Shenzhen Mingjiada Electronics Co., Ltd. suministra y recicla el QorvoEl número de datos que se han recogido.24Un transformador de haz de doble polarización basado en silicio de.25 GHz a 27.5 GHz.
- ¿ Qué?El número de datos que se han recogido.Resumen del producto
ElEl número de datos que se han recogido.es el chip CMOS de doble polarización de cuatro núcleos de tercera generación basado en silicio de Qorvo, diseñado específicamente para sistemas de matriz de fase de onda milimétrica n258 de banda 5G (24,25 GHz 27,5 GHz).Se trata de un proyecto de, circuito integrado de formación de haz de RF de alto rendimiento y libre de calibración.Este dispositivo supera las limitaciones de las arquitecturas tradicionales de dispositivos de onda milimétrica al integrar el control completo de fase y ganancia, así como funciones de conmutación de transmisión/recepción. No requiere circuitos de correspondencia o módulos de calibración adicionales y puede integrarse directamente con matrices de antenas de doble polarización,simplificar significativamente el proceso de diseño de los sistemas de antena activa de onda milimétrica 5G, reduciendo al mismo tiempo el tamaño del equipoEs ampliamente aplicable a escenarios como las estaciones base de onda milimétrica 5G, los terminales y las comunicaciones punto a punto.
Como solución de formación de haces a base de silicio comercializada, laEl número de datos que se han recogido.se distingue de los dispositivos compuestos como GaAs y GaN. Aprovechando las ventajas de alta integración, alta consistencia y bajo costo de los procesos CMOS, it retains the core performance characteristics of third-generation chips—high linear power and low noise—whilst being compatible with the digital pins and control protocols across the entire range of 5G millimetre-wave frequency bands, ofreciendo una excepcional versatilidad y escalabilidad de la plataforma.
II. Principales características y ventajas técnicas de laEl número de datos que se han recogido.
1Adaptación de banda precisa, compatible con las normas 5G
ElEl número de datos que se han recogido.El rango de frecuencias de operación nominal se extiende entre 24,25 GHz y 27,5 GHz, lo que coincide plenamente con la banda n258 de onda milimétrica comercial 5G definida por 3GPP.cumple los requisitos para un ancho de banda elevado, de alta velocidad de transmisión 5G de onda milimétrica y es compatible con las especificaciones de despliegue de redes 5G de onda milimétrica nacionales y globales.sin pérdida de adaptación a la banda de frecuencias y con una utilización del espectro extremadamente elevada.
2. Arquitectura de doble polarización y cuatro canales con una fuerte escalabilidad de la matriz
ElEl número de datos que se han recogido.utiliza una arquitectura de doble polarización de 4 × 2, con ocho puertos de antena y dos puertos de polarización compartidos, y puede interfacerse simultáneamente con cuatro conjuntos de unidades de antena de doble polarización,soporte para el procesamiento paralelo de señales polarizadas horizontales y verticalesEsto resuelve completamente el problema de la capacidad de multiplexación de polarización insuficiente asociada con la formación de haz de polarización simple.soporte de control independiente del haz para los cuatro elementos radiantesAl combinar varias fichas,Los sistemas de antenas de matriz en fase a gran escala pueden construirse para adaptarse de manera flexible a los requisitos de los equipos de comunicación con diferentes niveles de ganancia y rangos de cobertura..
3Transmisión y recepción integradas de medio dúplex, arquitectura de sistema minimalista
ElEl número de datos que se han recogido.soporta un modo de operación de conmutación de transmisión/recepción (Tx/Rx) semi-duplex, lo que permite que un solo chip maneje tanto las funciones de transmisión de señal como las de recepción,por el que se elimina la necesidad de chips de formación de haz separados para la transmisión y recepciónUna sola matriz de antenas puede realizar la transmisión y recepción de señales en una base de división de tiempo, racionalizando significativamente la cadena de RF front-end, reduciendo el número de componentes,y reducir el consumo de energía y los requisitos de espacio del dispositivo, por lo que es ideal para diseños de antenas activas de onda milimétrica compactas.
4Diseño libre de calibración, alta estabilidad de producción en masa
ElEl número de datos que se han recogido.Incorpora la tecnología Zero-Cal® de Qorvo® sin calibración, calibrada en fábrica para una fase y ganancia precisas.eliminando la necesidad de circuitos de depuración o calibración externos para usuarios secundarios, abordando así por completo los problemas asociados con los chips tradicionales de formación de haz de onda milimétrica, a saber, la calibración de lotes engorrosas y la mala consistencia.Las desviaciones de fase y ganancia entre los canales del chip son extremadamente bajas, garantizando una precisión de apuntar el haz de luz y una excelente consistencia en la producción en serie, lo que mejora significativamente la eficiencia de producción del equipo y la estabilidad de la red.
5- Actualización de rendimiento del chip de tercera generación con excelentes especificaciones de RF
En comparación con los productos de la segunda generación de la misma serie, elEl número de datos que se han recogido.Presenta mejoras integrales en el rendimiento de la RF central, ofreciendo una mayor potencia de salida lineal y una menor cifra de ruido recibido,mejora eficazmente el rango de transmisión de la señal de onda milimétrica y la resistencia a las interferenciasAdemás, la configuración de los pines del chip y el protocolo de control digital son compatibles con toda la gama de dispositivos de formación de haz de onda milimétrica de tercera generación de Qorvo.garantizar una gran reutilización de la plataforma y permitir una rápida iteración y actualización de las soluciones de productos.
III. Principales especificaciones técnicas de lasEl número de datos que se han recogido.
- Banda de frecuencias de operación: 24,25 GHz ¢ 27,5 GHz (n258 banda estándar 3GPP)
- Configuración arquitectónica: Cuádruple núcleo con cuatro elementos radiantes, doble polarización (horizontal + vertical), arquitectura de 4×2 canales
- Modo de funcionamiento: conmutación de división temporal Tx/Rx semi-duplex; compatibilidad con una sola antena tanto para la transmisión como para la recepción
- Funciones básicas: admite control de fase de alta precisión, compensación de ganancia dinámica y escaneo rápido del haz
- Tecnología de calibración: Mecanismo incorporado sin calibración Zero-Cal®; no se requiere calibración externa
- Proceso de fabricación: Proceso CMOS comercial basado en silicio; alta integración, bajo costo y alta consistencia
- Compatibilidad: plataforma de chips de onda milimétrica de tercera generación; totalmente compatible con los dispositivos de la misma serie en términos de pin-out y control digital
IV. Principales características de laEl número de datos que se han recogido.Diseño arquitectónico
El AWMF-0165 emplea una arquitectura de un solo chip altamente integrada, incorporando todos los componentes necesarios para la formación de haz, incluyendo cambios de fase, amplificadores de ganancia, interruptores de transmisión/recepción,módulos de control lógico y de calibración en un solo chip, eliminando la necesidad de circuitos auxiliares periféricos.mientras que dos puertos comunes de polarización permiten el procesamiento síncrono de señales de doble polarización, garantizando un alto aislamiento del canal y una mínima interferencia de polarización.
Por otra parte, elEl número de datos que se han recogido.El chip admite una respuesta rápida de dirección de haz, cumpliendo con los requisitos de seguimiento y entrega de haz de escenarios móviles de alta velocidad en redes de onda milimétrica 5G.Aborda eficazmente los puntos débiles de la industria asociados con las señales de onda milimétrica, como la alta pérdida de propagación, su susceptibilidad a las obstrucciones y su cobertura limitada, garantizando así la estabilidad y continuidad de los enlaces de comunicación.El chip posee una excelente adaptabilidad a la temperatura y cuenta con un mecanismo de compensación de la ganancia de temperatura incorporado., que no garantiza una degradación significativa del rendimiento de RF en condiciones de alta o baja temperatura,haciendo que sea adecuado para entornos operativos exigentes como estaciones base al aire libre y terminales industriales.
V. Principales escenarios de aplicación para elEl número de datos que se han recogido.
1. 5G Estaciones base de comunicación de onda milimétrica
ElEl número de datos que se han recogido.es compatible con las unidades de antena activa (AAU) para las estaciones base macro y micro 5G que operan en la banda n258.consigue una cobertura espacial precisa y un seguimiento dinámico del haz del usuario, mejorando así la eficiencia de la reutilización del espectro y el rendimiento de las células para satisfacer los requisitos de redes de alta velocidad y baja latencia de 5G.
2. Terminals de onda milimétrica y terminales industriales
ElEl número de datos que se han recogido.puede utilizarse en CPEs 5G, pasarelas industriales, terminales de transmisión de vídeo de alta definición y equipos de comunicación de onda milimétrica en vehículos.,permite un control eficiente del haz en un espacio limitado del dispositivo, mejorando la sensibilidad de recepción de la señal terminal y la potencia de transmisión.
3Sistemas de comunicación de onda milimétrica punto a punto
ElEl número de datos que se han recogido.es adecuado para el transporte de ondas milimétricas de punto a punto en exteriores y equipos de puente inalámbrico.Reduce las interferencias de enlace y mejora la estabilidad y el ancho de banda máximo de la transmisión inalámbrica a larga distancia, satisfaciendo los requisitos de escenarios como el backhaul de la estación base, las redes privadas del campus y las comunicaciones inalámbricas industriales.
VI. Resumen de las propuestas de la ComisiónEl número de datos que se han recogido.
El QorvoEl número de datos que se han recogido.es un chip de formación de haz de doble polarización basado en silicio optimizado para la banda n258 de onda milimétrica 5G. Aprovecha procesos CMOS de alta integración, una arquitectura de cuatro canales de doble polarización,un diseño libre de calibración y un rendimiento de RF superior, aborda eficazmente los puntos débiles asociados con los dispositivos tradicionales de formación de haz de onda milimétrica, como la baja integración, la depuración compleja, los altos costos y la mala consistencia.Su principal ventaja es la funcionalidad integrada de los transceptores, el escaneo rápido del haz y la alta compatibilidad lo convierten en un componente clave en los sistemas de comunicación de matriz en fase de onda milimétrica 5G.El proyecto de investigación en el ámbito de la salud, desarrollo y producción en serie de diversos dispositivos de comunicación inalámbrica de onda milimétrica.
¡Su mensaje debe tener entre 20 y 3.000 caracteres!
Spanish
