Blog de la compañía STMicroelectronics lanza el MOSFET de potencia STRIPFET F8 de canal N - STL320N4LF8

STMicroelectronics presenta los MOSFET de potencia STRIPPFET F8 de canal N -Se trata de un sistema de control de las emisiones de gases de escape.nivel lógico de 40 V de N-canal de grado automotriz, 0,55 mOhm típico, MOSFET de potencia STripFET F8 en paquete PowerFLAT 5x6.

DescripciónDe lasSe trata de un sistema de control de las emisiones de gases de escape.

Los MOSFETs de potencia de canal N cuentan con tecnología STripFET F8 con una estructura de puerta de zanja mejorada.

La resistencia extremadamente baja del producto reduce la capacitancia interna y la carga de la puerta para un conmutación más rápida y eficiente.

Ejemplos de aplicación

• Computadoras y periféricos
• Fuentes de alimentación y convertidores
• Electrodomésticos y aparatos profesionales
• Juegos y drones
• Control del motor

Se trata de un sistema de control de las emisiones de gases de escape.MOSFET de potencia de N-canal mejorado con nivel lógico de modo 40V 0.8mOhm 360A

Fabricante: STMicroelectronics

Categoría de productos: MOSFET

Familia: STripFET F8

Tecnología: Si

Tipo de montaje: SMD/SMT

Polaridad del transistor: canal N

Número de canales: 1

Vds - tensión de ruptura de la fuente de escape: 40 V

Id. Corriente de escape continua: 360 A

Rds encendido - resistencia de descarga de la fuente: 800 uOhms

Vgs - tensión de la fuente de la puerta: - 20 V, + 20 V

Vgs th - voltaje umbral de la fuente de la puerta: 2 V

Carga de la puerta Qg: 43 nC

Temperatura mínima de funcionamiento: - 55 C

Temperatura máxima de funcionamiento: + 175 C

Pd-Disposición de energía: 188 W

Modo de canal: mejorado

Diagrama de bloque deSe trata de un sistema de control de las emisiones de gases de escape.

Configuración del pinDe lasSe trata de un sistema de control de las emisiones de gases de escape.