Blog de la compañía Suministro de chips de memoria, Suministro de memoria RAM ferroeléctrica Infineon, Memoria Flash NOR, Memoria SRAM no volátil, Memoria SRAM

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La Comisión consideró que los importes procedentes de China no constituían ayuda estatal en el sentido del artículo 2 del Reglamento de base.¢Proveedor a largo plazo de chips de memoria de [Infineon], que incluye memoria F-RAM (RAM ferroeléctrica), memoria flash NOR (Flash), memoria nvSRAM (SRAM no volátil),Memoria aleatoria estática SRAM y otros productosLos detalles de estos productos se muestran a continuación:

1. Memoria F-RAM (RAM ferroeléctrica)
Ventajas principales: escritura no volátil de alta velocidad, vida útil ultra larga (> 10 ^ 14 lectura / escritura), velocidad de escritura de microsegundos, consumo de energía extremadamente bajo, alta confiabilidad.
Aplicaciones típicas: registro de datos (caja negra, instrumentación), control industrial, equipos médicos, medidores inteligentes, etiquetas RFID, escenarios que requieren una escritura de datos no volátiles frecuente y rápida.
Modelos típicos suministrados por Mingjiada:
CY15B104Q: 4-Mbit (512K x 8) F-RAM en serie (SPI), rango de temperatura de grado industrial.
CY15V104Q: 4-Mbit (512K x 8) F-RAM en serie (SPI), amplio rango de voltaje (1.71V - 3.6V).
FM28V100: 1-Mbit (128K x 8) F-RAM paralela, interfaz de alta velocidad.

2. Ni memoria flash
Ventajas principales: lectura aleatoria de alta velocidad (suporte XIP), alta confiabilidad, larga retención de datos, fácil integración.
Aplicaciones típicas: almacenamiento de código en la electrónica automotriz (tablero de mando, ADAS), control industrial, dispositivos de red, dispositivos IoT, electrónica de consumo (set-top boxes, routers), dispositivos portátiles.
Mingjiada suministra modelos típicos:
S25FL128L: 128-Mbit SPI NOR Flash, alto rendimiento, soporte Quad SPI, certificado para el sector automotriz.
S70GL01GT: 1-Gbit (128M x 8) paralelo NOR Flash, operación de lectura/escritura de alta velocidad.
S25HS512T: SPI de 512 Mbit o flash (SPI octal), velocidad de transferencia de datos extremadamente alta.

3. nvSRAM (SRAM no volátil)
Ventajas principales: velocidad a nivel de SRAM (sin latencia de escritura), lecturas y escrituras ilimitadas, protección automática de datos (conservación de milisegundos), larga conservación de datos (> 20 años),y alta resistencia (> 10^6 retención).
Aplicaciones típicas: almacenamiento en caché de datos de alta velocidad, almacenamiento de misión crítica (transacciones financieras, control industrial), almacenamiento no volátil que requiere latencia de escritura cero,almacenamiento de configuración para dispositivos alimentados por baterías (no se requieren baterías).
Modelos típicos suministrados por Mingjiada:
CY14B101NA: 1-Mbit (128K x 8) nvSRAM paralela, interfaz asíncrona de alta velocidad.
CY14E101Q: 1-Mbit (128K x 8) nvSRAM en serie (SPI), con ahorro de pines.
CY14V101QS: 1-Mbit (128K x 8) nvSRAM en serie (SPI), rango de amplio voltaje.

4. Memoria aleatoria estática de SRAM
Ventajas principales: Acceso de ultra alta velocidad, cero gastos de actualización, interfaz simple, fácil de usar.
Aplicaciones típicas: Cache (CPU L1/L2/L3 Cache), Procesador de red Buffer, Adquisición de datos de alta velocidad, Memoria de configuración FPGA, Registros críticos que requieren latencia y determinismo ultrabajos,RAM con batería (considerando el consumo de energía).
Modelos típicos suministrados por Mingjiada:
CY62167EV30: SRAM de baja potencia asíncrona de alta velocidad de 16 Mbit (1M x 16 / 2M x 8).
CY14X101KA: Miembro de la familia de SRAM de baja potencia (LP) (por ejemplo, 1Mb, 4Mb) optimizado para aplicaciones alimentadas por baterías.

Servicio Mingjiada: Proporcionar garantía de calidad, apoyo a la adquisición de lotes pequeños y selección personalizada.
Ventaja de la cadena de suministro: el inventario electrónico de Mingjiaoda cubre los modelos convencionales y admite una entrega rápida.
URL de la empresa:El objetivo de la presente Decisión es garantizar que los Estados miembros cumplan los requisitos establecidos en el presente Reglamento.