Los transistores de Infineon IKW50N65EH5 IGBTs de la fuente, microcontrolador MCUs del ST de la fuente, EN los transistores de IGBT, el TI LED conducen los ICs
Solos transistores de IGBTs de la fuente
IKW50N65EH5 - foso 650 V 80 A 275 W de IGBT a través del agujero PG-TO247-3
Número de parte | IKW50N65EH5 |
Tipo de IGBT
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Foso
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Voltaje - avería del emisor del colector (máxima)
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650 V
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Actual - colector (Ic) (máximo)
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80 A
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Actual - colector pulsado (Icm)
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200 A
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Vce (encendido) (máximo) @ Vge, Ic
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2.1V @ 15V, 50A
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Poder - máximo
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275 W
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Energía que cambia
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1.5mJ (encendido), 500µJ (apagado)
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Tipo entrado
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Estándar
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Carga de la puerta
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120 nC
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TD (con./desc.) @ 25°C
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25ns/172ns
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Condición de prueba
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400V, 50A, 12Ohm, 15V
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Tiempo de recuperación reversa (trr)
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81 ns
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Temperatura de funcionamiento
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-40°C ~ 175°C (TJ)
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Montaje del tipo
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A través del agujero
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Paquete/caso
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TO-247-3
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Paquete del dispositivo del proveedor
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PG-TO247-3
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