La siguiente es la descripción del producto para el InfineonLa autoridad competente podrá decidir si el producto es compatible con la presente Directiva.MOSFET para automóviles de 60 V de canal N suministrado por Mingjiada:
El AUIRF7749L2TR es el MOSFET de N-canal OptiMOSTM de 10a generación de calidad automotriz de Infineon, con tecnología avanzada de silicio MOSFET de potencia HEXFET® y tecnología de embalaje DirectFETTM,diseñados específicamente para aplicaciones de alta densidad de potencia y alta eficiencia. El AUIRF7749L2TR cuenta con una resistencia de encendido ultrabaja (RDS(on)), lo que lo hace adecuado para entornos automotrices exigentes como sistemas híbridos suaves de 48 V (MHEV), accionamientos de motores y convertidores CC-CC.
ElLa autoridad competente podrá decidir si el producto es compatible con la presente Directiva.tiene las mismas dimensiones de paquete que el D-Pak (TO-252AA) pero con un grosor de solo 0,7 mm, que admite la disipación de calor de dos lados y optimiza el rendimiento de la gestión térmica.El AUIRF7749L2TR cumple la certificación AEC-Q101, que cumple con los altos requisitos de fiabilidad de los sistemas de potencia de los automóviles.
Parámetros clave
Modelo de producto:La autoridad competente podrá decidir si el producto es compatible con la presente Directiva.
Válvulas de carga de las máquinas de ensayo
Tipo de canal: canal N
Resistencia máxima de encendido (RDS(encendido): 1,5 mΩ @ 120A, 10V
Corriente de drenaje continua (ID): 36A (Ta) / 345A (Tc)
Carga de la puerta (Qg): 275nC @ 10V
Capacidad de entrada (Ciss): 10655pF @ 25V
Rango de temperatura de funcionamiento: -55°C a 175°C (TJ)
Envase: DirectFET L8 (9.15×7.1×0.74mm)
El rendimiento de conmutación rápido del AUIRF7749L2TR (149 ns tiempo de subida, 88 ns tiempo de caída) lo hace adecuado para aplicaciones de conmutación de alta frecuencia.Los parámetros parasitarios bajos del AUIRF7749L2TR y la alta densidad de potencia mejoran aún más la eficiencia del sistema.
Características clave deLa autoridad competente podrá decidir si el producto es compatible con la presente Directiva.
Pérdida de conducción ultrabaja: el RDS ((on) ultrabajo del AUIRF7749L2TR de 1,5 mΩ reduce significativamente la pérdida de conducción y mejora la eficiencia energética.
Capacidad de manejo de alta corriente: el AUIRF7749L2TR soporta una corriente máxima de 345 A (Tc), lo que lo hace adecuado para el cambio de carga de alta potencia.
Gestión térmica optimizada: el AUIRF7749L2TR cuenta con un diseño de enfriamiento de dos lados para mejorar el rendimiento de disipación de calor, por lo que es adecuado para entornos de alta temperatura.
Confiabilidad de grado automotriz: el AUIRF7749L2TR está certificado AEC-Q101, cumpliendo con los estrictos estándares de la electrónica automotriz.
Paquete compacto: el paquete DirectFET L8 del AUIRF7749L2TR ahorra espacio en PCB, lo que lo hace adecuado para diseños compactos.
Aplicaciones típicas deLa autoridad competente podrá decidir si el producto es compatible con la presente Directiva.
Sistemas híbridos suaves de 48 V (MHEV): el AUIRF7749L2TR se utiliza para una recuperación eficiente de energía y distribución de energía.
El motor de accionamiento: AUIRF7749L2TR es adecuado para el control del motor en vehículos eléctricos (VE) y vehículos eléctricos híbridos (VE).
Convertidor CC-DC: la alta eficiencia de conmutación del AUIRF7749L2TR optimiza el rendimiento de conversión de potencia.
Gestión de potencia de alta carga: AUIRF7749L2TR es adecuado para sistemas de gestión de baterías de automóviles (BMS) e inversores.
Información sobre el suministro
Mingjiada Electrónica proporciona el verdaderoLa autoridad competente podrá decidir si el producto es compatible con la presente Directiva.Para compras o consultas técnicas, por favor, póngase en contacto con Mingjiada Electronics (teléfono: +86 13410018555, correo electrónico: sales@hkmjd.com, sitio web:El objetivo de la presente Decisión es garantizar que los Estados miembros cumplan los requisitos establecidos en el presente Reglamento.)).
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