Blog de la compañía Reciclar producto Qorvo GaN: Transistor RF GaN, Interruptor GaN, Amplificador de potencia GaN, Módulo frontal GaN

Reciclar Qorvo GaN Producto:Transistor RF GaN,Conmutador GaN,Amplificador de potencia GaN,Módulo frontal GaN

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Categorías de productos reciclados:los chips de circuitos integrados, los chips 5G, los IC de nueva energía, los IC de IoT, los IC Bluetooth, los IC de vehículo a todo (V2X), los IC de automoción, los IC de comunicación, los IC de inteligencia artificial (IA), etc.Además, suministramos ICs de memoria, ICs de sensores, ICs de microcontroladores, ICs de transceptores, ICs Ethernet, chips Wi-Fi, módulos de comunicación inalámbrica, conectores y otros componentes electrónicos.

Detalles del reciclado:

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Transistores RF de nitruro de galio

Los transistores RF de nitruro de galio de Qorvo utilizan una tecnología avanzada de GaN-on-SiC de sustrato de carburo de silicio.Combinando la alta movilidad electrónica del material GaN con la excelente conductividad térmica del sustrato de SiC, ofreciendo un rendimiento excepcional en aplicaciones de alta frecuencia y alta potencia. Estos dispositivos suelen funcionar en todo el rango de frecuencia desde la banda L hasta la banda Ka (1-40 GHz),con una potencia de salida de cientos de vatios y una eficiencia de potencia añadida (EAP) superior al 60%, superando significativamente a los dispositivos LDMOS tradicionales basados en silicio.

Los transistores GaN RF de Qorvo incluyen:

Interruptores GaN de alta potencia: utilizados en sistemas de radar de matriz en fase y equipos de guerra electrónica, con velocidad de conmutación de nivel de nanosegundo y capacidad de manejo de energía extremadamente alta.Los interruptores GaN de la serie QPD1000 de Qorvo utilizan una tecnología innovadora de embalaje sin soldadura, capaz de manejar más de 100 W de potencia máxima en la banda X, con pérdida de inserción inferior a 0,5 dB y aislamiento superior a 35 dB.

Transistores de potencia de RF: diseñados para estaciones base MIMO masivas 5G y estaciones terrestres de comunicación por satélite, ofreciendo una alta linealidad y una excepcional estabilidad térmica.Un ejemplo típico es el transistor de potencia QPA2211 GaN de Qorvo, que proporciona 20W de potencia de salida de onda continua a 2.6GHz, con una ganancia de potencia de 16dB, lo que lo hace adecuado para aplicaciones de matriz a gran escala.

Amplificadores de potencia de nitruro de galio

Los amplificadores de potencia de nitruro de galio son una categoría de productos clave en la línea de productos RF de Qorvo, ampliamente utilizados en estaciones base 5G, microondas, radar y sistemas electrónicos de contramedidas.En comparación con las soluciones tradicionalesLos GaN PA ofrecen un ancho de banda más amplio, una mayor eficiencia y tamaños más compactos, lo que reduce significativamente el consumo de energía del sistema y los costos operativos.

Los tipos de amplificadores de potencia Qorvo GaN incluyen:

Amplificadores de potencia de banda ancha: cubren múltiples octavas, adecuados para la guerra electrónica y los sistemas de radar multifuncionales.el Qorvo QPA1022 GaN PA proporciona una potencia de salida saturada de 10W en el rango de 2-18GHz, con una eficiencia de energía añadida superior al 30%, y utiliza un paquete de montaje superficial de 7x7 mm para una fácil integración del sistema.

PAs de alta linealidad: optimizados para los estándares 5G NR, que cumplen con los estrictos requisitos ACPR y EVM.con una potencia máxima de 50 W a un ancho de banda instantáneo de 100 MHz con una magnitud del vector de error (EVM) inferior a 10,5%, lo que lo hace ideal para matrices de antenas MIMO a gran escala.

Módulos de frente de onda milimétrica: GaN PA integrado, amplificador de bajo ruido (LNA) y interruptor, frecuencias operativas extendidas a la banda Q (30-50GHz).el módulo front-end Qorvo QPF7250 para terminales 5G FWA (Fixed Wireless Access) incluye un PA GaN de alta eficiencia y un LNA de banda ancha, que admite la banda de frecuencia 24-30 GHz con una potencia de salida de hasta 27 dBm y una cifra de ruido inferior a 3 dB.

Módulos de extremo delantero GaN

Los módulos front-end GaN representan un avance tecnológico en la integración a nivel de sistema por Qorvo, integrando amplificadores de potencia GaN, amplificadores de bajo ruido, interruptores, filtros,y circuitos de control en un solo paqueteEstas soluciones altamente integradas están acelerando la adopción en los teléfonos inteligentes 5G, las células pequeñas y los dispositivos IoT.

Los módulos front-end de Qorvo GaN incluyen:

5G FEM de onda milimétrica: admite bandas de onda milimétrica 5G como n257/n258/n260, generalmente utilizando la tecnología AiP (Antenna in Package) para un diseño compacto.el módulo frontal de onda milimétrica Qorvo QPM2630 integra dos canales de transmisión y un canal de recepción, operando a frecuencias de 24 a 30 GHz, con cada canal TX que ofrece una potencia de salida de hasta 18 dBm, lo que lo hace adecuado para teléfonos inteligentes y dispositivos CPE.

Módulos de Wi-Fi 6/6E Front-End: Combinan la tecnología GaN y el filtrado avanzado para cumplir con los requisitos de alto rendimiento.integración de un PA, LNA y switch, con una potencia de salida de hasta 22 dBm y un EVM mejor que -35 dB a tasas MCS11, lo que lo convierte en una opción ideal para enrutadores de gama alta y puntos de acceso de nivel empresarial.

FEM de grado de defensa y aeroespacial: cumple con los requisitos extremos de fiabilidad ambiental, comúnmente utilizados en comunicaciones por satélite y radios militares.Estos productos suelen emplear procesos especiales de envasado y de detección., como el GaN FEM de Qorvo, de grado aeroespacial, que opera en un rango de temperatura de -55°C a +125°C y ofrece una resistencia a la radiación superior.

Dispositivos de conmutación de nitruro de galio

Los dispositivos de conmutación de nitruro de galio juegan un papel crítico en el enrutamiento de la señal de RF y el ajuste de la antena.Qorvo ha desarrollado una serie de soluciones de conmutación de alto rendimiento mediante la combinación de SOI innovador (Silicon-on-Insulator) con la tecnología GaN.

Los productos de conmutación de GaN de Qorvo incluyen principalmente:

Módulos de conmutación de antenas (ASM): integrados con múltiples conmutadores de RF, filtros y lógica de control, proporcionando una solución completa de front-end de RF para dispositivos móviles.Los productos GaN ASM de Qorvo presentan una baja pérdida de inserción (< 1 dB típico), alto aislamiento (> 30 dB) y excelente linealidad (IP3 > 60 dBm), lo que los hace ideales para teléfonos inteligentes 5G y dispositivos IoT con espacio limitado.

Interruptores GaN discretos: Disponibles en varias configuraciones, incluidos SPDT (doble lanzamiento de un solo polo), SP4T (cuatro lanzamientos de un solo polo) y MPMT (multipole multi-throw),ofreciendo una mayor flexibilidad de diseñoLos interruptores discretos GaN de Qorvo funcionan desde la frecuencia continua hasta los 6 GHz, fabricados con tecnología pHEMT avanzada, con velocidad de conmutación rápida (< 50 ns), bajo consumo de energía (< 1 μA de corriente de espera),y una excelente protección ESD (> 1 kV HBM).

Interruptores de diversidad: con una pérdida de inserción extremadamente baja y un excelente rendimiento de aislamiento, estos interruptores mejoran significativamente la sensibilidad de recepción y el rendimiento de los sistemas inalámbricos.Los interruptores de diversidad de GaN de Qorvo se utilizan ampliamente en células pequeñas 5G, enrutadores Wi-Fi 6/7 y sistemas de comunicación automotriz, que admiten la agregación de portadores y la tecnología MIMO.