Blog de la compañía Suministro Infineon AIKBE50N65RF5 Transistor IGBT híbrido discreto para automóviles

Suministro Infineon AIKBE50N65RF5 Transistor IGBT híbrido discreto para automóviles

Descripción
AIKBE50N65RF5 has developed a hybrid of 650V TRENCHSTOP™ 5 AUTO fast-switching IGBT and CoolSiC™ Schottky Diode to enable a cost-efficient performance boost for fast switching automotive applications such as On-Board Charger, PFC, DC-DC.

Características
Voltado de corte de 650 V
IC = 50 A
Mejor eficiencia en su clase
TrenchstopTM 5 con IGBT de conmutación rápida
Diodo CoolSiCTM Schottky G5
Carga de puerta baja QG
Temperatura máxima de unión Tvjmax = 175°C
Conexión del emisor en Kelvin

Beneficios
Máxima fiabilidad frente a las condiciones ambientales
Aumento de la eficiencia del sistema
Mejor relación rendimiento/coste para las topologías de conmutación dura
Apoyo a los diseños bidireccionales de los cargadores a bordo

Aplicaciones
Cargador incorporado
Conversor de corriente continua