Blog de la compañía Interruptor de bajo lado ST VND3NV04TR OMNIFET II™ Serie MOSFET de potencia totalmente autoprotegido

Interruptor del lado bajo STVND3NV04TRMOSFET de potencia totalmente autoprotegido serie OMNIFET II™

CALLEVND3NV04TRsuministrado porElectrónica Mingjiadaes un dispositivo MOSFET de potencia que integra funciones de protección avanzadas. Perteneciente a la serie OMNIFET II™ de STMicroelectronics, se fabrica utilizando la tecnología de proceso VIPower™ M0-3. Este VND3NV04TR está diseñado específicamente para aplicaciones que reemplazan los MOSFET de potencia estándar, adecuado para escenarios operativos que abarcan el rango de frecuencia de CC a 50 kHz.

Detalles de la descripción del producto
Arquitectura Básica: LaVND3NV04TRes un controlador de lado bajo de un solo canal alojado en un encapsulado TO-252-3 (DPAK) con una configuración de lengüeta más de 2 conductores. Este interruptor de alimentación totalmente autoprotegido integra múltiples funciones de protección, lo que permite el reemplazo directo de los MOSFET de alimentación convencionales.
Características de entrada/salida: El VND3NV04TR presenta una relación de entrada-salida de 1:1 con una configuración de entrada no inversora, empleando una interfaz de control de encendido/apagado simple. Este diseño garantiza la compatibilidad con el uso de MOSFET de potencia estándar, lo que facilita actualizaciones y reemplazos sin interrupciones en diseños existentes.
Proceso tecnológico: como producto estrella de la serie OMNIFET II, ​​el VND3NV04TR emplea la avanzada tecnología VIPower M0-3 de STMicroelectronics para ofrecer una solución de interruptor de alimentación inteligente monolítica integrada.

Presupuesto
Características Eléctricas: ElVND3NV04TRadmite un voltaje de carga máximo de 36 V, un voltaje nominal de ruptura de fuente de drenaje de 40 V, una corriente de drenaje continua de 3,5 A y un límite de corriente de salida máxima de 5 A. Con una resistencia de encendido típica de 120 mΩ, ofrece una baja disipación de energía.
Características de conmutación: El VND3NV04TR presenta un tiempo de encendido de 1,35 μs y un tiempo de apagado de 10 μs, con tiempos de subida y bajada de 250 ns. Estos parámetros indican la idoneidad para aplicaciones de conmutación de media frecuencia.
Rendimiento térmico: el VND3NV04TR ofrece una disipación de potencia máxima de 35 W y funciona de manera confiable dentro de un rango de temperatura de unión de -40 °C a 150 °C. Esto permite la implementación en entornos operativos exigentes.

Características del producto
Protección Integrada: LaVND3NV04TROfrece protección integrada integral, que incluye limitación de corriente lineal, apagado térmico, protección contra cortocircuitos y sujeción integrada. Estas características permiten que el VND3NV04TR resista condiciones operativas exigentes, mejorando la confiabilidad del sistema.
Retroalimentación de diagnóstico: El VND3NV04TR posee la capacidad de detectar estados de falla a través de pines de entrada, proporcionando funcionalidad de retroalimentación de diagnóstico. Esta característica permite monitorear el estado, mejorando la mantenibilidad del sistema.
Bajo consumo de energía en espera: El VND3NV04TR exhibe un consumo mínimo de corriente de pin de entrada e incorpora protección ESD, cumpliendo con los requisitos de la Directiva Europea 2002/95/EC. Estas características ponen especial énfasis en la eficiencia energética y la fiabilidad.

Áreas de aplicación
Sistemas de control industrial: elVND3NV04TREs adecuado para accionar cargas industriales resistivas, inductivas y capacitivas, aplicable en escenarios como gestión de energía y control de motores. En estas aplicaciones, las funciones de protección del VND3NV04TR evitan daños al dispositivo causados ​​por sobrecorriente o sobrecalentamiento.
Electrónica automotriz: con su amplio rango de temperatura de funcionamiento de -40 °C a 150 °C, el VND3NV04TR es adecuado para diversas aplicaciones de conducción de carga en entornos automotrices. Su robustez le permite soportar las exigentes condiciones de la electrónica del automóvil.
Reemplazo de MOSFET tradicionales: el VND3NV04TR está diseñado específicamente para reemplazar los MOSFET de potencia estándar, ofreciendo confiabilidad e integración mejoradas, particularmente en aplicaciones de CC a 50 kHz. La utilización del VND3NV04TR simplifica el diseño del circuito y reduce la cantidad de componentes externos necesarios.

Resumen
Como MOSFET de potencia totalmente protegido dentro de la familia OMNIFET II™, el STVND3NV04TRintegra funciones de protección integrales con excelentes características eléctricas, brindando una solución altamente confiable para aplicaciones de control industrial y electrónica automotriz.

Electrónica Mingjiadamantiene el suministro a largo plazo delVND3NV04TRdispositivo. Para obtener más información sobre el producto o consultas sobre ejemplos, visite el sitio web de Mingjiada Electronics (https://www.integrated-ic.com/) para ver los detalles del suministro.