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Blog de la compañía Starpower DG40H12T2 1200V 40A Transistor de potencia IGBT de media puente de fase única

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Certificación
Porcelana ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd. certificaciones
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Comentarios de cliente
Fue enviado muy rápidamente, y muy útil, nuevo y original, recomendaría altamente.

—— Nishikawa de Japón

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Compañía El blog
Starpower DG40H12T2 1200V 40A Transistor de potencia IGBT de media puente de fase única
últimas noticias de la compañía sobre Starpower DG40H12T2 1200V 40A Transistor de potencia IGBT de media puente de fase única

Starpower DG40H12T2 1200V 40A Transistor de potencia IGBT de media puente de fase única

 

últimas noticias de la compañía sobre Starpower DG40H12T2 1200V 40A Transistor de potencia IGBT de media puente de fase única 0

 

Descripción del producto
DG40H12T2 es IGBT Power Discrete proporciona pérdida de conducción ultra baja, así como baja pérdida de conmutación.

 

Características
Tecnología IGBT de trinchera con baja VCE (sat)
Baja pérdida de conmutación
Temperatura máxima de unión 175°C
VCE (sat) con coeficiente de temperatura positivo
Recuperación inversa rápida y suave FWD paralelo

 

Aplicaciones típicas
Energía solar
Saldadoras electrónicas
Fuente de alimentación ininterrumpida

Tiempo del Pub : 2024-08-16 13:40:54 >> Lista de las noticias
Contacto
ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd.

Persona de Contacto: Mr. Sales Manager

Teléfono: 86-13410018555

Fax: 86-0755-83957753

Envíe su pregunta directamente a nosotros (0 / 3000)

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