Blog de la compañía Reciclar MOSFETs TI: MOSFETs de canal N, MOSFETs de canal P, Bloques de potencia

Reciclar MOSFETs TI: MOSFETs de canal N, MOSFETs de canal P, Bloques de alimentación

Shenzhen Mingjiada Electronics Co., Ltd.es un proveedor líder de servicios de reciclaje de componentes electrónicos en China, especializado en el reciclaje de componentes electrónicos, incluyendo: circuitos integrados, chips 5G, circuitos integrados de nueva energía, circuitos integrados de IoT, ICs Bluetooth, ICs de vehículo a todo (V2X), ICs de grado automotriz, ICs de comunicación, ICs de inteligencia artificial, ICs de almacenamiento, ICs de sensores, ICs de microcontroladores, ICs de transceptores, ICs Ethernet, chips WiFi, módulos de comunicación inalámbrica, conectores y más. Con una visión profesional del mercado y una extensa red de ventas, ofrecemos a los clientes los precios de reciclaje más competitivos y nos comprometemos a convertirnos en su socio más confiable en la industria del reciclaje de componentes electrónicos.

Proceso de reciclaje:

1. Clasifique su inventario excedente de IC/módulos, identificando el modelo, la marca, la fecha de producción y la cantidad.

2. Envíe la lista de inventario por fax o correo electrónico a nuestro equipo de evaluación.

3. Espere la cotización de compra profesional de la empresa. Después de llegar a un acuerdo, ambas partes negociarán el método de transacción específico para la entrega.

4. La empresa solo recicla componentes provenientes de canales oficiales, como distribuidores, comerciantes y fábricas de usuarios finales, y no acepta componentes de canales no oficiales.

NexFET™ MOSFET ofrece una amplia gama de módulos de alimentación de canal N y canal P, así como soluciones de alimentación discretas. Nuestros MOSFETs altamente integrados admiten una mayor eficiencia, una mayor duración de la batería, una mayor densidad de potencia y frecuencias más altas para una conmutación rápida. Estas ventajas brindan flexibilidad para diseños miniaturizados y permiten a los ingenieros de diseño reducir el tiempo de comercialización.

MOSFET de canal N

Los MOSFETs de canal N son un componente clave de la línea de productos de semiconductores de potencia T, que ofrecen ventajas como baja resistencia en estado activo y velocidad de conmutación rápida.

Los MOSFETs de canal N de TI incluyen principalmente los siguientes tipos:

MOSFETs de canal N de bajo voltaje (<100V): como CSD17313Q2, CSD18532Q5B, etc., adecuados para la gestión de energía, controladores LED y otras aplicaciones de electrónica de consumo.

MOSFETs de canal N de voltaje medio a alto (100V–600V): incluyendo modelos como CSD19536Q5A y CSD19535KCS, comúnmente utilizados en accionamientos de motores industriales, fuentes de alimentación conmutadas y otras aplicaciones.

MOSFETs de canal N de voltaje ultra alto (>600V): utilizados principalmente en aplicaciones de alta potencia, como la generación de energía renovable y las estaciones de carga de vehículos eléctricos.

Estos MOSFETs de canal N utilizan tecnologías de proceso avanzadas, como la tecnología NexFET™ power MOSFET de TI, que presenta una carga de puerta optimizada (Qg) y características de baja resistencia en estado activo (RDS(on)), lo que mejora significativamente la eficiencia del sistema.

MOSFETs de canal P

Los MOSFETs de canal P se utilizan comúnmente en el diseño de circuitos para simplificar las arquitecturas de gestión de energía. Los productos de canal P de TI son reconocidos por su alto rendimiento y fiabilidad.

Los MOSFETs de canal P de TI incluyen:

MOSFETs de canal P estándar: como los modelos CSD25404Q3 y CSD25402Q3, adecuados para la conmutación de carga, la gestión de la ruta de alimentación y otras aplicaciones.

MOSFETs de canal P de grado automotriz: productos que cumplen con la certificación AEC-Q101, como el CSD25401Q3A, adecuados para sistemas electrónicos automotrices.

MOSFETs de canal P de señal pequeña: Utilizando encapsulados compactos como SOT-23, están diseñados para dispositivos portátiles y aplicaciones con limitaciones de espacio.

Los MOSFETs de canal P de TI presentan una baja carga de puerta y características optimizadas del diodo del cuerpo, lo que reduce las pérdidas de conmutación y mejora la eficiencia general del sistema.

Bloques de alimentación

Los bloques de alimentación integran MOSFETs, circuitos de controlador y funciones de protección, adecuados para aplicaciones que requieren alta densidad de potencia y eficiencia.

Los modelos clave incluyen:

LMG3410R050: Integra un FET GaN de 600V con circuitos de controlador, que admite una conversión de energía eficiente, adecuado para fuentes de alimentación de servidores, centros de datos y sistemas de energía industrial.

LMG3522R030: Módulo de alimentación GaN de 650V con protección contra sobrecorriente y funciones de monitoreo de temperatura, ampliamente utilizado en estaciones de carga de vehículos eléctricos, inversores solares y otras aplicaciones de alta potencia.

Módulos de alimentación tradicionales basados en silicio: incluyendo varios convertidores DC-DC, módulos POL (Point-of-Load), etc.

Los bloques de alimentación de TI utilizan tecnología de encapsulado avanzada y diseño de gestión térmica para mejorar significativamente la densidad de potencia y la fiabilidad del sistema.