenador continua de 40 A (a 25°C). El dispositivo cuenta con la certificación de grado automotriz AEC-Q101, opera dentro de un rango de temperatura de unión de –55°C a 175°C, y ofrece alta fiabilidad, bajas pérdidas de conmutación y excelente resistencia a la conducción parásita. Está diseñado específicamente para sistemas de alto voltaje automotrices y fuentes de alimentación de alta eficiencia.
Número de pieza: AIMZA75R040M2H
Tensión drenador-fuente (VDS): 750 V, adecuado para sistemas de baterías de 400 V a 800 V
Resistencia en encendido: Rds(on) = 40 mΩ (Tj = 25 °C)
Corriente de drenador continua (ID): 40 A
Resistencia en encendido (RDS(on)): Valor típico 40 mΩ (a VGS = 18 V), reduciendo las pérdidas por resistencia en encendido
Encapsulado: PG-TO247-4, con pin de fuente Kelvin, optimizando el circuito de control y minimizando las oscilaciones de conmutación
Temperatura de unión de operación (Tj): Hasta 175 °C, cumpliendo con estrictos requisitos de gestión térmica.
Beneficios clave del producto (AIMZA75R040M2H)
Tecnología de zanjas CoolSiC™ de segunda generación: En comparación con las estructuras planas, el diseño de zanjas reduce la resistencia en encendido y las pérdidas de conmutación, al tiempo que mejora la densidad de potencia.
Encapsulado de cuatro pines PG-TO247-4: Un pin de fuente de control dedicado reduce la inductancia parásita del encapsulado, mejora el rendimiento de conmutación de alta velocidad y suprime el ringing y las EMI.
Alta robustez dv/dt (hasta 200 V/ns): Adecuado para topologías de conmutación dura y suave, lo que lo hace ideal para aplicaciones de alta frecuencia.
Excelentes productos RDS(on) × Qoss y RDS(on) × Qg: Ofrece un rendimiento de eficiencia líder en la industria en la clase de 750 V.
Alta tensión umbral de puerta (VGS(th) típicamente 5.6 V): Fuerte inmunidad a interferencias, reduciendo el riesgo de conducción parásita.
Aplicaciones típicas para el AIMZA75R040M2H
Vehículos de nueva energía (EV/HEV): Cargadores a bordo (OBC), convertidores DC-DC de alto voltaje, inversores auxiliares, interruptores de protección/desconexión de batería.
Infraestructura de carga: Módulos de carga rápida DC, etapas de potencia de estaciones de carga AC.
Industria y Energía: Inversores fotovoltaicos, Sistemas de Almacenamiento de Energía (ESS), fuentes de alimentación conmutadas (SMPS) para telecomunicaciones y servidores, relés de estado sólido, UPS.
Distribución de energía de alto voltaje y disyuntores: Disyuntores inteligentes, interruptores de estado sólido de alto voltaje.
Mingjiada Electronics: AIMZA75R040M2H – Suministro y reciclaje integral
Shenzhen Mingjiada Electronics Co., Ltd. – un distribuidor independiente de componentes electrónicos de renombre mundial – ha estado suministrando y reciclando durante mucho tiempo los MOSFET CoolSiC™ de grado automotriz de Infineon, incluyendo, entre otros, el AIMZA75R040M2H, AIMZA75R050M2H, AIMZA75R060M2aH, AIMBG75R040M2H y otros modelos de la serie SiC de 750V/1200V.
Servicios de Suministro:
Proporcionamos stock genuino y nuevo, admitiendo tanto muestras de lotes pequeños como compras de gran volumen;
Nuestro inventario cubre dispositivos de potencia de grado automotriz convencionales, con entrega rápida respaldada por una logística eficiente.
Servicios de Reciclaje:
Ofrecemos reciclaje de alto valor de stock excedente de fábrica, materiales en exceso y modelos descatalogados;
Pruebas y evaluación profesional, con procesos transparentes y conformes, ayudando a los clientes a optimizar el inventario y recuperar capital;
Nuestro alcance de reciclaje cubre dispositivos de potencia y circuitos integrados de marcas líderes como Infineon, TI, ST, NXP y ADI.
Para más información sobre el Infineon AIMZA75R040M2H – MOSFET de carburo de silicio CoolSiC™ de grado automotriz de 750V, para comprar muestras o consultar precios de recompra, visite el sitio web de Mingjiada Electronics (https://www.integrated-ic.com/) para más detalles de oferta y demanda.
Persona de Contacto: Mr. Sales Manager
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