Shenzhen Mingjiada Electronics Co., Ltd. suministra y recicla chips de memoria DRAM ETT sincronizados CMOS DDR4 8Gb de SK Hynix H5AN8G8NDJR-XNC.
I. Resumen general del producto H5AN8G8NDJR-XNC
ElSe aplicará el método de ensayo de la etiqueta H5AN8G8NDJR.es un chip de memoria sincronizado DRAM de grado ETT de procesamiento CMOS DDR4 de 8 GB de capacidad y ancho de x8 bits lanzado por SK Hynix. Es un chip de memoria DDR4 de uso general para memoria DDR4 de grado industrial y de consumo.Fabricados utilizando un proceso CMOS maduro, la calificación ETT (Effectively Tested) indica que el chip ha superado el control exhaustivo del fabricante en cuanto a sus características eléctricas básicas, tiempo y estabilidad.ancho de banda y fiabilidad operativa a largo plazo, es un componente principal para módulos de memoria en ordenadores de escritorio, placas base de control industrial, equipos de red, terminales incrustados y grabadores de video de seguridad.
Esto...Se aplicará el método de ensayo de la etiqueta H5AN8G8NDJR.El chip de memoria cumple con el estándar JEDEC DDR4, utiliza una arquitectura de pre-recuperación de 8 bits y admite velocidades de transferencia de datos de alta velocidad de hasta 3200 MT/s con un voltaje de funcionamiento estándar de 1,2 V.Con un dispositivo de protección, paquete FBGA-78 de bajo perfil, permite apilar memoria de alta densidad en un espacio limitado de PCB, lo que lo hace adecuado tanto para la producción en masa de módulos de memoria como para el mercado de renovación.Ofrece un tiempo de entrega estable y es compatible con todas las soluciones de controladores DDR4 en todas las plataformas.
II. Especificaciones de hardware básico H5AN8G8NDJR-XNC
1Arquitectura básica de la memoria
Número de la parte:Se aplicará el método de ensayo de la etiqueta H5AN8G8NDJR.
Densidad de memoria: 8Gb (1G × 8 bits), capacidad de 8 Gb por chip
Ancho del bus: x8 (8 canales de datos de bits)
Arquitectura de prefetch: prefetch de 8 bits, lectura/escritura sincronizada con tubería interna
Configuración de banco: arquitectura de banco de múltiples páginas DDR4 estándar, que admite longitudes de ráfaga configurables de BL4/BL8
Tecnología de proceso: proceso de memoria dinámica CMOS
2Parámetros eléctricos y de velocidad
Fuente de alimentación estándar: VDD/VDDQ unificado a 1,2 V, rango de voltaje 1,14 V 1,26 V
Velocidad nominal: DDR4-3200, velocidad de datos equivalente 3200 Mbps, reloj de referencia 1600 MHz
Arquitectura de reloj: entradas de reloj CK/CK# completamente diferenciales, con estrobos de datos DQS/DQS# diferenciales correspondientes
Generación de voltaje de referencia interna integrada VrefDQ, eliminando la necesidad de circuitos de divisores de voltaje externos
Configuración de tiempo: latencia de CAS programable CL9·CL20; se puede configurar de manera flexible la latencia adicional AL
3Paquete y dimensiones físicas
Tipo de paquete: FBGA-78 (matriz de cuadrícula de bolas de perfil delgado de 78 bolas)
Las dimensiones: 11,0 mm × 7,5 mm, grosor máximo 1,2 mm
La distancia de paso de la bola: 0,8 mm, tecnología SMT de montaje en superficie
Indicaciones de embalaje: Envío en bandejas; cantidad de bandejas estándar: 1.600 piezas por bandeja
Cumplimiento medioambiental: libre de plomo y halógenos; totalmente conforme con las normas RoHS y REACH
4. Confiabilidad ambiental
Rango de temperatura estándar comercial: de 0°C a +85°C
Apoya la actualización automática y la actualización adaptada a la temperatura; no hay pérdida de datos durante las operaciones de lectura/escritura a altas o bajas temperaturas
Bajo consumo de energía estática en modo de espera, adecuado para equipos que requieren un funcionamiento ininterrumpido a largo plazo
III. Características básicas específicas del DDR4
Suite de balanceo y calibración de lectura/escritura: Nivelación de escritura incorporada, calibración de impedancia ZQ y funciones de terminación TDQS en el chip que coinciden automáticamente con la impedancia de traza de PCB,eliminación de los cambios de tiempo de señal de alta velocidad y reducción significativa de la complejidad de depuración de hardware, garantizando al mismo tiempo la integridad estable de la señal a altas frecuencias de 3200 MHz.
Los mecanismos de seguridad de los datos incluyen las funciones de comprobación de escritura CRC y DM (Data Mask),que muestran datos tanto en los bordes ascendentes como en los descendentes para realizar la comprobación y corrección de errores en tiempo real durante la escritura de datos, reduciendo así los errores de lectura/escritura de la memoria; admite el restablecimiento asíncrono para restablecer rápidamente el controlador de memoria después de un fallo de alimentación inesperado.
El diseño de bajo consumo y eficiencia energética incorpora terminación dinámica en el chip y modos de autoactualización de varios niveles, con control de consumo de energía de varios niveles en espera, inactivo,y estados de lectura/escrituraEn comparación con los chips DDR3 de la misma capacidad, el consumo de energía se reduce en más del 20%, lo que lo hace adecuado para dispositivos de computación embebidos y de borde de baja potencia.
Una arquitectura de tuberías totalmente síncrona asegura que las señales de dirección y control se bloqueen solo en el borde ascendente del reloj, mientras que los datos y las señales de selección se muestran en ambos bordes.La tubería interna de varias etapas permite el procesamiento paralelo, ofreciendo un ancho de banda alto y sostenido para satisfacer las demandas de escenarios de lectura/escritura simultáneos en múltiples tareas.
IV. Explicación de los grados de los chips ETT (ventajas diferenciadoras básicas)
El sufijo XNC en el modeloSe aplicará el método de ensayo de la etiqueta H5AN8G8NDJR.corresponde a los chips de grado Effective Test certificados por la ETT, que difieren de uTT (chips blancos no probados) y de los chips de grado premium Major del fabricante:
Se realizan ensayos eléctricos completos después del envasado de fábrica, incluido el margen de voltaje, la tensión de sincronización completa, los ciclos de alta y baja temperatura, la resistencia a la lectura/escritura y la detección de fugas,para eliminar las unidades defectuosasLa consistencia es muy superior a la de las fichas uTT no probadas.
El coste es moderado, sin ninguna prima asociada con los módulos de grado Major originales del fabricante, por lo que es adecuado para módulos a granel, sistemas de control industrial, seguridad,y el mercado de renovación de memoria de segunda mano;
La estabilidad cumple los requisitos para un funcionamiento ininterrumpido del equipo de 7×24 horas, con una tasa de fallas muy inferior a la de los módulos en blanco no seleccionados,lo que lo convierte en la mejor opción para soluciones de almacenamiento de gama media con una relación calidad-precio.
V. Escenarios de aplicación típicos para H5AN8G8NDJR-XNC
módulos de almacenamiento de electrónica de consumo: módulos de memoria DDR4 para PC de escritorio, memoria SODIMM para portátiles, PC todo en uno y mini-PC; compatibles con la gama completa de plataformas Intel/AMD DDR4;
Dispositivos integrados industriales: placas base de control industrial, pasarelas de borde, PC industriales de visión automática y controladores de movimiento PLC; funcionamiento estable en un amplio rango de temperatura de 0°85°C;
Equipo de red y seguridad: interruptores, routers, NVR (grabadores de vídeo en red) y placas base de almacenamiento para cámaras 4K; adecuados para escenarios de lectura/escritura continua de alto rendimiento;
AIoT y dispositivos de usuario final: señalización digital inteligente, terminales de autoservicio, sistemas multimedia integrados en el automóvil y pequeñas cajas informáticas locales;
Apoyo para la distribución y el reciclaje de componentes: Apoya el reciclaje de componentes electrónicos y la producción de módulos de memoria renovados; amplio suministro de mercado,adecuado tanto para modelos de negocio de reciclaje como de distribución.
VI. Resumen de las ventajas del producto para H5AN8G8NDJR-XNC
especificaciones equilibradas: ancho de bus de 8 Gb x 8 bits + ancho de banda de 3200 Mbps, que cubre la gran mayoría de los requisitos de almacenamiento de gama media con una versatilidad excepcional;
Embalaje compacto: el embalaje de perfil delgado FBGA-78 y el diseño de PCB de alta densidad reducen el tamaño general del dispositivo;
Fácil depuración: la calibración ZQ incorporada, la ecualización de escritura y la verificación CRC reducen los ciclos de diseño del hardware;
Aseguramiento de la calidad del ETT: ensayo exhaustivo realizado por el fabricante original, que equilibra la estabilidad y el coste, por lo que es adecuado para la producción en serie;
Compatibilidad completa con plataformas: protocolo estándar JEDEC DDR4 sin barreras de compatibilidad con controladores; hay un amplio stock disponible, que admite tanto el suministro a granel como la recompra de inventario.
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