Blog de la compañía Reciclar en productos de SiC:Diodos de carburo de silicio, MOSFET de carburo de silicio, JFET de carburo de silicio

Reciclar en productos de SiC:Diodos de carburo de silicio, MOSFET de carburo de silicio, JFET de carburo de silicio

Shenzhen Mingjiada Electronics Co., Ltd. y sus subsidiariascomo proveedor líder en la industria de servicios de reciclaje de componentes electrónicos, se centra en la prestación de servicios profesionales de reciclaje de productos de componentes electrónicos para clientes de todo el mundo, incluidos los IC de circuitos integrados,Chips 5G, nuevos circuitos integrados de energía, chips IoT, chips Bluetooth, chips automotrices, chips de IA, IC Ethernet, chips de memoria, sensores y módulos IGBT.

Proceso de reciclaje:
Si tiene componentes electrónicos en stock que desechar, puede enviar el inventario de IC/módulo para su venta por correo electrónico.Nuestra empresa enviará profesionales a su casa para llevar a cabo pruebas preliminares y clasificación de su inventario de componentes electrónicos, y de acuerdo con el tipo de componentes reciclados, la cantidad, la calidad y otros factores para determinar el precio de reciclaje correspondiente.Podemos negociar métodos de transacción específicos para la entrega.

1. Diodo de carburo de silicio (diodo SiC)
Modelo representativo: serie FFSHx065/120 (650V/1200V), FFSHx170 (1700V)
- Características técnicas:
- Cero carga de recuperación inversa (Qrr≈0nC), pérdida de conmutación 80% menor que los FRD de silicio.
- Tolerancia a temperaturas de unión de hasta 175°C. Soporta topologías de alta frecuencia (> 100 kHz) con conmutación dura.
- Escenario de aplicación:
- Vehículo eléctrico OBC: arquitectura de LLC de puente completo, eficiencia de hasta el 97,5% (frente al 95% para el basado en Si).
- Optimizador fotovoltaico: 3 veces más rápido seguimiento MPPT en el sistema de 1500V.

2. MOSFET de carburo de silicio (SiC MOSFET)
Productos insignia: NVH4L015N170M1 (1700V/15mΩ), NVH4L040N120M1 (1200V/40mΩ)
- El avance innovador:
- Adopción de la tecnología de doble puerta de zanja, con una resistencia específica de encendido (Rsp) tan baja como 2,5 mΩ-cm2 (media industrial 3,8 mΩ-cm2).
- Sensor de temperatura integrado para el control de la temperatura de las uniones con una precisión de ± 1°C, que prolonga la vida útil en un 30%.
- Mercados estratégicos:
- Supercharger Pile: admite una carga rápida de 350 kW en una plataforma de 800 V con una densidad de potencia de 50 kW / L.
- EPU del centro de datos: certificación de eficiencia energética de titanio (96%+) con PUE optimizado a 1.1.

3JFET de carburo de silicio (SiC JFET)
Ventajas únicas:
- Diseño normalmente cerrado: resolver los problemas de compatibilidad de las unidades tradicionales de JFET mediante la cascada (Cascode) de JFET SiC con MOSFETs basados en silicio.
- Resistencia a la radiación: umbral de combustión de partículas únicas (LET) > 100 MeV-cm2/mg para sistemas de energía por satélite.
Solución típica: serie JWSx065 (650V/5A) para motores industriales con tolerancia dv/dt de hasta 100V/ns.