Está encendidoSe trata de un sistema de control de las emisiones de gases de escape.Transistores MOSFET de potencia de carburo de silicio de canal N de 1200 V
Shenzhen Mingjiada Electronics Co., Ltd., también conocida como Shenzhen Mingjiada Electronics Co., Ltd.,Como distribuidor independiente de componentes electrónicos de renombre mundial, ofrece la disponibilidad inmediata de ON SemiconductorSe trata de un sistema de control de las emisiones de gases de escape.Transistor MOSFET de potencia de carburo de silicio de canal N de 1200 V. Con una configuración única de puerta común de fuente común y un rendimiento de conmutación excepcional,Proporciona una solución ideal para los sistemas modernos de conversión de energía.
¢Características clave e innovaciones técnicas de laSe trata de un sistema de control de las emisiones de gases de escape.¿Qué quieres decir?
El UJ3C120080K3S es un MOSFET de alto rendimiento que utiliza tecnología avanzada de carburo de silicio, con varias características técnicas notables.este dispositivo demuestra un rendimiento excepcional en alta tensión, aplicaciones de alta potencia.
La ventaja más destacada de laSe trata de un sistema de control de las emisiones de gases de escape.se basa en su capacidad de resistir a la alta tensión de 1200 V, combinada con una resistencia de encendido excepcionalmente baja de sólo 80 mΩ. Esto reduce significativamente las pérdidas de conducción en aplicaciones de alta tensión,mejorar la eficiencia general del sistema.
En cuanto al rendimiento de conmutación, el UJ3C120080K3S admite un funcionamiento de alta frecuencia con una corriente de escape continua de hasta 33A,que lo hace especialmente adecuado para aplicaciones que exigen una alta densidad de potencia.
ElSe trata de un sistema de control de las emisiones de gases de escape.emplea una innovadora configuración de fuente común y puerta común, que integra un JFET SiC avanzado con un MOSFET de silicio especialmente optimizado dentro de un solo paquete.Este diseño combina ingeniosamente las fortalezas de ambas tecnologías: que permite el funcionamiento en condiciones normales de apagado y las características de accionamiento de puertas sencillas, manteniendo al mismo tiempo la alta eficiencia, velocidad y capacidad de alta temperatura inherentes del material SiC.
En comparación con los MOSFET convencionales basados en silicio o IGBT, este MOSFET SiC demuestra múltiples ventajas significativas.reduce eficazmente las pérdidas de conducción.
ElSe trata de un sistema de control de las emisiones de gases de escape.admite frecuencias de conmutación más altas, lo que permite a los diseñadores reducir el tamaño de los componentes magnéticos y dispositivos pasivos dentro del sistema, logrando así una mayor densidad de potencia.
El UJ3C120080K3S integra aún más las funciones de protección de ESD y puerta, ofreciendo una mayor confiabilidad.Su amplio rango de temperaturas de operación de -55°C a +175°C lo hace adecuado para entornos de alta temperaturaAdemás, presenta un rendimiento excepcional del diodo del cuerpo (caída de voltaje hacia adelante < 2V) y excelentes características de recuperación inversa.
Otra ventaja significativa de la tecnología de carburo de silicio es su carga de recuperación inversa excepcionalmente baja (Qrr) de sólo 10nC,que ayuda a reducir las pérdidas de conmutación y mejora la respuesta de frecuencia del sistema.
¢Parámetros clave de rendimiento detallados deSe trata de un sistema de control de las emisiones de gases de escape.¿Qué quieres decir?
Capacidad de alta tensión: tensión nominal de descarga (Vdss) de 1200V, adecuada para aplicaciones de alta tensión como sistemas industriales trifásicos e inversores fotovoltaicos
Capacidad de alta corriente: corriente de drenaje continua (Id) hasta 33A a 25°C
Bajas pérdidas en estado activo: Resistencia máxima a la fuente de drenaje de sólo 80 a 100 mΩ (probada a 20 A, 12 V)
Características de conmutación rápida: tiempo de subida y tiempo de caída de 14 ns, retraso típico de encendido de 22 ns, retraso de apagado de 61 ns
Carga de la puerta optimizada: la carga de la puerta (Qg) de sólo 51nC@15V minimiza las pérdidas de accionamiento
Estos parámetros en conjunto forman la base del rendimiento excepcional del UJ3C120080K3S, lo que permite un funcionamiento excepcional en aplicaciones de conversión de potencia de alta eficiencia.En comparación con los MOSFET de superunión a base de silicio de especificaciones equivalentes, reduce las pérdidas de conmutación hasta en un 80%, mejorando significativamente la eficiencia del sistema.
¿Qué quieres decir?Se trata de un sistema de control de las emisiones de gases de escape.La extensa cobertura de aplicaciones
En el sector de los vehículos de nueva energía, este dispositivo puede utilizarse en cargadores integrados, motores de accionamiento y convertidores CC-CC, lo que contribuye a mejorar la autonomía y la eficiencia de carga de los vehículos eléctricos.
La generación de energía fotovoltaica y las aplicaciones de redes inteligentes también se benefician del alto rendimiento de este MOSFET de carburo de silicio.Se trata de un sistema de control de las emisiones de gases de escape.mejora la eficiencia de la conversión de energía, garantizando al mismo tiempo un funcionamiento estable y fiable de los equipos de transmisión y distribución de energía.
Para aplicaciones de alimentación industrial, el UJ3C120080K3S es adecuado para la conversión de potencia de alta eficiencia y el control del motor,satisfacer las exigencias estrictas de la automatización industrial para la densidad de potencia y la eficiencia energéticaIncluso dentro del sector del transporte ferroviario, este dispositivo puede ser desplegado en inversores de tracción y sistemas de potencia auxiliares para satisfacer las altas demandas de fiabilidad.
En comparación con los dispositivos de energía tradicionales basados en silicio, elSe trata de un sistema de control de las emisiones de gases de escape.reduce significativamente el tamaño y el peso del sistema en estas aplicaciones, al tiempo que mejora la eficiencia energética general, proporcionando ventajas competitivas para los productos finales.
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