Recicla los MOSFET de Nexperia:MOSFET de automóviles, MOSFET de potencia, MOSFET de señal pequeña
La Comisión consideró que los importes procedentes de China no constituían ayuda estatal en el sentido del artículo 2 del Reglamento de base.es una empresa de reciclaje de componentes electrónicos de renombre mundial. A través de nuestros servicios profesionales de reciclaje, ayudamos a los clientes a darse cuenta del valor de sus componentes electrónicos inactivos.Con nuestra sólida posición financiera y un sistema de servicio integral, nos hemos ganado la confianza y la cooperación a largo plazo de numerosos clientes y comerciantes de fabricación.
Proceso de reciclaje:
1Clasificación del inventario y presentación de la lista
En primer lugar, los clientes deben clasificar su inventario inactivo, especificando el modelo, la marca, la fecha de producción, la cantidad, el tipo de embalaje y el estado.Una lista detallada del inventario puede enviarse a nuestro equipo de evaluación por correo electrónico o fax.
2- Evaluación profesional y cotización
Al recibir la lista, completaremos una evaluación preliminar y ofreceremos una cotización en un plazo de 24 horas.
3- Firma de contratos y arreglos logísticos
Una vez que ambas partes hayan acordado el precio, se firmará un contrato formal de reciclaje para aclarar los detalles de la transacción.
4Inspección de mercancías y pago rápido
Al llegar a nuestro almacén, las mercancías se someterán a una inspección de calidad final. Tras pasar la inspección, garantizamos el pago dentro de tres días hábiles para garantizar una rápida recuperación del capital.Los métodos de pago flexibles incluyen transferencias bancarias, en efectivo u otros acuerdos adaptados a las necesidades del cliente.
I. MOSFET para el sector del automóvil
Posicionamiento central
Diseñada específicamente para los ambientes exigentes de la electrónica automotriz, toda la gama está certificada AEC-Q101, cumpliendo con los requisitos para un amplio rango de temperatura de -55 °C a +175 °C,vibración altaEl sistema cubre todos los escenarios, incluido el control de la carrocería, los sistemas de tren motriz, la carga a bordo, la iluminación y los sistemas de seguridad.
Serie de productos básicos
Las series MLPAK (MLPAK33-WF/MLPAK56-WF)
Paquete: Micro-pin, almohadillas de lado húmedo (-WF), soporta AOI (inspección óptica automatizada), alta confiabilidad de la unión de soldadura.
Especificaciones: 40V 100V, canal N/P, RDS ((on) tan bajo como 1,3mΩ.
Aplicaciones: control del cuerpo, infoentretenimiento, iluminación LED, protección inversa de la batería.
Sección LFPAK (LFPAK33/56/88)
Tecnología: embalaje de clip de cobre, baja inductancia, alta disipación térmica, alta capacidad de corriente.
Especificaciones: 20V ≈ 100V, corriente máxima 425A, RDS (encendido) tan bajo como 0,7mΩ.
Aplicaciones: sistemas híbridos suaves de 48 V, cargadores a bordo (OBC), inversores de tracción, BMS.
La serie CCPAK1212
Envase: 12×12 mm, refrigeración superior/inferior, adecuado para módulos de potencia de alta densidad.
Especificaciones: 80V/100V, RDS ((on) tan bajo como 0,99mΩ, corriente máxima 460A.
Aplicaciones: sistemas de transmisión automotriz de 48 V, convertidores CC-CC, módulos industriales de alta corriente.
SiC MOSFET (de calidad para automóviles)
Especificaciones: 1200V, RDS (encendido) 30/40/60mΩ, paquete D2PAK-7.
Aplicaciones: vehículos eléctricos OBC, inversores de tracción, alta tensión CC-CC.
Ventajas clave
Completamente certificado AEC-Q101, funcionamiento continuo a 175 °C, vida útil superior a 10 años.
Baja RDS ((on), bajas pérdidas de conducción, alta eficiencia energética.
Opciones de embalaje diversas: MLPAK/LFPAK/CCPAK/SiC, adecuadas para diferentes potencias.
Alta fiabilidad: tecnología de abrazaderas de cobre, almohadillas de lado mojado, alta capacidad de resistencia a la avalancha.
II. MOSFETs de potencia
Posicionamiento central
Diseñados para aplicaciones de voltaje medio a alto, de alta corriente y de alta eficiencia en los sectores industrial, de suministro de energía, de accionamiento de motores, de servidores y de energías renovables, que cubren voltajes de 12 V a 200 V.Una gama completa de dispositivos de canal N y canal P, equilibrando una baja resistencia de encendido con velocidades de conmutación rápidas.
Serie de productos básicos
La serie NextPowerS3
Tecnología: Proceso avanzado de trinchera, RDS muy bajo ((on), alta velocidad de conmutación.
Especificaciones: 25V/30V, RDS ((on) tan bajo como 0,72mΩ, corriente máxima de 300A.
Los paquetes: LFPAK56, SOT1023A.
Aplicaciones: fuentes de alimentación de servidores, convertidores industriales de CC a CC, gestión de baterías, motores.
Serie de zanjas 9
Tecnología: Superjunción de bajo voltaje + embalaje avanzado.
Especificaciones: 40V 100V, RDS ((on) tan bajo como 1,18mΩ.
Los paquetes: LFPAK, MLPAK, CCPAK.
Aplicaciones: Fuentes de alimentación industriales, inversores fotovoltaicos, vehículos de nueva energía, equipos de telecomunicaciones.
Asfeto (MOSFET específico para la aplicación)
Especificaciones: 12V 100V, SOA mejorado (Área de operación segura), voltaje de pico bajo, voltaje de ruptura alto.
Los paquetes: LFPAK, CCPAK.
Aplicaciones: intercambio en caliente, protección de la batería, conmutación de carga, fuentes de alimentación de alta fiabilidad.
Ventajas clave
Bajo RDS ((on): tan bajo como 0,7 mΩ, reduciendo las pérdidas de conducción y mejorando la eficiencia.
Alta densidad de potencia: embalaje de clip de cobre / CCPAK, que ofrece una disipación de calor superior y un tamaño compacto.
Amplio rango de voltaje: 12V 200V, con opciones de canal N y P disponibles.
Alta velocidad de conmutación: baja Qg y baja recuperación inversa, adecuada para aplicaciones de alta frecuencia.
III. MOSFET de señal pequeña
Posicionamiento central
Dirigido a aplicaciones de dispositivos portátiles de baja potencia y compactos, que cubren 20V100V y corrientes ≤6A. Centrándose en paquetes ultrapequeños, bajo RDS(on), alta protección ESD y certificación de grado automotriz,Estos son adecuados para la electrónica de consumo, IoT, wearables y electrónica automotriz.
Serie de productos básicos
La serie DFN (DFN0603/1006/1110/2020)
Envase: ultracompacto, DFN0603 (0,63 × 0,33 × 0,25 mm).
Especificaciones: 20V 80V, RDS ((on) tan bajo como 15 mΩ, corriente máxima de 6A.
Características: protección ESD > 2 kV, resistencia térmica < 10 K/W.
Aplicaciones: dispositivos portátiles, teléfonos móviles, tabletas, cigarrillos electrónicos, audífonos, interruptores de batería.
La serie SOT (SOT23/323/363/457)
Embalaje: SMD estándar, tamaño compacto, fácil de soldar.
Especificaciones: 20V 100V, RDS (encendido) hasta 15mΩ.
Aplicaciones: electrónica automotriz (control de asientos, ventanas, iluminación LED), electrónica de consumo, conmutación de señales.
MOSFET de pequeña señal para el sector automotriz (portfolio Q)
Certificación: AEC-Q101, desde -55°C hasta +175°C.
Paquete: DFN1110D-3, DFN1412-6, SOT23.
Aplicaciones: Control de carrocería automotriz, infoentretenimiento, sistemas de seguridad, iluminación LED.
Ventajas clave
Embalaje ultracompacto: DFN0603/1006, ahorrando espacio en los PCB.
Baja RDS ((on): tan baja como 15 mΩ, reduciendo la pérdida de energía y prolongando la vida útil de la batería.
Alta protección contra descargas electrostáticas: > 2 kV, fuerte resistencia a las descargas electrostáticas.
Certificación de grado automotriz: toda la gama está certificada AEC-Q101, adecuada para la electrónica automotriz.
IV. Resumen
Las tres series principales de MOSFET de Nexperia cubren todos los escenarios de aplicación, que van desde microwatts hasta kilovatios y que abarcan desde electrónica de consumo hasta la industria automotriz:
MOSFETs para automóviles: de grado automotriz, alta confiabilidad, alta corriente, adecuados para vehículos de nueva energía y electrónica automotriz tradicional.
MOSFET de potencia: baja pérdida, alta densidad de potencia, adecuados para fuentes de alimentación industriales, motores y aplicaciones de nuevas energías.
MOSFET de señal pequeña: ultracompactos, con bajo consumo de energía, alta protección ESD, adecuados para dispositivos portátiles y aplicaciones de señal pequeña automotriz.
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