Suministro de productos GaN de Infineon: Interruptor bidireccional GaN, Controlador GaN, Smart GaN, Transistor GaN
Shenzhen Mingjiada Electronics Co., Ltd.,como proveedor líder de componentes electrónicos en China, aprovecha su sólida red de cadena de suministro y sus capacidades profesionales de servicio en la industria para proporcionar a los clientes productos originales estables y confiables.
Los productos principales incluyen:chips 5G, ICs de nueva energía, ICs de IoT, ICs de Bluetooth, ICs de redes de vehículos, ICs de grado automotriz, ICs de comunicación, ICs de inteligencia artificial, ICs de memoria, ICs de sensores, ICs de microcontroladores, ICs de transceptores, ICs de Ethernet, chips WiFi, módulos de comunicación inalámbrica, conectores y otros componentes electrónicos.
La empresa tiene las siguientes ventajas principales en el suministro:
Suministro directo de fabricantes originales y garantía de calidad: Todos los productos se adquieren a través de canales autorizados para garantizar productos originales 100% genuinos, con números de lote completos del fabricante original proporcionados.
Adquisición escalable y optimización de costos: A través de una profunda cooperación con múltiples marcas conocidas y la ventaja de la adquisición a gran escala, la empresa puede reducir significativamente el costo general de los componentes electrónicos, ofreciendo a los clientes precios altamente competitivos.
Capacidades de entrega flexibles y rápidas: El almacén central de Shenzhen y el almacén de depósito de Hong Kong operan en tándem, soportando la entrega exprés en 48 horas, con pedidos urgentes capaces de ser enviados a nivel nacional en 24 horas.
Nitruro de Galio (GaN)
CoolGaN™ – Dispositivos discretos y soluciones integradas que ofrecen la mayor eficiencia y densidad de potencia para electrónica de consumo, aplicaciones industriales y automotrices.
Productos y aplicaciones de interruptores bidireccionales GaN de Infineon
Los interruptores bidireccionales (BDS) de la serie CoolGaN™ de Infineon representan una importante dirección de innovación para la tecnología GaN en aplicaciones de conversión de energía. Los dispositivos de interruptor bidireccional de 40V de Infineon se fabrican utilizando tecnología avanzada de proceso GaN-on-Si, integrando dos HEMTs GaN (transistores de alta movilidad de electrones) de alto rendimiento para permitir el control de corriente bidireccional dentro de un solo paquete, simplificando significativamente el diseño del circuito y mejorando la fiabilidad del sistema. Estos dispositivos presentan una resistencia extremadamente baja en estado de conducción (valores típicos de 1,1 mΩ a 2,3 mΩ) y velocidades de conmutación ultrarrápidas, soportando frecuencias de funcionamiento de hasta 2MHz—5 a 10 veces el rendimiento de los MOSFETs tradicionales basados en silicio—lo que los hace particularmente adecuados para aplicaciones que requieren un funcionamiento de alta frecuencia y alta eficiencia.
La principal ventaja tecnológica de los interruptores bidireccionales GaN reside en la ausencia de características de recuperación inversa del diodo del cuerpo. A diferencia de los dispositivos basados en silicio, los dispositivos GaN no generan corriente de recuperación inversa durante la conducción inversa, eliminando fundamentalmente las pérdidas de conmutación y los problemas de EMI causados por la recuperación inversa del diodo del cuerpo en los MOSFETs tradicionales. Los interruptores bidireccionales CoolGaN™ de Infineon también emplean tecnología innovadora de accionamiento de puerta para garantizar la estabilidad y fiabilidad del dispositivo en condiciones de conmutación de alta frecuencia, al tiempo que simplifican el diseño del circuito de accionamiento. Estas características permiten que los interruptores bidireccionales GaN funcionen excepcionalmente bien en aplicaciones que requieren flujo de energía bidireccional, como la rectificación síncrona, los puentes H de accionamiento de motor y la carga inalámbrica.
Controladores GaN de Infineon y soluciones de dispositivos inteligentes
La línea de productos de controladores GaN de Infineon incluye controladores de puerta independientes y módulos de potencia inteligentes (IPM) altamente integrados, que están optimizados para las características únicas de los dispositivos de potencia GaN para aprovechar al máximo las ventajas de alta frecuencia y alta eficiencia de la tecnología GaN. En particular, los circuitos integrados de potencia inteligentes como el NV6133A, que integran interruptores y controladores GaN, utilizan la tecnología GaNSense™ para permitir la detección de corriente sin pérdidas y funciones de protección completas, simplificando significativamente el diseño del sistema y mejorando la fiabilidad.
El circuito integrado de potencia GaNFast™ es la serie insignia de la línea de productos de controladores GaN de Infineon. El chip NV6133A integra interruptores y controladores GaN de alto rendimiento, soporta un amplio rango VCC de 10 a 30V, ofrece dV/dt de encendido programable y proporciona inmunidad dV/dt de 200V/ns. El dispositivo presenta una clasificación de voltaje transitorio de 800V y una clasificación de voltaje continuo de 700V, con una resistencia en estado de conducción de solo 330mΩ y soporte para frecuencias de funcionamiento de hasta 2MHz. Su tecnología GaNSense™ integrada proporciona funciones inteligentes como protección contra cortocircuitos, protección contra sobretemperatura y un modo de espera autónomo de baja corriente, eliminando las pérdidas de potencia de las resistencias de muestreo en los diseños tradicionales y mejorando aún más la eficiencia y fiabilidad del sistema.
Serie de transistores GaN de Infineon
La línea de productos de transistores GaN de Infineon cubre una amplia gama de requisitos de aplicación de media a alta tensión, incluyendo la serie completa de transistores GaN como CoolGaN™ G3 (media tensión), CoolGaN™ G5 (alta tensión) y la serie industrial IGT. Estos dispositivos se fabrican utilizando procesos avanzados de obleas de 8 pulgadas, mejorando significativamente la densidad de potencia, la frecuencia de conmutación y el rendimiento de la gestión térmica, lo que los hace adecuados para aplicaciones de vanguardia, desde electrónica de consumo hasta fuentes de alimentación industriales.
La serie CoolGaN™ G3 está optimizada para aplicaciones de media tensión, con un rango de tensión de 40V a 120V. Utiliza paquetes estandarizados RQFN 5x6 y 3.3x3.3, que son compatibles con los pines MOSFET tradicionales basados en silicio, lo que facilita la migración del diseño para los clientes. Estos dispositivos presentan una resistencia extremadamente baja en estado de conducción (1,1 mΩ a 2,3 mΩ) y una excelente estabilidad térmica cíclica, lo que los hace particularmente adecuados para aplicaciones de conmutación de alta frecuencia. En los diseños de carga rápida USB-C, los transistores GaN de la serie G3 logran una eficiencia de más del 95% al tiempo que reducen el tamaño de la fuente de alimentación en más del 50%; en los accionamientos de motor y las fuentes de alimentación de telecomunicaciones, sus características de alta frecuencia ayudan a reducir el tamaño de los componentes del filtro y a mejorar el ancho de banda de control.
La serie CoolGaN™ G5 es el producto estrella de Infineon para aplicaciones de alta tensión, que funciona a tensiones de hasta 650V. Emplea la innovadora tecnología GIT (Gate Injection Transistor), logrando una mejora de la eficiencia del 3% al 5% con respecto a las generaciones anteriores. Los transistores GaN de la serie G5 presentan pérdidas de conmutación extremadamente bajas, soportando frecuencias de funcionamiento de cientos de kHz a MHz, al tiempo que ofrecen una excelente inmunidad dv/dt y capacidad de resistencia a cortocircuitos. En aplicaciones de inversores fotovoltaicos, los dispositivos G5 logran eficiencias de conversión superiores al 99%, mejorando significativamente la producción de energía de los sistemas de generación de energía. En las fuentes de alimentación de servidores y los cargadores a bordo de vehículos eléctricos (OBC), su alta densidad de potencia permite diseños de sistemas más compactos.
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