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Suministro Infineon IRF100P218 Transistores MOSFET de canal N de un solo conductor
Descripción
IRF100P218 son transistores de MOSFETs de canal único N.
Características
Rds muy bajos
La carga de la puerta excelente x Rds ((on) (FOM)
Qrr optimizado
Temperatura de funcionamiento de 175°C
Validación del producto según la norma JEDEC
Optimizado para una mayor disponibilidad de los socios de distribución
Beneficios
Reducción de las pérdidas de conducción
Ideal para alta frecuencia de conmutación
Voltagem de sobrecarga más baja
Aumento de la fiabilidad en comparación con las piezas con temperatura nominal de 150 °C
Sin halógenos de acuerdo con la norma IEC 61249-2-21