Blog de la compañía [Proveedor] M29F800FB5AN6E2 (Micron) Chips de IC de memoria: 8Mbit paralelo NOR flash IC de memoria incorporada

[Proveedor]M29F800FB5AN6E2(Micrones) Chip de IC de memoria: IC de memoria integrada paralela de 8Mbit o flash

La Comisión consideró que los importes procedentes de China no constituían ayuda estatal en el sentido del artículo 2 del Reglamento de base.️[Proveedor]M29F800FB5AN6E2(Micron) IC de memoria integrada paralela de 8 Mbit NOR Flash, a continuación se presentan los detalles del producto para la memoria M29F800FB5AN6E2:

Información básica:
Número de la parte:M29F800FB5AN6E2
Paquete: TSOP-48
Tipo: NOR IC de memoria flash

Resumen general:
M29F800FB5AN6E2es un dispositivo de memoria no volátil de 8 Mbit. M29F800FB5AN6E2 permite las operaciones READ, ERASE y PROGRAM utilizando una sola fuente de baja tensión (4.5 5.5V).el dispositivo está en modo de lectura por defecto y se puede leer de la misma manera que una ROM o EPROM.

M29F800FB5AN6E2 se divide en bloques que pueden borrarse independientemente, preservando los datos válidos mientras se borran los datos antiguos.Cada bloque puede ser protegido de forma independiente para evitar que las operaciones accidentales de PROGRAMA o ERASE modifiquen la memoriaLos comandos PROGRAM y ERASE se escriben en la interfaz de comandos.Un controlador de programación/borrado en el chip simplifica el proceso de programación o borrado del dispositivo mediante la gestión de las operaciones necesarias para actualizar el contenido de la memoria.

El conjunto de comandos requeridos para controlar la memoria es consistente con los estándares JEDEC.

El M29F800FB5AN6E2#, OE# y WE# controlan el funcionamiento del bus de la memoria.M29F800FB5AN6E2 se ofrece en paquetes TSOP de 48 pines (12 mm x 20 mm).

Características del producto del M29F800FB5AN6E2
Tipo de memoria: no volátil
Formato de memoria: Flash
Tecnología: FLASH - NOR
Tamaño de la memoria: 8Mbit
Organización de la memoria: 1M x 8, 512K x 16
Interfaz de memoria: paralela
Escribir tiempo de ciclo - palabra, página: 55ns
Tiempo de acceso: 55 ms
Voltado - Alimentación: 4,5 V ~ 5,5 V
Temperatura de funcionamiento: -40 °C ~ 85 °C (TA)
Tipo de montaje: montaje de superficie
Paquete / caja: 48-TFSOP (0,724", 18,40 mm de ancho)
Paquete de dispositivos del proveedor: 48-TSOP I

Características del M29F800FB5AN6E2
• Tensión de alimentación VCC = 5V
• Tiempo de acceso: 55 segundos
• Controlador de programación/borrado
Los algoritmos de programación de bytes/palabras incorporados
• Borrar los modos de suspensión y reanudación
• Bajo consumo energético
¢ En espera y en espera automática
• 100.000 ciclos de programación/borrado por bloque
• Firma electrónica Código del fabricante: 0x01h
• Envases compatibles con la Directiva RoHS

Diagrama lógico del M29F800FB5AN6E2

El micrónM29F800FB5AN6E2es una memoria flash NOR de 8Mbit de alto rendimiento y alta fiabilidad. La M29F800FB5AN6E2 es adecuada para una amplia gama de escenarios de aplicación que requieren almacenamiento de datos confiable y velocidades de lectura rápidas.Su tecnología madura y estableLas características económicas y fáciles de usar lo convierten en una opción ideal para sistemas integrados, control industrial y electrónica automotriz.

Mingjiada Electronics ha estado suministrando [Micron]M29F800FB5AN6E2Para obtener más información sobre el producto sobre la memoria M29F800FB5AN6E2, consulte el sitio web oficial de Mingjiada Electronics (El objetivo de la presente Decisión es garantizar que los Estados miembros cumplan los requisitos establecidos en el presente Reglamento.)).