Blog de la compañía Suministro de producto MOSFET de Infineon:MOSFET automotriz,MOSFET de potencia de canal N,MOSFET de potencia de canal P

Suministro de producto MOSFET de Infineon:MOSFET automotriz,MOSFET de potencia de canal N,MOSFET de potencia de canal P

La Comisión consideró que los importes procedentes de China no constituían ayuda estatal en el sentido del artículo 2 del Reglamento de base.Como proveedor líder de componentes electrónicos en China, se adhieren a la filosofía empresarial de "trabajo duro, honestidad e integridad",proporcionar a los clientes servicios de suministro de componentes electrónicos de alta calidad.

Nuestro negocio principal:IC IC, chip 5G, IC de nueva energía, chip IoT, chip Bluetooth, chip automotriz, IC de inteligencia artificial, IC Ethernet, chips de memoria, sensores, módulos IGBT y una serie de productos.

Productos MOSFET y características técnicas para el sector automotriz
En el campo de la electrónica automotriz, los productos MOSFET de grado automotriz de Infineon se han convertido en el punto de referencia de la industria por su excelente fiabilidad y rendimiento.Con el desarrollo acelerado de la electrificación automotriz y las tendencias de inteligencia, la demanda de dispositivos de potencia en sistemas electrónicos de automóviles ha mostrado un crecimiento explosivo.y son capaces de hacer frente a los desafíos de la alta temperatura, alta humedad, vibración y otras condiciones ambientales adversas en aplicaciones automotrices.

Los productos MOSFET para automóviles se utilizan ampliamente en varios sistemas clave de vehículos eléctricos:
Sistemas de transmisión: para componentes básicos como los inversores de accionamiento del motor y los convertidores CC-CC, como el control del motor BSG en los sistemas híbridos suaves de 48 V.
Sistema de gestión de la batería (BMS): desempeña un papel clave en el control de carga y descarga del paquete de baterías, la ecualización de la batería y otros circuitos para garantizar el funcionamiento seguro de la batería de potencia.
Sistema de alimentación a bordo: incluye OBC (cargador a bordo), LDC (convertidor de bajo voltaje CC-DC), etc., que proporciona una conversión de potencia estable y fiable para todo el vehículo.
Sistema electrónico de carrocería del vehículo: aplicado a subsistemas como el control de la lámpara, el asiento eléctrico, el accionamiento del compresor de aire acondicionado, etc., para mejorar el nivel de comodidad e inteligencia de todo el vehículo.

Productos y aplicaciones de MOSFET de potencia de canal N
Los MOSFET de potencia de canal N, como los dispositivos de conmutación centrales en los sistemas de energía electrónica, desempeñan un papel irremplazable en todo tipo de aplicaciones de conversión de potencia y control de motores.la línea de productos MOSFET de potencia de canal N cubre una amplia gama de voltajes, desde baja tensión (< 100 V) hasta alta tensión (hasta 1 kV), y emplea plataformas tecnológicas avanzadas como OptiMOSTM y CoolMOSTM, proporcionando una fuente de alimentación de alta eficiencia y fiable en el sector industrial,sectores de consumo y comunicación con soluciones altamente eficientes y fiables.

Los MOSFET de potencia de canal N se utilizan ampliamente en las siguientes aplicaciones:
Sistemas de alimentación industrial: incluidas las fuentes de alimentación de servidores, las fuentes de alimentación de comunicaciones y las fuentes de alimentación de CA-CC industriales,como diseños de fuente de alimentación de alta eficiencia basados en la topología de resonancia LLC.
Control del motor: se utiliza en equipos de automatización industrial, como inversores, servo accionamientos, etc., para lograr un control preciso de la velocidad del motor y el par.
Sistemas de energía renovable: como dispositivos de conmutación clave en equipos de nueva energía como inversores fotovoltaicos y convertidores de energía eólica.
Fuente de alimentación para electrónica de consumo: incluidos los circuitos de gestión de energía para productos de consumo, como adaptadores de portátiles y placas de alimentación de televisores.

MOSFETs de potencia de canal P y soluciones de sistema
Aunque los MOSFET de canal N dominan el campo de la electrónica de potencia, los MOSFET de potencia de canal P tienen ventajas insustituibles en escenarios de aplicación específicos.Los productos MOSFET de alimentación por canal P de Infineon ofrecen soluciones ideales para aplicaciones como la gestión de energía de gama altaEn comparación con los dispositivos de canal N, los MOSFET de canal P permiten un control de conmutación de gama alta sin la necesidad de circuitos adicionales de accionamiento de puertas.simplificando en gran medida la complejidad del diseño del sistema.

Los MOSFET de potencia de canal P ofrecen las siguientes características técnicas clave:
Optimizada resistencia de encendido: a través de una tecnología de proceso avanzada, se puede lograr un rendimiento RDS ((on) cercano al de los dispositivos de canal N con el mismo área de chip, por ejemplo.RDS ((on) para productos de -30V puede ser tan bajo como 10mΩ nivel.
Diseño simplificado de la unidad: los MOSFET de canal P pueden ser accionados directamente por señales de nivel lógico, eliminando la necesidad de circuitos de arranque o unidades aisladas,que los hace especialmente adecuados para aplicaciones de conmutación de gama alta con control de lado bajo.
Características de seguridad mejoradas: Algunos modelos integran protección contra sobrecorriente y protección contra sobre temperatura para mejorar la fiabilidad del sistema.
Opciones de paquetes diversificados: SOT-23, SO-8, TO-252 y otras formas de paquetes están disponibles para satisfacer los requisitos de diseño de diferentes niveles de potencia y limitaciones de espacio.

Los MOSFET de potencia de canal P muestran un valor único en los siguientes escenarios de aplicación:
Gestión de la ruta de alimentación: Se utiliza en dispositivos alimentados por baterías para multiplexación de energía, conmutación de carga y otras funciones, como los circuitos de conmutación de energía en computadoras portátiles.
Circuitos de protección de la batería: se utilizan junto con los MOSFET de canal N para formar un sistema completo de protección de carga y descarga de la batería, evitando situaciones peligrosas como la sobrecarga,sobre descarga y cortocircuito.
Control de conmutación de gama alta: reduce significativamente el número de componentes y el área de PCB en aplicaciones de conmutación de gama alta que requieren una lógica de control simple.
Circuitos de conversión de nivel: para la conversión de señales entre diferentes dominios de voltaje, simplificando el diseño de la interfaz.