Blog de la compañía El módulo de carburo de silicio del semiconductor NXH007F120M3F2PTHG EliteSiC, 7 Ohm SiC M3S MOSFET, 1200 V

Shenzhen Mingjiada Electronics Co., Ltd reciclaje a largo plazo en módulo de carburo de silicio semiconductor NXH007F120M3F2PTHG EliteSiC, 7 Ohm SiC M3S MOSFET, 1200 V, topología de puente completo de 4 paquetes,Paquete F2

Introducción

El NXH007P120M3F2PTHG es un módulo de alimentación en un paquete F2 que contiene un puente completo MOSFET SiC de 7 mohm / 1200 V y un termistor con HPS DBC.Los interruptores SiC MOSFET son accionados por puertas de 18V-20V utilizando tecnología M3S.

Características

FOM excepcional [ = Rdson * Eoss ]

Accionamiento de puertas de 15 V a 18 V

7 Ohm / 1200 V M3S SiC MOSFET Puente completo

Aplicaciones

Conversión de CC a CA

Conversión de CC a CC

Conversión CA-CC

NXH007F120M3F2PTHG Esquema

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