Blog de la compañía [Transistores IGBT de suministro] STGWA40HP65FB2 tipo de zanja corte de campo 650 V 72 A 227 W a través del agujero

Shenzhen Mingjiada Electronics Co., Ltd [Supplies de transistores IGBT] Stock original STGWA40HP65FB2 IGBT Tipo de zanja de campo cortado 650 V 72 A 227 W A través del agujero TO-247 Largo plomo

Características

• Temperatura máxima de unión: TJ = 175 °C
• El valor de la potencia de conversión de la corriente eléctrica de la unidad de alimentación se calculará en función de la potencia de conversión de la corriente eléctrica de la unidad.
• Diodo de protección envasado
• Corriente de cola mínima
• Distribución de parámetros estrechos
• Baja resistencia térmica
• Coeficiente de temperatura VCE (saturación) positivo

Aplicaciones

• Saldado
• Corrección del factor de potencia

Parámetros

Tipo IGBT: límite de campo de zanja

Válvula de voltaje - Descomposición del colector (máximo): 650 V

Corriente - colector (Ic) (máximo): 72 A

Corriente - Pulso del colector (Icm): 120 A

Vce ((on) a Vge variable, Ic (máximo): 2V @ 15V, 40A

Potencia máxima: 227 W

Energía de conmutación: 410 μJ (apagado)

Tipo de entrada: estándar

Carga de la puerta: 153 nC

Td (encendido/apagado) Valor a 25°C: -/125ns

Condiciones de ensayo: 400 V, 40 A, 4,7 Ohms, 15 V

Tiempo de recuperación inverso (trr): 140 ns

Temperatura de funcionamiento: -55 °C ~ 175 °C (TJ)

Tipo de montaje: a través del agujero

Paquete/Alojamiento: TO-247-3

Paquete de dispositivos del proveedor: TO-247 de larga duración

Por favor llame al Sr. Chen:

Tel: +86 13410018555

El correo electrónico: sales@hkmjd.com

Página web:La Comisión ha adoptado una decisión sobre la aplicación de la presente Decisión.