Blog de la compañía Memoria IC SK hynix IC HMAA8GR7CJR4N-XN:DIMM registrados DDR4 SDRAM de baja potencia y alta velocidad

¢SK hynix IC de memoria ¢HMAA8GR7CJR4N-XN:DIMM registrados DDR4 SDRAM de baja potencia y alta velocidad

HMAA8GR7CJR4N-XNLos DIMM registrados DDR4 SDRAM (Registered Double Data Rate Synchronous DRAM Dual In-Line Memory Modules) son módulos de memoria de operación de baja potencia y alta velocidad que utilizan dispositivos DDR4 SDRAM.Estos DIMM registrados de SDRAM están destinados a ser utilizados como memoria principal cuando se instalan en sistemas como servidores y estaciones de trabajo..

Especificaciones deHMAA8GR7CJR4N-XN
Capacidad de memoria: 64 GB
Tecnología de memoria:DDR4 SDRAM
Voltagem del producto:1,2V
Velocidad de la RAM:3200 MHz
La norma de la RAM:DDR4-3200/PC4-25600
Error de identificación:ECC
Tipo de señal:Registrado
El número de unidades de la unidad de ensayo será el siguiente:
Rango: Doble rango x4
Cantidad de pines:288 pines
RAM Género:RDIMM

Características delHMAA8GR7CJR4N-XN
Se aplicará una corriente de corriente: VDD = 1,2 V (1,14 V a 1,26 V)
VDDQ = 1,2 V (1,14 V a 1,26 V)
VPP- 2,5 V (2,375 V a 2,75 V)
VDDSPD = de 2,25 a 2,75 V
16 bancos internos
Las velocidades de transferencia de datos son las siguientes: PC4-3200, PC4-2933, 2666, PC4-2400, PC4-2133, PC4-1866, PC4- 1600
Strobe de datos diferencial bidireccional
8 bits de recogida previa
Duración de explosión (BL) interruptor en marcha BL8 o BC4 (Burst Chop)
Apoya la corrección y detección de errores ECC
Se trata de un sistema de gestión de la rentabilidad de la empresa.
Sensor de temperatura con DSP integrado
Se admite la direccionabilidad por DRAM
La generación interna de niveles de Vref DQ está disponible
Escribir CRC es compatible con todos los grados de velocidad
DBI (Inversión de bus de datos) es compatible (x8)
Se admite el modo de paridad CA (paridad comando/dirección)