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Blog de la compañía ROHM SCT4013DLL/SCT4013DLLTRDC Suministro: Los MOSFETs SiC de cuarta generación permiten diseños de suministro de energía de alta eficiencia

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Porcelana ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd. certificaciones
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Compañía El blog
ROHM SCT4013DLL/SCT4013DLLTRDC Suministro: Los MOSFETs SiC de cuarta generación permiten diseños de suministro de energía de alta eficiencia
últimas noticias de la compañía sobre ROHM SCT4013DLL/SCT4013DLLTRDC Suministro: Los MOSFETs SiC de cuarta generación permiten diseños de suministro de energía de alta eficiencia

Se trata de un sistema de control de la calidad.No se puede utilizar./Los datos de las pruebas de detección se deben presentar en el formulario de evaluación.750V 120A MOSFET SiC de tipo trinchera Mingjiada Electrónica Nueva marca, original, en stock en Shenzhen, pedidos a granel aceptados

 

I. Introducción del producto

El SCT4013DLL y su versión de cinta y bobina, el SCT4013DLLTRDC, son los MOSFET SiC estructurados en zanjas de cuarta generación de ROHM. Cuentan con un voltaje de ruptura de 750V y una corriente de drenaje continua de 120A,y están alojados en un paquete SMD TOLL (TO-Leadless) de 9 pines.

 

Las fichas son idénticas; sólo el embalaje difiere:

No se puede utilizar.: en bulto / tubo

Los datos de las pruebas de detección se deben presentar en el formulario de evaluación.: cinta y bobina (taping), 2000 piezas por bobina

Adecuado para aplicaciones de alto voltaje y alta potencia, como fuentes de alimentación de servidores de IA, inversores fotovoltaicos, fuentes de alimentación industriales y sistemas UPS de almacenamiento de energía.

 

II. Principales especificaciones

Fabricante: ROHM (semiconductor ROHM)

Modelo:No se puede utilizar.,Los datos de las pruebas de detección se deben presentar en el formulario de evaluación.

Estructura: MOSFET de carburo de silicio (SiC) tipo zanja de cuarta generación

Vdss de voltaje de la fuente de drenaje: 750 V

Se aplicará una corriente de escape continua Id (Tc=25°C): 120A.

Resistencia de encendido Rds ((on) (máximo): 16,9 mΩ @ 58A, 18V

Carga de la puerta Qg (máximo): 170 nC @ 18V

Capacidad de entrada Ciss (máximo): 4580 pF @ 500V

Disposición máxima de energía Pd: 405W

Temperatura de funcionamiento de las uniones Tj: de 40°C a +175°C

En el caso de los dispositivos de detección automática, se utilizará un dispositivo de detección automática (SMD) de 9 pines, con dimensiones 11,68 × 9,9 × 2,3 mm.

Embalaje:

SCT4013DLL: tubo

SCT4013DLLTRDC: cinta y carrete (2000 piezas/carrete)

Conformidad medioambiental: recubrimiento libre de plomo, conforme a la Directiva RoHS

 

III. Características clave

Resistencia de encendido ultrabaja: Rds ((on) tan baja como 16,9 mΩ, reduciendo las pérdidas en aproximadamente un 40% en comparación con los dispositivos tradicionales de SiC

Conmutación de alta velocidad: baja resistencia de la puerta y pequeña Qg reducen las pérdidas de conmutación en aproximadamente el 50%, lo que lo hace adecuado para el conmutación dura de alta frecuencia

Excelente recuperación inversa: la carga de recuperación inversa mínima reduce el zumbido y el EMI, mejorando la eficiencia del sistema

Fácil paralelo: baja inductancia parasitaria y distribución uniforme de corriente aseguran un buen intercambio de corriente en configuraciones paralelas de múltiples dispositivos y simplifican el diseño

Dispositivo simple: se recomienda un voltaje de accionamiento de 15 V; compatible con los circuitos de accionamiento tradicionales Si-MOSFET, eliminando la necesidad de diseños complejos

Alta densidad de potencia: el paquete TOLL ofrece una huella de placa 26% menor que TO-263; perfil ultra delgado de 2,3 mm, adecuado para fuentes de alimentación ultra delgadas

Alta fiabilidad: Resiste altas temperaturas de 175 °C; clasificación MSL1, adecuada para un funcionamiento estable a largo plazo en aplicaciones industriales y de servidores

 

IV. Aplicaciones típicas

Los servidores de IA / fuentes de alimentación del centro de datos: arquitectura HVDC de ±400V BBU (unidad de respaldo de la batería)

Inversores fotovoltaicos: inversores de cuerda / centrales, circuitos de refuerzo MPPT

Fuentes de alimentación industriales: SMPS de alta frecuencia, fuentes de alimentación para soldadura, fuentes de alimentación para galvanoplastia

Almacenamiento de energía y UPS: formación de baterías, convertidores de almacenamiento de energía (PCS), UPS en línea

Vehículos de nueva energía: cargadores a bordo (OBC), convertidores de CC/DC

 

V. Mingjiada Electrónica Garantizar el suministro

Shenzhen Mingjiada Electronics se especializa en la distribución de dispositivos de potencia SiC ROHM originales.

Productos 100% originales: obtenidos a través de canales oficiales de ROHM; no hay unidades nuevas renovadas o sueltas

Inventario en stock: SCT4013DLL y SCT4013DLLTRDC están siempre en stock, con entrega rápida dentro de 1 ¢ 3 días

Precios competitivos: cadena de suministro estable; soporta las compras a granel y el almacenamiento a largo plazo

Ejecución de pedidos en una sola ventana: suministrar simultáneamente la gama completa de MOSFET SiC ROHM (por ejemplo, SCT4013DR, SCT4013DE), diodos SiC y módulos de potencia

Tiempo del Pub : 2026-05-29 09:57:41 >> Lista de las noticias
Contacto
ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd.

Persona de Contacto: Mr. Sales Manager

Teléfono: 86-13410018555

Fax: 86-0755-83957753

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