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Blog de la compañía [Proveedor] FF4000UXTR33T2M1 (Infineon) Módulos MOSFET de carburo de silicio: 3.3kV XHPTM 2 CoolSiCTM MOSFET módulos de medio puente

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Porcelana ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd. certificaciones
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Compañía El blog
[Proveedor] FF4000UXTR33T2M1 (Infineon) Módulos MOSFET de carburo de silicio: 3.3kV XHPTM 2 CoolSiCTM MOSFET módulos de medio puente
últimas noticias de la compañía sobre [Proveedor] FF4000UXTR33T2M1 (Infineon) Módulos MOSFET de carburo de silicio: 3.3kV XHPTM 2 CoolSiCTM MOSFET módulos de medio puente

La Comisión consideró que la Comisión no podía tener en cuenta las conclusiones de la Comisión.Se trata de un sistema de control de las emisiones de gases de escape.(Infineon) Módulos MOSFET de carburo de silicio: Módulos MOSFET de medio puente de 3.3kV XHPTM 2 CoolSiCTM

 

Se trata de un sistema de control de las emisiones de gases de escape.: XHP 2 CoolSiCTM MOSFET Half-Bridge Modules están diseñados para un alto rendimiento y fiabilidad.y corriente de pico repetitiva de 1000A, con una temperatura de unión de funcionamiento de hasta +175°C.

 

Se trata de un sistema de control de las emisiones de gases de escape.: Los módulos ofrecen bajas pérdidas de conmutación y alta densidad de corriente, gracias a un diseño inductivo bajo.los módulos proporcionan una alta densidad de potencia en un paquete con un índice de seguimiento comparativo (CTI) superior a 600Una placa base de AlSiC mejora las capacidades de ciclo térmico, haciendo que estos módulos sean ideales para aplicaciones exigentes.

 

Especificación deSe trata de un sistema de control de las emisiones de gases de escape.

Categoría de producto: Módulos MOSFET
Tecnología: Seco
Estilo de montaje: Montura de tornillo
Embalaje / estuche: XHP 2
Polaridad del transistor: N-canal
Vds - Tensión de ruptura de la fuente de drenaje: 3.3 kV
Id - Corriente de drenaje continua: 500 A
Rds encendido - Resistencia de la fuente de drenaje: 4.8 mOhms
Vgs - Tensión de la fuente de la puerta: - 7 V, más 20 V
Vgs th - Tensión de umbral de la fuente de la puerta: 4.3 V
Pd - Disposición de energía: 20 mW
La serie: XHP 2
Tiempo de caída: 60 ns
Tipo de producto: Módulos MOSFET
Tiempo de ascenso: 125 ns
Subcategoría: Módulos discretos y de energía
Nombre comercial: XHP CoolSiC
Tipo de vehículo: Módulo de energía
Tiempo de retraso típico de apagado: 240 ns
Tiempo típico de retraso de encendido: 300 ns
Vf - Tensión hacia adelante: 4.6 V

 

Características deSe trata de un sistema de control de las emisiones de gases de escape.
• Características eléctricas
- VDSS = 3300 V
- IDN = 500 A / IDRM = 1000 A
- Tvj,op = 175 °C
- Bajas pérdidas por cambio
- Alta densidad de corriente
- Bajo diseño inductivo
• Características mecánicas
- Alta densidad de potencia
- Embalaje con CTI > 600
- Alta velocidad de deslizamiento y distancias libres
- Placa base de AlSiC para una mayor capacidad de ciclo térmico
- Substrato de AlN con baja resistencia térmica

 

Las aplicaciones potenciales deSe trata de un sistema de control de las emisiones de gases de escape.
• Las unidades de tracción
• Conversores de alta potencia
• Aplicación de conmutación de alta frecuencia

 

Diagramas deSe trata de un sistema de control de las emisiones de gases de escape.

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Se trata de un sistema de control de las emisiones de gases de escape.: XHPTM 2 CoolSiCTM MOSFET módulo medio puente 3.3kV, 4.0mΩ con tecnología de interconexión.XT para descarbonizar el transporte.

 

Atributos del productoSe trata de un sistema de control de las emisiones de gases de escape.

Serie: XHPTM2
Tecnología: Carburo de silicio (SiC)
Configuración: 2 canales N (medio puente)
Voltagem de desagüe a la fuente (Vdss): 3300V (3,3kV)
Corriente - Desagüe continuo (Id) @ 25°C: 500A (Tc)
Rds encendido (máximo) @ Id, Vgs: 4,8 mOhm @ 500A, 15V
Vgs ((th) (máximo) @ Id: 5,55V @ 450mA
La carga de la puerta (Qg) (máximo) @ Vgs: 2500nC @ 15V
La capacidad de entrada (Ciss) (máximo) @ Vds: 101000pF @ 1800V
Temperatura de funcionamiento: -40 °C ~ 175 °C (TJ)
Tipo de montaje: montaje del chasis
Paquete / estuche: módulo

 

Se trata de un sistema de control de las emisiones de gases de escape.- Resumen de las características

MOSFET CoolSiCTM 3,3 kV
Diodo de carrocería integrado
Carcasa para el XHPTM 2
Tecnología de interconexión.XT


Beneficios deSe trata de un sistema de control de las emisiones de gases de escape.

Eficiencia energética
Alta densidad de potencia
Vida útil mejorada


Las aplicaciones deSe trata de un sistema de control de las emisiones de gases de escape.
Sistemas de almacenamiento de energía
Electrolisis por hidrógeno
Energía fotovoltaica
Tracción

 

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URL de la empresa: El objetivo de la presente Decisión es garantizar que los Estados miembros cumplan los requisitos establecidos en el presente Reglamento.


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Tiempo del Pub : 2024-12-02 11:25:32 >> Lista de las noticias
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Teléfono: 86-13410018555

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