ST STL26N60DM6 Transistores MOSFET de potencia MDmesh DM6 de 600 V de alto voltaje de canal N de 15 A
Shenzhen Mingjiada Electronics Co., Ltd. es un distribuidor de componentes electrónicos de renombre mundial que suministra el STL26N60DM6 transistor MOSFET de canal N de alto voltaje. Empleando la avanzada tecnología MDmesh DM6, ofrece un rendimiento de conmutación y eficiencia energética excepcionales en aplicaciones de alto voltaje de 600 V.
El STL26N60DM6 MOSFET de potencia de 600 V de alto voltaje de canal N de 15 A es particularmente adecuado para aplicaciones que exigen alta eficiencia y conmutación rápida, como estaciones de carga de vehículos eléctricos, convertidores de potencia de equipos de telecomunicaciones e inversores solares.
【Aspectos destacados de la tecnología MDmesh DM6】
La serie MDmesh DM6 representa la vanguardia de la tecnología MOSFET de potencia de alto voltaje moderna, profundamente optimizada para convertidores de alta eficiencia y topologías de puente.
En comparación con las generaciones anteriores, la tecnología DM6 ofrece mejoras significativas en la resistencia en estado de conducción por unidad de área, junto con una carga de puerta reducida y características de conmutación superiores.
La principal ventaja de esta tecnología reside en su configuración de capacitancia optimizada y el proceso especializado de supresión de la vida útil.
Esto permite que los MOSFET de la serie DM6 combinen múltiples beneficios: baja carga de puerta (Qg), baja carga de recuperación (Qrr) y corto tiempo de recuperación (trr), lo que los hace particularmente adecuados para circuitos de conmutación de alta frecuencia.
Los dispositivos MDmesh DM6 se someten a pruebas de avalancha al 100% para garantizar la fiabilidad en condiciones de funcionamiento extremas e incorporan protección Zener para una tolerancia excepcional dv/dt.
Estas características hacen que los productos de la serie DM6 como el STL26N60DM6 sean ideales para topologías de puente y convertidores de cambio de fase ZVS.
【STL26N60DM6 Descripción general del producto】
El STL26N60DM6 es un MOSFET de potencia de canal N alojado en un encapsulado de montaje en superficie PowerFlat™ (8x8) HV.
Con una tensión de drenaje-fuente de 600 V y capaz de manejar una corriente de drenaje continua de 15 A, ofrece una disipación de potencia máxima de 110 W a 25°C.
El STL26N60DM6 exhibe una resistencia en estado de conducción máxima de solo 215 miliohmios (a una corriente de 7,5 A y una tensión de puerta de 10 V).
Esta baja resistencia en estado de conducción se traduce directamente en una mayor eficiencia energética y una menor salida térmica, lo que permite un funcionamiento estable en aplicaciones de alta potencia.
El MOSFET presenta una tensión de umbral de puerta máxima de 4,75 V (en condiciones de prueba de 250μA) y un rango de tensión de funcionamiento de puerta de ±25 V.
El STL26N60DM6 exhibe una carga de puerta (Qg) de 24 nC (a una tensión de puerta de 10 V) y una capacitancia de entrada máxima (Ciss) de 940 pF (a una tensión de drenaje-fuente de 100 V).
Estos parámetros aseguran que el STL26N60DM6 logre una conmutación rápida al tiempo que facilita el diseño del circuito del controlador.
El STL26N60DM6 funciona en un amplio rango de temperatura de unión de -55°C a 150°C, lo que permite la adaptación a diversas condiciones ambientales exigentes.
【Ventajas técnicas y características del STL26N60DM6】
Una de las ventajas más notables del STL26N60DM6 son las características de su diodo de cuerpo de recuperación rápida.
En comparación con las generaciones anteriores, la tecnología DM6 logra una reducción significativa en la resistencia en estado de conducción por unidad de área, manteniendo al mismo tiempo pérdidas de conmutación extremadamente bajas.
El dispositivo también exhibe una excepcional robustez dv/dt, con una pendiente de tensión de recuperación del diodo pico de 100 V/ns y una resistencia dv/dt del MOSFET que alcanza igualmente los 100 V/ns.
El STL26N60DM6 se somete a pruebas de avalancha al 100% para garantizar la fiabilidad en condiciones de funcionamiento extremas.
Una estructura de protección Zener proporciona una barrera de seguridad adicional, mientras que un pin de fuente de accionamiento adicional optimiza el rendimiento de la conmutación.
Estas características hacen que el STL26N60DM6 sea una opción ideal para las aplicaciones de alta eficiencia más exigentes, particularmente aquellas que requieren el manejo de un alto dv/dt dinámico en aplicaciones y topologías.
【STL26N60DM6 Áreas de aplicación】
El STL26N60DM6 es adecuado para una amplia gama de aplicaciones de conmutación de potencia, particularmente donde la alta eficiencia y la conmutación rápida son críticas.
En las estaciones de carga de vehículos eléctricos, la capacidad de alto voltaje y las características de conmutación rápida del STL26N60DM6 lo convierten en una opción ideal para la sección de conversión de potencia.
Para equipos de telecomunicaciones o convertidores de potencia de centros de datos, la alta eficiencia y robustez del STL26N60DM6 garantizan un funcionamiento estable del sistema.
En aplicaciones de inversores solares, las características del diodo de recuperación rápida del STL26N60DM6 contribuyen a una mayor eficiencia de conversión de energía.
El STL26N60DM6 es particularmente adecuado para topologías que requieren un manejo estable y confiable del diodo de dv/dt dinámico, como configuraciones de puente completo y medio puente, así como convertidores de cambio de fase de conmutación de tensión cero (ZVS).
Además, el STL26N60DM6 se puede emplear en varios diseños de fuentes de alimentación conmutadas de alta eficiencia, ofreciendo a los ingenieros una solución que cumple con los estrictos estándares de eficiencia energética al tiempo que mantiene la fiabilidad del sistema.
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