ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd. El blog

Adquisición de chips LM53602AQPWPRQ1 Adquisición de chips LM53602-Q1 Reguladores de conmutación DC DC Descripción del producto de LM53602AQPWPRQ1 LM53602AQPWPRQ1 es CI de regulador de conmutación reductor, ajuste positivo, 3,3 V, 1 salida, 2 A, 16-TSSOP (0,173", 4,40 mm de ancho) almohadilla ... Leer más

Módulo 5G SIM8262A-M2 Módulo 5G Sub-6G M.2 compatible con 5G NR Descripción del productoSIM8262A-M2 es un nuevo módulo multibanda 5G NR/LTE-FDD/LTE-TDD/HSPA+ compatible con R16 5G NSA/SA.El módulo SIM8262A-M2 tiene una gran capacidad de extensión con abundantes interfaces que incluyen PCIe, USB3.1, ... Leer más

Chip IC EP3C25F324C8N EP3C25 Conjunto de puerta programable de campo FBGA324 Descripción del producto de EP3C25F324C8N EP3C25F324C8N Admite estándares de E/S como LVTTL, LVCMOS, SSTL, HSTL, PCI, PCI-X, LVPECL, bus LVDS (BLVDS), LVDS, mini-LVDS, RSDS y PPDS.EP3C25F324C8N Admite la función de ... Leer más

Adquisición Módulo 5G Módulo de comunicación 5G multibanda SIM8262E-M2 Descripción del productoEl SIM8262E-M2 es el módulo multibanda 5G NR/LTE-FDD/LTE-TDD/HSPA+ compatible con R16 5G NSA/SA. El SIM8262E-M2 adopta el factor de forma M2. Beneficios del productoInterfaz estándar M.2Comunicación de ... Leer más

TPS79333DBVRQ1 Reguladores lineales de 200 mA de baja caída de ruido ultrabajo, alto PSRR, RF rápido Descripción El TPS79333DBVRQ1 es un regulador de voltaje lineal de baja potencia y baja caída (LDO) que presenta una alta relación de rechazo de la fuente de alimentación (PSRR), ruido ultrabajo, ... Leer más

AdquisiciónChip IC MKV10Z128VLH7 MKV10Z128 75MHz Microcontrolador IC tipos de adquisiciones Compramos los diversos componentes electrónicos y excedentes de IC, que incluyen (pero no se limitan a): IC 5G, IC de nueva energía, IC de Internet de las cosas, IC de Bluetooth, IC de Internet de vehículos, ... Leer más

Arsenal de puerta programable del campo LCMXO2-4000HC-4BG256C LCMXO2-4000 FPGA IC LFBGA256 Descripción de producto LCMXO2-4000HC-4BG256C se diseña en un proceso permanente de la energía baja de 65 nanómetro. La arquitectura del dispositivo tiene varias características tales como oscilación bajo ... Leer más