Blog de la compañía Módulos de potencia IGBT Mingjiada Supply/Recycle Starpower GD75PFX170C6SG 1700V/75A

Mingjiada Supply/Recycle Starpower es una empresa de energía nuclear.GD75PFX170C6SG: el número de unidades y el número de unidades.Modulos de energía IGBT de 1700 V/75 A

ElGD75PFX170C6SG: el número de unidades y el número de unidades.es un módulo de potencia IGBT de 1700V/75A fabricado por Starpower Semiconductor (STARPOWER).
Información básica:
Modelo:GD75PFX170C6SG: el número de unidades y el número de unidades.
Marca: Starpower (Semiconductores de Starpower)
Tipo de dispositivo: rectificador trifásico PIM + módulo de potencia IGBT integrado con inversor
Especificaciones nominales: 1700V / 75A
Tipo de envase: envase C6
Topología del circuito: puente rectificador trifásico + puente inversor trifásico (solución integrada PIM)

Resumen del producto
ElGD75PFX170C6SG: el número de unidades y el número de unidades.utiliza tecnología de chips IGBT de trinchera e integra diodos de recuperación suave de ruedas libres; está clasificado como un módulo de potencia de media a alta tensión de grado industrial.El módulo utiliza un sustrato DBC (Copper-Clad Laminate) con una base de cobre aislada integrada y un diseño de carcasa de baja inductancia, optimizando el equilibrio entre las pérdidas de conducción, las pérdidas de conmutación y la capacidad de resistencia al cortocircuito.

Características clave de laGD75PFX170C6SG: el número de unidades y el número de unidades.
IGBT de zanja, baja caída de voltaje de saturación VCE (sat), excelentes pérdidas de conducción
Capacidad para resistir un cortocircuito de 10 μs, proporcionando un amplio margen para el diseño del sistema de protección contra el cortocircuito
VCE (sat) presenta un coeficiente de temperatura positivo, lo que facilita el intercambio de corriente en configuraciones paralelas de varios dispositivos
Temperatura máxima admisible de unión Tjmax = 175 °C
Diodo de recuperación suave rápido para suprimir los picos de voltaje
Substrato de cobre aislado DBC, aislamiento resistente a la tensión de 4000 V (50 Hz, 1 min)
Casas con baja inductancia parasitaria para reducir las oscilaciones de conmutación y EMI

GD75PFX170C6SG: el número de unidades y el número de unidades.Especificaciones eléctricas máximas (TC = 25°C)
VCES (voltado de resistencia del colector emisor): 1700 V
VGES (tensión de la puerta emisora): ±20 V
IC (corriente continua del colector): 75 A
Rango de temperatura de las uniones de funcionamiento: -40°C a +150°C
Temperatura de almacenamiento: -40°C a +125°C

GD75PFX170C6SG: el número de unidades y el número de unidades.Características clave
Baja caída de voltaje en estado: utiliza la tecnología IGBT Trench-FS (Trench-Field-Stop).
Capacidad para soportar cortocircuitos: Capaz de soportar cortocircuitos durante 10 μs.
Coeficiente de temperatura positivo: VCE(sat) tiene un coeficiente de temperatura positivo, lo que facilita el funcionamiento paralelo.
Alta temperatura de funcionamiento: temperatura máxima de unión de hasta 175°C.
Paquete de baja inductancia: presenta un diseño de paquete de baja inductancia.
Diodo de recuperación rápida: integra un diodo de recuperación rápida y suave antiparallel (FWD).
Alto aislamiento: utiliza un sustrato de cobre aislado con tecnología DBC (Direct Bonded Copper), que ofrece un excelente rendimiento térmico y aislante.

ElGD75PFX170C6SG: el número de unidades y el número de unidades.se utiliza principalmente en los siguientes campos:
Conversores de frecuencia con motor
Los demás aparatos para la fabricación de máquinas de la partida 8471
Fuentes de alimentación ininterrumpidas (UPS)

ElGD75PFX170C6SG: el número de unidades y el número de unidades.es un módulo de alimentación IGBT lanzado por Jiaxing Starpower (STARPOWER), que utiliza un paquete C6 y tecnología de chip Trench Field-Stop (Trench FS) de baja pérdida.El módulo integra un puente rectificador de tres fases, una unidad de frenado y un inversor trifásico, lo que lo convierte en un PIM (Módulo Integrado de Potencia) altamente integrado.

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