Blog de la compañía Suministro de productos MACOM GAN MMICS: Amplificador distribuido GaN, Módulo frontal GaN, Amplificador de potencia GaN

Suministro de productos MACOM GAN MMICS: Amplificador distribuido GaN, Módulo frontal GaN, Amplificador de potencia GaN

Shenzhen Mingjiada Electronics Co., Ltd.,como distribuidor global líder de componentes electrónicos, aprovecha su sólida red de cadena de suministro, servicios profesionales, precios competitivos y un enfoque confiable para proporcionar a los clientes soluciones integrales de componentes electrónicos.

Los productos principales incluyen:chips 5G, ICs de nueva energía, ICs de IoT, ICs de Bluetooth, ICs de redes de vehículos, ICs de grado automotriz, ICs de comunicación, ICs de inteligencia artificial, etc. Además, la empresa suministra ICs de memoria, ICs de sensores, ICs de microcontroladores, ICs de transceptores, ICs de Ethernet, chips WiFi, módulos de comunicación inalámbrica, conectores y otros componentes electrónicos.

Sus ventajas de suministro se reflejan principalmente en los siguientes aspectos:

Red de cadena de suministro global: Las asociaciones directas con marcas internacionales garantizan el suministro de productos genuinos y eliminan los productos falsificados o de calidad inferior.

Inventario en stock y entrega rápida: Los grandes centros de almacenamiento en Shenzhen, Hong Kong y otras ubicaciones permiten el envío en 24 horas, especialmente adecuado para los requisitos de muestras de I+D y pedidos urgentes.

Competitividad de precios: Reducción de los costos para los clientes a través de compras al por mayor, con descuentos adicionales disponibles para pedidos grandes, proporcionando a los clientes soluciones rentables.

Soluciones de adquisición flexibles: Soporte de adquisición desde muestras de lotes pequeños hasta pedidos de producción a gran escala, satisfaciendo las necesidades de los clientes en todas las etapas, desde la producción piloto de I+D hasta la producción en masa.

MMIC de GaN

La cartera de productos MMIC de GaN de MACOM está a la vanguardia del rendimiento de la industria, aprovechando más de 30 años de experiencia comprobada en el diseño de sistemas aeroespaciales y de defensa. Al adoptar las tecnologías de proceso GaN-on-SiC y GaN-on-Si, MACOM es compatible con las arquitecturas de sistemas de próxima generación en una amplia gama de aplicaciones, desde radares de matriz en fase hasta comunicaciones por satélite y equipos de prueba y medición de precisión. Empujando continuamente los límites en términos de tamaño, peso y rendimiento, MACOM ofrece innovadores amplificadores de potencia GaN, amplificadores de bajo ruido e interruptores que cubren rangos de frecuencia desde CC hasta más de 100 GHz.

Características técnicas y de producto del amplificador distribuido GaN de MACOM

Los amplificadores distribuidos GaN son un componente clave de la línea de productos MMIC de MACOM y una de las principales categorías de productos suministrados por Mingjiada Electronics. Estos amplificadores utilizan una arquitectura de amplificación distribuida, que combina múltiples unidades de ganancia de transistores de forma distribuida dentro de las líneas de transmisión para lograr características de ganancia plana y una excelente adaptación de entrada/salida en un rango de frecuencia ultra ancho.

Los amplificadores distribuidos GaN de MACOM presentan las siguientes características técnicas notables:

Rendimiento de banda ultra ancha: Cubre el rango de frecuencia de CC a 40 GHz o superior, con una excelente planitud de ganancia, típicamente dentro de ±1dB, cumpliendo con los requisitos de banda ancha de aplicaciones como la guerra electrónica, la comunicación de banda ancha y las pruebas y mediciones.

Alta densidad de potencia: Gracias a las características de alta tensión de ruptura del material GaN, puede proporcionar de 3 a 5 veces más potencia de salida que los dispositivos GaAs tradicionales en la misma área de chip, con una densidad de potencia típica que alcanza los 4-6W/mm².

Excelente linealidad: OIP3 normalmente supera los 35 dBm, adecuado para la amplificación de alta fidelidad de señales moduladas complejas, cumpliendo con los estrictos requisitos de integridad de la señal en los sistemas de comunicación modernos

Compensación de temperatura integrada: Los circuitos integrados de detección y compensación de temperatura garantizan un rendimiento estable en un amplio rango de temperaturas (-40°C a +85°C), adecuados para aplicaciones en entornos hostiles

Embalaje compacto: Utiliza principalmente embalaje de montaje en superficie QFN o cerámico, con un tamaño compacto para una fácil integración del sistema y una reducción de la ocupación de espacio en la placa

Los escenarios de aplicación típicos para los amplificadores distribuidos GaN de MACOM incluyen:

Sistemas de guerra electrónica: Como amplificadores frontales o amplificadores de controlador para receptores de banda ancha, que cubren la banda de frecuencia militar de 2-18 GHz, lo que permite la advertencia de radar y la recopilación de inteligencia de señales

Equipos de prueba y medición: Utilizados como amplificadores frontales para instrumentos como analizadores de espectro y analizadores de red, mejorando la sensibilidad y el rango dinámico de los sistemas de prueba

Comunicaciones por satélite: Utilizados como amplificadores de bajo ruido o amplificadores de controlador en equipos de estaciones terrestres que operan en la banda X (8-12 GHz) y la banda Ku (12-18 GHz)

Comunicaciones por fibra óptica: Proporciona amplificación de señal eléctrica de banda ancha para módulos ópticos de alta velocidad, lo que permite los requisitos de los sistemas de comunicación óptica de 100G/400G

Ventajas de los productos y aplicaciones del módulo frontal de nitruro de galio (GaN) de MACOM

Los módulos frontales de GaN son soluciones altamente integradas dentro de la línea de productos MMIC de MACOM. Un módulo frontal de GaN típico puede incluir unidades funcionales como amplificadores de bajo ruido (LNA), amplificadores de potencia (PA), interruptores e incluso mezcladores, formando una solución completa de cadena de señal.

Las principales ventajas de los módulos frontales de GaN de MACOM son:

Diseño altamente integrado: Un solo módulo integra las funciones de transmisión y recepción, lo que reduce los requisitos de espacio en la placa y las pérdidas de interconexión, al tiempo que mejora la fiabilidad del sistema

Eficiencia energética excepcional: La alta eficiencia de los dispositivos GaN permite que el módulo logre una eficiencia general del 30–45%, lo que reduce el consumo de energía del sistema y los requisitos de gestión térmica

Cobertura de ancho de banda amplio: Admite múltiples configuraciones de banda de frecuencia desde UHF hasta la banda Ka, satisfaciendo las necesidades de varios escenarios de aplicación

Alto rendimiento lineal: El diseño de circuito optimizado garantiza la linealidad del módulo bajo señales moduladas complejas, con excelentes métricas ACLR y EVM

Diseño de sistema simplificado: Las redes de adaptación y los circuitos de polarización integrados reducen el número de componentes externos, lo que reduce la complejidad del diseño

Los módulos frontales de GaN de MACOM se aplican principalmente en las siguientes áreas clave:

Estaciones base de comunicación 5G: Especialmente en las bandas de ondas milimétricas (24 GHz/28 GHz/39 GHz) para sistemas de antenas activas MIMO a gran escala, la alta integración y eficiencia de los módulos frontales son fundamentales para reducir el tamaño y el consumo de energía de la AAU

Sistemas de radar militar: Módulos TR para radares de matriz en fase de banda X y banda Ku, donde los módulos frontales de GaN ofrecen alta densidad de potencia y resistencia a altas temperaturas, adecuados para entornos de campo de batalla hostiles

Terminales de comunicación por satélite: Para dispositivos de comunicación por satélite portátiles y montados en vehículos, logrando una transmisión de alta potencia y una recepción de bajo ruido dentro de un volumen limitado.

Equipos de contramedidas electrónicas: Los módulos frontales integrados admiten el cambio rápido de banda de frecuencia y la generación de señales de interferencia de alta potencia, lo que mejora el rendimiento de los sistemas de guerra electrónica.

Productos de amplificador de potencia GaN de MACOM y características de rendimiento

Los amplificadores de potencia GaN son la categoría de productos más avanzada tecnológicamente y de mayor valor de aplicación en la línea de productos MMIC de MACOM. Estos productos aprovechan al máximo la alta resistencia del campo de ruptura y las características de alta velocidad de saturación de electrones del material GaN para lograr una salida de alta potencia y eficiencia en la banda de frecuencia de microondas que los materiales semiconductores tradicionales no pueden igualar.

Los amplificadores de potencia GaN de MACOM presentan las siguientes características de rendimiento sobresalientes:

Alta potencia de salida: Logra cientos de vatios de salida de potencia pulsada en la banda C y decenas de vatios de potencia de onda continua en la banda X, con una densidad de potencia significativamente mayor que los dispositivos GaAs y Si LDMOS

Funcionamiento de alta eficiencia: Utilizando tecnologías avanzadas como la sintonización armónica y el seguimiento de la envolvente, la eficiencia añadida de potencia (PAE) puede alcanzar el 50-60%, lo que reduce significativamente el consumo de energía del sistema

Capacidad de ancho de banda amplio: El ancho de banda instantáneo puede alcanzar el 10-15% de la frecuencia central, lo que permite la amplificación de señal de banda ancha y reduce la necesidad de conmutación de banda de frecuencia

Alta fiabilidad: El tiempo medio entre fallos (MTTF) supera el millón de horas, lo que cumple con los estrictos requisitos de las aplicaciones aeroespaciales y de defensa

Estabilidad de la temperatura: Rango de funcionamiento de la temperatura de la unión de hasta 225°C, con una degradación mínima del rendimiento a altas temperaturas, adecuado para aplicaciones de alta densidad de potencia

Las áreas de aplicación típicas para los amplificadores de potencia GaN de MACOM incluyen:

Sistemas de radar: Amplificación de potencia de etapa final para radares de control de incendios militares, radares meteorológicos y radares de control de tráfico aéreo, lo que mejora el rango y la resolución de detección

Estaciones base macro 5G: Unidades de radio remotas (RRU) de alta potencia en las bandas de 3,5 GHz y 4,9 GHz; la alta eficiencia de los PA de GaN reduce el consumo de energía y los costos operativos de la estación base

Comunicaciones por satélite: Amplificadores de alta potencia (HPA) para estaciones terrestres, que admiten comunicaciones por satélite de alto rendimiento en las bandas Q/V

Sistemas de guerra electrónica: Componentes centrales para transmisores de interferencia de alta potencia, lo que permite la supresión efectiva de los sistemas de comunicación y radar enemigos

Calentamiento industrial: Fuentes de alimentación para aplicaciones de energía de microondas, utilizadas en industrias de procesamiento de materiales y procesamiento de alimentos, entre otras