Blog de la compañía El sistema de alimentación de MOSFET IGOT60R070D1AUMA1 N-canal 600 V 31A ((Tc) 125W ((Tc) PG-DSO-20-87

Shenzhen Mingjiada Electronics Co., Ltd. suministra MOSFET IGOT60R070D1AUMA1 N canal 600 V 31A(Tc) 125W(Tc) PG-DSO-20-87

Fabricante: Infineon Technologies

Serie: CoolGaNTM

Tipo de FET: canal N

Tecnología: GaNFET (nitruro de galio)

Ventilación de la fuente de escape (Vdss): 600 V

Corriente a 25°C - Desagüe continuo (Id): 31A (Tc)

Vgs ((th) (máximo) en diferentes Id: 1,6V @ 2,6mA

Vgs ((th) (máximo): 1,6V @ 2,6mA en las distintas ids

Capacidad de entrada (Ciss) a diferentes Vds (máximo): 380 pF @ 400 V

Disposición de energía (máximo): 125 W (Tc)

Temperatura de funcionamiento: -55 °C ~ 150 °C (TJ)

Tipo de montaje: montaje de superficie

Envase del dispositivo del proveedor: PG-DSO-20-87

Envase y carcasa: 20-PowerSOIC (0,433", 11,00 mm de ancho)

Introducción

Las aplicaciones objetivo de la familia de productos CoolGaN requieren dispositivos HEMT mejorados (normalmente apagados),que ofrecen mayores ventajas en aplicaciones típicas de conversión de potencia porque requieren menos energía para funcionar.La mayoría de las ventajas operativas de los dispositivos CoolGaN HEMT provienen de su capacidad para cambiar a velocidades de frecuencia ultra altas,pero esta es una característica que puede verse afectada por la resistencia parasitaria de los cables de paquetesPor esta razón, los dispositivos CoolGaN están empaquetados utilizando tecnología SMD (dispositivo de montaje superficial) en lugar de envases a través de agujeros.

La tecnología CoolGaN permite la integración de diodos de protección ESD utilizando "el mismo proceso de fabricación que para los transistores HEMT".Las capas de GaN y AlGaN se obtienen por deposición epitaxial en un sustrato de silicioLos transistores GaN de potencia mejorada tienen una estructura p-HEMT. Se obtienen nuevas y únicas estructuras de placas de campo mediante procesamiento en capas metálicas.

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