Blog de la compañía Mingjiada suministro ROHM Nitruro de galio dispositivos de energía, suministro GaN HEMT y GaN HEMT Power Stage IC

Mingjiada suministro ROHM Nitruro de galio dispositivos de energía, suministro GaN HEMT y GaN HEMT Power Stage IC

La Comisión consideró que los importes procedentes de China no constituían ayuda estatal en el sentido del artículo 2 del Reglamento de base.¢ Proveedor a largo plazo de dispositivos de alimentación GaN [ROHM], incluidos: GaN HEMT, GaN HEMT power stage IC, GaN gate drivers y otros productos.Mingjiada Electronics tiene una amplia gama de modelos convencionales y admite muestras de pequeños lotes y pedidos de gran volumen.Con el respaldo de un sistema logístico eficiente, garantizamos una rápida entrega de productos.

I. Cascos de protección contra el ruido
1. 150V GaN HEMT
ROHM ha aumentado con éxito el voltaje nominal máximo de la fuente de puerta a 8V, lo que hace que estos productos sean ideales para una amplia gama de equipos industriales, incluidas las estaciones base y los centros de datos.
2. 650V GaN HEMT
Como dispositivo GaN de 650 V, alcanza una Figura de Mérito (FOM) líder en la industria, lo que ayuda a mejorar la eficiencia del suministro de energía al tiempo que reduce significativamente las pérdidas de conmutación,permitiendo así una mayor eficiencia en varios sistemas de suministro de energía.
Los modelos recomendados por Mingjiada Electronics:
PNB3120TJ-Z
GNP3070TEC-Z
PNB3050TEC-Z
GNP3040TEC-Z
PNB3018TF-Z

II. IC de etapa de potencia GaN HEMT
GaN HEMT Power Stage IC de ROHM® proporciona una solución ideal para varios sistemas de electrónica de potencia que requieren una alta densidad de potencia y eficiencia.Estos productos integran dispositivos de potencia GaN HEMT de próxima generación con controladores de puertas optimizados para maximizar el rendimiento de los GaN HEMTApoyan un amplio rango de voltaje de entrada de 2,5 V a 30 V y pueden utilizarse junto con varios circuitos integrados de controladores.Estas características y ventajas les permiten reemplazar los interruptores de alimentación discretos tradicionales como los MOSFET de superunión.
Mingjiada Electronics recomienda los modelos:
Se trata de un sistema de control de las emisiones de gases de escape.
Se trata de un sistema de control de las emisiones de gases de escape.
Se trata de un sistema de control de las emisiones de gases de escape.

III. Conductores de puertas para GaN
Gracias a su capacidad de conmutación de alta velocidad, los dispositivos GaN son ideales para aplicaciones de ahorro de energía y miniaturización.
Los controladores de puertas GaN de ROHM® están diseñados para maximizar el rendimiento de conmutación de alta velocidad de estos dispositivos y simplificar el diseño al lograr retrasos de propagación cortos y anchos de pulso estrechos.
Los modelos recomendados por Mingjiada Electronics:
BM6GD11BFJ-LB Voltado de aislamiento de 2500 Vrms, controlador de puerta de 1 canal, que proporciona aislamiento de corriente para GaN HEMT

Para obtener más información sobre los dispositivos de potencia de GaN [ROHM] o para consultar los precios de las muestras, visite el sitio web de Mingjiada Electronics (El objetivo de la presente Decisión es garantizar que los Estados miembros cumplan los requisitos establecidos en el presente Reglamento.) para obtener más detalles sobre el suministro.