Blog de la compañía Transistores MOSFET de potencia N-canal de 30 V

Está encendidoSe aplicará el procedimiento siguiente:Transistores MOSFET de potencia de canal N de 30 V

Shenzhen Mingjiada Electronics Co., Ltd. y sus subsidiariasComo distribuidor profesional de componentes electrónicos, ofrece un transistor MOSFET de potencia N-canal de 30V NTMFS4925NT1G de alto rendimiento.Se aplicará el procedimiento siguiente:El transistor MOSFET se utiliza ampliamente en la conmutación de fuentes de alimentación, motores y amplificación de potencia con su excelente eficiencia y capacidad de manejo de energía.

Resumen del productoSe aplicará el procedimiento siguiente:
El NTMFS4925NT1G es un MOSFET de potencia de canal N de 30 V diseñado con tecnología MOSFET avanzada y optimizado para aplicaciones de conversión y conmutación de energía de alta eficiencia.

Parámetros técnicos clave de laSe aplicará el procedimiento siguiente:incluyen:
Válvula de tensión nominal: 30 V de tensión de descarga a la fuente (VDSS) para escenarios de aplicación de baja tensión de alta eficiencia
Resistencia encendida: muy baja RDS ((on), el valor típico es de solo 4,9mΩ@VGS=10V, reduce significativamente la pérdida de resistencia
Capacidad de corriente: corriente de escape continua (ID) de hasta 60A, corriente pulsada de hasta 240A
Carga de la puerta: 48nC carga total de la puerta (Qg) para aplicaciones de conmutación de alta frecuencia
Paquete: el paquete de montaje de superficie DFN5 (5x6 mm) optimiza el rendimiento térmico y ahorra espacio en PCB
Temperatura de funcionamiento: amplio rango de temperatura de -55°C a +175°C para ambientes hostiles

ElSe aplicará el procedimiento siguiente:ofrece ventajas significativas en términos de densidad de potencia y eficiencia sobre los productos de la competencia.mientras que las características optimizadas del accionamiento de la puerta reducen las pérdidas de conmutación, lo que resulta en una mejora de la eficiencia general del sistema.

Características de laSe aplicará el procedimiento siguiente:
Baja RDS ((on) para minimizar las pérdidas de conducción
Baja capacidad para minimizar las pérdidas del conductor
Optimización de las tarifas de puertas para minimizar las pérdidas de conmutación
Optimizado para conductores de puertas de 5 V y 12 V
El dispositivo NTMFS4925NT1G no contiene Pb, halógenos ni retardantes de llama bromados y cumple los requisitos de RoHSC.

Se aplicará el procedimiento siguiente:Áreas de aplicación
Los MOSFET de potencia N-canal de 30 V NTMFS4925NT1G desempeñan un papel clave en varias aplicaciones electrónicas gracias a sus excelentes parámetros de rendimiento.

Sistemas de gestión de energía:
Para convertidores CC-CC y módulos de regulación de voltaje (VRM)
Diseños de fuentes de alimentación para servidores, estaciones de trabajo y dispositivos informáticos de gama alta
Aplicaciones de rectificación síncrona de alta eficiencia para mejorar la eficiencia de conversión de potencia
Conversores de punto de carga (POL) para proporcionar voltajes precisos para varios circuitos integrados

Motor de accionamiento y controles:
Dispositivos de transmisión de motores de corriente continua sin escobillas (BLDC) para drones y robots
Control de servomotores para equipos de automatización industrial
Conmutación de energía de alta eficiencia para herramientas eléctricas
Circuitos de accionamiento para sistemas auxiliares de automóviles (por ejemplo, ventanas eléctricas, ajuste del asiento)

Aplicaciones en electrónica de consumo:
Gestión de energía para ordenadores portátiles y tabletas
Conductores LED de alta corriente y control de atenuación
Conmutadores de alta eficiencia para dispositivos portátiles
Diseño de la etapa de salida para amplificadores de potencia de audio

Otras áreas especializadas:
Control de carga y descarga en los sistemas de gestión de baterías (BMS)
Optimizadores de potencia para sistemas de energía solar
Distribución de energía para infraestructuras de telecomunicaciones
Interruptores de alimentación para equipos de automatización industrial