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Reciclar productos GaN de MACOM: MMICs de GaN, Amplificadores de potencia de GaN

Shenzhen Mingjiada Electronics Co., Ltd.,como proveedor líder de servicios de reciclaje de componentes electrónicos en China, aprovecha su amplia experiencia en la industria y su red global de reciclaje para ofrecer servicios de reciclaje profesionales, ayudando a los clientes a optimizar los activos de inventario y mejorar el flujo de caja.

Los productos reciclados incluyen:chips 5G, ICs de nueva energía, ICs de IoT, ICs de Bluetooth, ICs de redes vehiculares, ICs de grado automotriz, ICs de comunicación, ICs de inteligencia artificial, etc. Además, la empresa suministra ICs de memoria, ICs de sensores, ICs de microcontroladores, ICs de transceptores, ICs de Ethernet, chips WiFi, módulos de comunicación inalámbrica, conectores y otros componentes electrónicos.

Proceso de reciclaje:

1. Consulta: Si tiene componentes electrónicos de inventario que necesitan ser desechados, puede enviar un correo electrónico con una lista de los ICs/módulos que desea vender.

2. Reciclaje in situ: Nuestra empresa enviará personal profesional para recoger sus componentes electrónicos de inventario in situ y realizar pruebas y clasificación preliminares de los componentes.

3. Cotización: La empresa proporcionará un precio de reciclaje correspondiente en función de factores como el tipo, la cantidad y la calidad de los componentes reciclados.

4. Liquidación: Si ambas partes llegan a un acuerdo, se pueden negociar métodos de transacción específicos para la entrega.

Productos MMIC de nitruro de galio de MACOM

La cartera de productos MMIC de GaN de MACOM representa la vanguardia del rendimiento de la industria. Al adoptar las tecnologías de proceso GaN-on-SiC (GaN basado en carburo de silicio) y GaN-on-Si (GaN basado en silicio), MACOM es compatible con las arquitecturas de sistemas de próxima generación para aplicaciones que van desde radares de matriz en fase hasta comunicaciones por satélite y equipos de prueba y medición de precisión.

Los productos MMIC de GaN de MACOM incluyen principalmente las siguientes categorías:

Amplificadores distribuidos de GaN

Rendimiento de banda ultraancha: que cubre bandas de frecuencia de CC a 40 GHz o superiores, con una excelente planitud de ganancia (valor típico dentro de ±1dB), lo que cumple con los requisitos de banda ancha de aplicaciones como la guerra electrónica, las comunicaciones de banda ancha y las pruebas y mediciones.

Alta densidad de potencia: Aprovechando las características de alto voltaje de ruptura del material GaN, ofrece una potencia de salida de 3 a 5 veces mayor que los dispositivos GaAs tradicionales en la misma área de chip, con una densidad de potencia típica que alcanza los 4-6 W/mm

Excelente linealidad: OIP3 generalmente supera los 35 dBm, adecuado para la amplificación de alta fidelidad de señales moduladas complejas

Estabilidad de la temperatura: Los circuitos integrados de detección y compensación de temperatura garantizan un rendimiento estable en un amplio rango de temperaturas de -40°C a +85°C

Embalaje compacto: Utiliza principalmente embalaje de montaje en superficie QFN o cerámico, con un tamaño compacto para una fácil integración del sistema

Módulo frontal de nitruro de galio

Diseño altamente integrado: El módulo único integra funciones de transmisión/recepción (LNA, PA, Switch, etc.), lo que reduce el espacio de la placa y las pérdidas de interconexión

Excelente eficiencia energética: Eficiencia general de hasta el 30-45%, lo que reduce el consumo de energía del sistema y los requisitos térmicos

Cobertura de banda ancha: Admite múltiples configuraciones de banda de frecuencia desde UHF hasta banda Ka

Alto rendimiento lineal: El diseño de circuito optimizado garantiza la linealidad del módulo bajo señales moduladas complejas, con excelentes métricas ACLR y EVM

Diseño de sistema simplificado: Las redes de adaptación y los circuitos de polarización integrados reducen la cantidad de componentes externos

Estos productos MMIC de GaN de alta gama se encuentran comúnmente en estaciones base de comunicación 5G (particularmente sistemas de antenas activas MIMO a gran escala en la banda de ondas milimétricas), sistemas de radar militares (módulos TR para radares de matriz en fase de banda X y banda Ku), terminales de comunicación por satélite (dispositivos portátiles y montados en vehículos) y equipos de contramedidas electrónicas en aplicaciones críticas.

Amplificadores de potencia GaN de MACOM

Los amplificadores de potencia GaN son la categoría de productos MMIC más avanzada tecnológicamente y con mayor valor de aplicación en la línea de productos de MACOM. Estos productos aprovechan al máximo la alta resistencia del campo de ruptura y las características de alta velocidad de saturación de electrones del material GaN para lograr una alta potencia de salida y eficiencia en la banda de frecuencia de microondas que los materiales semiconductores tradicionales luchan por igualar.

Tipos principales de amplificadores de potencia GaN de MACOM:

Características de rendimiento técnico

Alta potencia de salida: Logra cientos de vatios de potencia pulsada en la banda C y decenas de vatios de potencia de onda continua en la banda X, con una densidad de potencia significativamente mayor que los dispositivos GaAs y Si LDMOS

Funcionamiento de alta eficiencia: Utiliza tecnologías avanzadas como la sintonización armónica y el seguimiento de la envolvente, logrando una eficiencia añadida de potencia (PAE) del 50-60%, lo que reduce significativamente el consumo de energía del sistema

Capacidad de ancho de banda amplio: El ancho de banda instantáneo puede alcanzar el 10-15% de la frecuencia central, lo que admite la amplificación de señales de banda ancha y reduce la necesidad de conmutación de banda de frecuencia

Alta fiabilidad: El tiempo medio entre fallos (MTTF) supera el millón de horas, lo que cumple con los estrictos requisitos de las aplicaciones aeroespaciales y de defensa

Estabilidad de la temperatura: Rango de funcionamiento de la temperatura de la unión de hasta 225°C, con una degradación mínima del rendimiento a altas temperaturas, adecuado para aplicaciones de alta densidad de potencia

Áreas de aplicación típicas

Sistemas de radar: Amplificación de potencia de etapa final para radares de control de incendios militares, radares meteorológicos y radares de control de tráfico aéreo, lo que mejora el rango y la resolución de detección

Estaciones base macro 5G: Unidades de radio remotas (RRU) de alta potencia en las bandas de 3,5 GHz y 4,9 GHz, con PA de GaN que ofrecen alta eficiencia para reducir el consumo de energía de la estación base y los costos operativos

Comunicaciones por satélite: Amplificadores de alta potencia (HPA) para estaciones terrestres, que admiten comunicaciones por satélite de alto rendimiento en las bandas Q/V

Sistemas de guerra electrónica: Componentes principales para transmisores de interferencia de alta potencia, lo que permite la supresión efectiva de los sistemas de comunicación y radar enemigos

Calentamiento industrial: Fuentes de alimentación para aplicaciones de energía de microondas, utilizadas en industrias de procesamiento de materiales y procesamiento de alimentos, entre otras