Blog de la compañía MOSFET de suministro IGLD60R190D1AUMA1_IGLD60R070D1AUMA3 Transistor de potencia mejorada de 600 V

Shenzhen Mingjiada Electronics Co., Ltd. Suministra MOSFET IGLD60R190D1AUMA1_IGLD60R070D1AUMA3 Transistor de potencia mejorada CoolGaNTM de 600 V

Descripción del producto

1、IGLD60R190D1AUMA1 Montaje de superficie N-canal 600 V 10A ((Tc) 62.5W ((Tc) PG-LSON-8-1

Serie: Tipo de FET CoolGaNTM: canal N

Tipo de FET: canal N

Tecnología: GaNFET (nitruro de galio)

Ventilación de la fuente de escape (Vdss): 600 V

Corriente a 25°C - Desagüe continuo (Id): 10A (Tc)

Vgs ((th) en diferentes Id (máx): 1,6V @ 960μA

Vgs ((th) (máximo): 1,6V @ 960μA en diferentes Id's

Capacidad de entrada (Ciss) (máximo) en Vds diferentes: 157 pF @ 400 V

Disposición de energía (máximo): 62,5 W (Tc)

Temperatura de funcionamiento: -55 °C ~ 150 °C (TJ)

Tipo de montaje: montaje de superficie

Envase del dispositivo del proveedor: PG-LSON-8-1

Envase/concha: almohadilla expuesta de 8-LDFN

Número del producto de base: IGLD60

2, IGLD60R070D1AUMA3 Montaje de superficie N-canal 600 V 15A (Tc) 114W (Tc) PG-LSON-8-1

Serie CoolGaNTM

FET: Tipo de canal N

Tecnología: GaNFET (nitruro de galio)

Ventilación de la fuente de escape (Vdss): 600 V

Corriente a 25°C - Desagüe continuo (Id): 15A (Tc)

Vgs(th) en diferentes Id (máximo): 1,6V @ 2,6mA

Vgs ((max): -10V

Capacidad de entrada (Ciss) a diferentes Vds (máximo): 380 pF @ 400 V

Disposición de energía (máximo): 114 W (Tc)

Temperatura de funcionamiento: -55 °C ~ 150 °C (TJ)

Tipo de montaje: montaje de superficie

Envase del dispositivo del proveedor: PG-LSON-8-1

Envase/concha: almohadilla expuesta de 8-LDFN

Introducción

Los transistores de potencia de mejora CoolGaNTM600V proporcionan velocidades de conmutación rápidas y pérdidas de conmutación mínimas en una topología simple de medio puente para una máxima eficiencia.

La familia CoolGaNTM 600V cumple con aprobaciones específicas de GaN que van mucho más allá de los estándares existentes.cargadores, carga inalámbrica y otras aplicaciones que requieren la mayor eficiencia o densidad de potencia.

Para obtener más información, póngase en contacto con el Sr. Chen por teléfono:

Tel: +86 13410018555

El correo electrónico: sales@hkmjd.com

Casa de la Compañía:En el caso de las empresas que no participan en el programa, el importe de la ayuda será de EUR 100000000.