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Blog de la compañía Transistor de energía IGBT de puente medio de fase única DG75X07T2L

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Porcelana ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd. certificaciones
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—— Nishikawa de Japón

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Compañía El blog
Transistor de energía IGBT de puente medio de fase única DG75X07T2L
últimas noticias de la compañía sobre Transistor de energía IGBT de puente medio de fase única DG75X07T2L

Transistor de energía IGBT de puente medio de fase única DG75X07T2L

 

últimas noticias de la compañía sobre Transistor de energía IGBT de puente medio de fase única DG75X07T2L 0

 

Descripción del producto
DG75X07T2L es IGBT Power Discrete proporciona una pérdida de conducción ultra baja, así como una baja pérdida de conmutación.

 

Características
Tecnología IGBT de trinchera con baja VCE (sat)
Capacidad de cortocircuito de 6 μs
Baja pérdida de conmutación
Temperatura máxima de unión 175oC
Cuadro de baja inductancia
VCE (sat) con coeficiente de temperatura positivo
Recuperación inversa rápida y suave FWD paralelo
Embalaje libre de plomo

 

Aplicaciones típicas
Inversores para motor de transmisión
Con un valor de transmisión de una unidad de transmisión de una unidad de transmisión de la otra
Fuente de alimentación ininterrumpida

Tiempo del Pub : 2024-08-13 14:59:28 >> Lista de las noticias
Contacto
ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd.

Persona de Contacto: Mr. Sales Manager

Teléfono: 86-13410018555

Fax: 86-0755-83957753

Envíe su pregunta directamente a nosotros (0 / 3000)

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