La Comisión consideró que los importes procedentes de China no constituían ayuda estatal en el sentido del artículo 2 del Reglamento de base.La empresa, líder mundial en distribución de componentes electrónicos, fue fundada en 1996 con más de 20 años de experiencia en la industria.y una red de servicio global que abarca Shenzhen, Hong Kong, Estados Unidos, Japón, y más allá, la compañía proporciona a largo plazo, suministro estable de varios productos de chips de memoria.
Negocio de suministro básico: gama completa de productos de chips de memoria
Los chips de memoria sirven como componentes centrales para el almacenamiento de datos en sistemas electrónicos.memoria volátil y memoria no volátilMingjiada Electronics mantiene disponibilidad de stock a largo plazo para los siguientes productos de chips de memoria:
I. Memoria volátil (RAM)
La memoria volátil depende de una fuente de alimentación continua, lo que resulta en una pérdida completa de datos en caso de interrupción de la energía.lo que lo hace ideal para almacenamiento en caché temporal de datos del sistema y computación de alta velocidad.
1. DRAM (memoria de acceso aleatorio dinámico)
La DRAM requiere ciclos de actualización periódicos. Tiene alta densidad, velocidad rápida y costo moderado, sirviendo principalmente como memoria principal del sistema.
(1) Serie DDR estándar
DDR3/DDR4/DDR5: Memoria estándar universal para escritorios, portátiles y servidores.
Aplicaciones: PC, servidores, centros de datos, control industrial
(2) DDR móvil (LPDDR)
LPDDR4/LPDDR4X/LPDDR5/LPDDR5X: optimizado para dispositivos móviles con bajo consumo de energía y tamaño compacto.
Aplicaciones: teléfonos inteligentes, tabletas, dispositivos portátiles, terminales IoT portátiles
(3) Gráficos DDR (GDDR)
GDDR5/GDDR6: Optimizado para la representación gráfica, utilizado como memoria de tarjeta gráfica que admite procesamiento gráfico de gran ancho de banda
Áreas de aplicación: tarjetas gráficas discretas, consolas de juegos, computación de alto rendimiento
(4) Memoria de gran ancho de banda (HBM)
HBM2/HBM2E/HBM3/HBM3E: chip DRAM de múltiples capas apilados con interconexiones verticales TSV, que ofrece una mayor densidad de almacenamiento y un mayor ancho de banda, utilizado principalmente para entrenamiento/inferencia de IA
Áreas de aplicación: tarjetas aceleradoras de IA, computación de alto rendimiento, centros de datos
(5) DRAM de nicho
Productos de DRAM personalizados de baja capacidad, incluidas las variantes DDR2/DDR3 de baja capacidad, DDR3 inferior a 4 Gb, DDR4 inferior a 8 Gb, etc.
Áreas de aplicación: decodificadores, televisores inteligentes, equipos de vigilancia, electrónica automotriz, sistemas de control industrial
Los principales proveedores son Samsung Electronics, SK Hynix, Micron, Nanya Technology, Winbond Electronics, CRIC y GigaDevice.
2. SRAM (memoria de acceso aleatorio estático)
La SRAM no requiere actualización periódica, almacenando datos a través de la capacidad de autoconservación flip-flop.y un mayor costeSe utiliza principalmente para el almacenamiento en caché de la CPU y el almacenamiento de datos críticos.
Tipos principales:
SRAM asíncrona
SRAM sincrónica
SRAM de baja potencia
Áreas de aplicación: caché de CPU, búfer de dispositivos de red, control industrial, equipos de comunicación
Suministradores principales: Samsung Electronics, SK Hynix, Infineon, Renesas y ON Semiconductor
II. Memoria no volátil
La memoria no volátil retiene los datos almacenados después de la pérdida de energía, por lo que es adecuada para el almacenamiento de datos a largo plazo y la preservación de código.
1. Flash de NAND
NAND Flash cuenta con celdas de almacenamiento conectadas en serie, ofreciendo una alta densidad de almacenamiento, velocidades de escritura rápidas y un menor costo, lo que lo convierte en la opción dominante para almacenamiento de alta capacidad.Mingjiada suministra los siguientes tipos de productos NAND Flash::
(1) Clasificado por densidad de las celdas de almacenamiento:
SLC (Single-Level Cell): almacena 1 bit por célula, ofreciendo un rendimiento superior y una longevidad (100.000 ciclos de programación/borrado), pero con menor capacidad y mayor costo
MLC (Multi-Level Cell): almacena 2 bits por célula, ofreciendo un rendimiento equilibrado, resistencia, capacidad y costo (10.000 ciclos de programa / borrado)
TLC (Triple-Level Cell): almacena 3 bits por célula, con alta capacidad y bajo costo, pero menor resistencia (3,000 ciclos de programación / borrado)
QLC (Quad-Level Cell): almacena 4 bits por célula, ofreciendo aún más capacidad y menor costo, ideal para aplicaciones de lectura intensiva
(2) Por tipo de interfaz:
NAND paralelo: utiliza el protocolo ONFI con interfaces de bus x8 / x16, ofreciendo velocidades de lectura / escritura rápidas para escenarios de almacenamiento de alta capacidad y alta velocidad
SPI NAND: Interfaz en serie compatible con el estándar SPI/QSPI, con tamaño compacto y bajo consumo de energía. Combina las velocidades de lectura rápidas de NOR con la alta capacidad de NAND,ofreciendo un cableado simple y una fuerte compatibilidad
(3) Factores de forma del producto NAND Flash:
Discos de estado sólido (SSD): alta capacidad y velocidades de lectura/escritura rápidas para PC, servidores y centros de datos
Almacenamiento integrado (eMMC/UFS): tamaño compacto y bajo consumo de energía para teléfonos inteligentes, tabletas, electrónica automotriz y dispositivos IoT
Almacenamiento móvil: portátil y extraíble para unidades USB, discos duros externos y tarjetas SD
Áreas de aplicación: unidades de estado sólido, almacenamiento de teléfonos inteligentes, sistemas integrados, tarjetas de memoria, unidades USB, centros de datos
Los principales proveedores: Samsung Electronics, SK Hynix, Kioxia, Micron, Intel, J-Star y GigaDevice
2No hay flash.
NOR Las celdas de memoria flash están conectadas en paralelo, lo que permite operaciones de lectura bit por bit y soporta la ejecución en el lugar (XIP).Las aplicaciones pueden ejecutarse directamente desde la memoria flash sin cargar código en la RAM del sistemaOfrece velocidades de lectura rápidas pero velocidades de escritura/borrado más lentas con una menor densidad de almacenamiento.
Tipos principales:
Interfaz SPI de serie o flash
Paralelo o flash
Áreas de aplicación: firmware de la placa base (BIOS/UEFI), equipos de red, sistemas IoT, auriculares TWS, PC de IA, electrónica automotriz
Principales proveedores: Winbond Electronics, Macronix, GigaDevice, Cypress, Micron y otras empresas de la industria de la electricidad.
3. EEPROM (memoria de sólo lectura programable borrable eléctricamente)
EEPROM es una memoria no volátil, de bajo número de pines, dirigible por byte, utilizada para la gestión flexible de parámetros y el almacenamiento de código pequeño.y escenarios de espacio limitadoApoya la programación en el sistema, con operaciones de borrado y escritura completadas utilizando niveles de alto voltaje.
Tipos principales:
EEPROM en serie (interfaz I2C, interfaz SPI, interfaz de microcable)
EEPROM de página en serie (potencia ultra baja, capacidad de borrado de página)
Áreas de aplicación: almacenamiento de parámetros, conservación de datos de configuración, electrónica de consumo, control industrial, electrónica automotriz, dispositivos IoT
Principales proveedores: STMicroelectrónica, microchip, ON semiconductor
4. Otras memorias no volátiles
(1) NVRAM (memoria de acceso aleatorio no volátil)
SRAM con batería con capacidades de almacenamiento que van desde 16Kb a 32Mb. Disponible en paquetes DIP con baterías integradas o paquetes SOIC de montaje superficial que admiten baterías reemplazables.Algunos modelos incluyen funciones de tiempo y reloj.
(2) Serie de ROM
Máscara ROM: Datos fijados en fábrica, adecuados para productos estandarizados de gran volumen
PROM: programable una sola vez; los datos se conservan permanentemente después de su escritura
EPROM: borrable con ultravioleta, reprogramable varias veces
III. Productos de módulos de almacenamiento
Los módulos de almacenamiento son productos modulares que integran chips de memoria con componentes pasivos, PCB, interfaces, etc., proporcionando interfaces estandarizadas para la funcionalidad plug-and-play.
Tipos principales:
Modulos DRAM (Módulos de memoria): UDIMM (Desktop/Laptop), RDIMM/LRDIMM (Servidor)
Discos de estado sólido (SSD): 2,5 pulgadas, M.2¿ Qué pasa?2, y otras especificaciones de interfaz
Almacenamiento integrado: eMMC, UFS, eMCP, etc.
Almacenamiento móvil: unidades flash USB, tarjetas SD, tarjetas CF, etc.
Los principales proveedores: Samsung, Kioxia, SK Hynix, Kingston, J-Star
Ejemplos de modelos de acciones populares:
Samsung UFS Flash: KLUBG4G1ZF-C0CQ (32GB UFS 2.1, Automoción/móvil)
GigaDevice NAND paralelo: GD9FU1G8F2D (1Gb), GD9FU4G8F4D (4Gb), GD9AU2G8F3A (2Gb con ECC incorporado)
Mingjiada Electronics suministra chips de almacenamiento originales genuinos, apoyando la compra a granel, las ventas de muestras y el suministro estable para satisfacer las necesidades de I + D y producción en masa de varios productos finales.
Información de contacto
Persona de contacto: el Sr. Chen
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