Blog de la compañía [Suministro] MOSFET de carburo de silicio Infineon_IMZA120R014M1H_CoolSiC™ 1200 V, 14 mΩ SiC Trench MOSFET

Shenzhen Mingjiada Electronics Co., Ltd. ofrece disponibilidad inmediata del MOSFET de zanja SiC CoolSiC™ de 1200 V, 14 mΩ de Infineon, el IMZA120R014M1H, en un encapsulado TO247-4.

IMZA120R014M1H Descripción del producto
El IMZA120R014M1H es un MOSFET SiC CoolSiC™ de 1200 V de Infineon Technologies que utiliza tecnología de semiconductores de zanja avanzada, ofreciendo un equilibrio óptimo entre rendimiento y fiabilidad. Alojado en un encapsulado TO247-4, este MOSFET SiC IMZA120R014M1H incorpora consideraciones de diseño para minimizar los efectos de la inductancia parásita de la fuente, lo que permite velocidades de conmutación más rápidas y una mayor eficiencia del sistema.

En comparación con los dispositivos de conmutación convencionales basados en silicio, como los IGBT y los MOSFET, el MOSFET CoolSiC™ IMZA120R014M1H ofrece una serie de ventajas significativas: Posee la carga de puerta y los niveles de capacitancia del dispositivo más bajos entre los dispositivos de conmutación de 1200 V, presenta un diodo de cuerpo con pérdida de recuperación inversa cero, exhibe pérdidas de conmutación que prácticamente no se ven afectadas por la temperatura y ofrece características de encendido sin un voltaje de rodilla. Estas características hacen que el IMZA120R014M1H sea muy adecuado para topologías de conmutación dura y conmutación resonante.

El IMZA120R014M1H incorpora tecnología de unión por difusión XT para un rendimiento térmico superior, mientras que su robusto diodo de cuerpo de baja pérdida es particularmente adecuado para aplicaciones de conmutación dura exigentes.

Especificaciones
Los parámetros técnicos clave para el IMZA120R014M1H son los siguientes:
Tipo de FET: Canal N
Tecnología: SiC FET (carburo de silicio)
Tensión drenaje-fuente (Vdss): 1200 V
Corriente de drenaje continua (Id): 127 A (Tc)
Tensión de accionamiento: 15 V, 18 V (Rds On máximo, Rds On mínimo)
Resistencia en estado activo (máxima): 18,4 mΩ @ 54,3 A, 18 V
Tensión de umbral de puerta (Vgs(th)): 5,2 V @ 23,4 mA
Carga de puerta (Qg): 145 nC @ 18 V
Tensión de puerta (Vgs): +20 V, -5 V
Capacitancia de entrada (Ciss): 4580 pF @ 25 V
Disipación de potencia (máx.): 455 W (Tc)
Temperatura de funcionamiento: -55°C a 175°C (TJ)
Tipo de montaje: A través de orificio
Paquete/Carcasa: PG-TO247-4-8

Estos destacados parámetros demuestran que el IMZA120R014M1H ofrece un rendimiento y una estabilidad excepcionales en diversas aplicaciones de alta tensión y alta potencia.

Características del IMZA120R014M1H
VDSS = 1200 V a Tvj = 25°C
IDDC = 127 A a TC = 25°C
RDS(on) = 14 mΩ a VGS = 18 V, Tvj = 25°C
Pérdidas de conmutación extremadamente bajas
Tiempo de resistencia a cortocircuitos: 3 µs
Tensión de umbral de puerta de referencia, VGS(th) = 4,2 V
Resistente a la conducción parásita, lo que permite el apagado con tensión de puerta de 0 V
Diodo de cuerpo robusto adecuado para la conmutación dura
La tecnología de interconexión XT de Infineon ofrece un rendimiento térmico líder en la industria

Aplicaciones típicas
El IMZA120R014M1H es ideal para diversas aplicaciones de electrónica de potencia de alto rendimiento, incluyendo, entre otras:
Estaciones de carga de vehículos eléctricos: Ofreciendo una conversión de energía eficiente y rápida
UPS industriales/UPS en línea: Garantizando un suministro de energía continuo y estable
Optimizadores solares y controladores universales: Mejorando la eficiencia del sistema de generación de energía solar
Circuitos de corrección del factor de potencia (PFC): Mejorando la calidad de la red
Topologías bidireccionales y convertidores CC-CC: Permitiendo el flujo de energía bidireccional y la conversión de tensión CC
Inversores CC-CA: Convirtiendo la corriente continua en corriente alterna

El IMZA120R014M1H destaca en estas aplicaciones principalmente debido a sus excepcionales características de conmutación y bajas pérdidas de conducción. Mejora significativamente la eficiencia del sistema y la densidad de potencia, al tiempo que reduce la complejidad del sistema y los requisitos de refrigeración.

Información de contacto
Si está interesado en el MOSFET de zanja SiC CoolSiC™ de 1200 V IMZA120R014M1H de Infineon, no dude en ponerse en contacto con Mingjiada Electronics.

Contacto: Sr. Chen
Teléfono: +86 13410018555
Correo electrónico: sales@hkmjd.com
Sitio web: www.integrated-ic.com