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Blog de la compañía Suministro MOSFET AUIRF8739L2TR 40V Single N-Channel Chips Cars HEXFET Power

Certificación
Porcelana ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd. certificaciones
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Compañía El blog
Suministro MOSFET AUIRF8739L2TR 40V Single N-Channel Chips Cars HEXFET Power
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Suministro MOSFET AUIRF8739L2TR 40V Single N-Channel Chips Cars HEXFET Power

 

Descripción
AUIRF8739L2 combina la última tecnología automotriz HEXFET® Power MOSFET Silicon con la avanzada tecnología de empaque DirectFET® para lograr un rendimiento excepcional en un paquete que tiene la huella de un SO-8 o PQFN de 5X6 mm y un perfil de solo 0,7 mm.

 

El paquete DirectFET® es compatible con las geometrías de diseño existentes que se utilizan en aplicaciones de energía, equipos de ensamblaje de PCB y técnicas de soldadura por convección o infrarrojos en fase de vapor, cuando se sigue la nota de aplicación AN-1035 con respecto a los métodos y procesos de fabricación.

 

AUIRF8739L2 HEXFET® Power MOSFET está diseñado para aplicaciones donde la eficiencia y la densidad de potencia son de valor.La avanzada plataforma de empaquetado DirectFET®, junto con la última tecnología de silicio, permite que el AUIRF8739L2 ofrezca ahorros sustanciales a nivel del sistema y mejoras en el rendimiento, específicamente en motores, CC-CC y otras aplicaciones de carga pesada en plataformas ICE, HEV y EV.Este MOSFET utiliza las últimas técnicas de procesamiento para lograr una resistencia de encendido ultrabaja por área de silicio.Las características adicionales de este MOSFET son una temperatura de unión operativa de 175 °C y una alta capacidad de corriente máxima repetitiva.Estas características se combinan para hacer de este MOSFET un dispositivo altamente eficiente, robusto y confiable para aplicaciones automotrices de alta corriente.

 

Características

  • Tecnología de proceso avanzada

  • Optimizado para accionamiento de motores automotrices, CC-CC y otras aplicaciones de carga pesada

  • Huella excepcionalmente pequeña y perfil bajo

  • Densidad de alta potencia

  • Parámetros parasitarios bajos

  • Refrigeración de doble cara

  • Temperatura de funcionamiento de 175 °C

  • Avalancha repetitiva permitida hasta Tjmax

  • Sin plomo, compatible con RoHS y sin halógenos

  • Automotor calificado

 

Parámetros

Categoría MOSFET - Individual
Vgs(th) (Máx.) @ Id. 3,9 V a 250 µA
Rds On (Máx.) @ Id, Vgs 0.6mOhm @ 195A, 10V
Disipación de energía (máx.) 3,8 W (Ta), 340 W (Tc)

 

Preguntas más frecuentes

P. ¿Sus productos son originales?
R: Sí, todos los productos son originales, nuestro objetivo es la nueva importación original.
P: ¿Qué certificados tienes?
R:Somos una empresa certificada ISO 9001:2015 y miembro de ERAI.
P: ¿Puede admitir pedidos o muestras de pequeñas cantidades? ¿La muestra es gratuita?
R: Sí, admitimos pedidos de muestra y pedidos pequeños. El costo de la muestra es diferente según su pedido o proyecto.
P: ¿Cómo enviar mi pedido?¿Es seguro?
R: Usamos envíos exprés, como DHL, Fedex, UPS, TNT, EMS. También podemos usar su transportista sugerido. Los productos estarán en buen embalaje y garantizarán la seguridad y somos responsables de los daños del producto en su pedido.
P: ¿Qué pasa con el tiempo de entrega?
R: Podemos enviar piezas en existencia dentro de los 5 días hábiles. Si no hay existencias, le confirmaremos el tiempo de entrega en función de la cantidad de su pedido.

Tiempo del Pub : 2023-07-03 11:33:17 >> Lista de las noticias
Contacto
ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd.

Persona de Contacto: Mr. Sales Manager

Teléfono: 86-13410018555

Fax: 86-0755-83957753

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